1.一种热蒸发制备CdSe薄膜的工艺，其特征在于：第一步，选取衬底材料并对衬底材料依次进行清洗和去除本征氧化物及干燥的处理；第二步，将处理后的衬底材料放入真空腔室的样品架上固定；第三步，称量CdSe粉末置于蒸发源内；第四步，关闭真空腔室，对系统抽真空至1.1×10-4Pa以下；第五步，打开样品架控制按钮，设置样品架转速；第六步，关闭镀膜机真空腔闸板阀，打开蒸发电源开关，调节蒸发电流到设定值；第七步，蒸镀计时至预设时间，关闭蒸发电源开关，停止蒸镀；第八步，打开真空腔闸板阀，将腔室内为沉积的CdSe分子抽走，关机取出样品；第九步，将制备完成CdSe薄膜样品置于真空退火炉中进行退火后，取出样品，通过辅助设备将样品进行表征。
2.根据权利要求1所述的一种热蒸发制备CdSe薄膜的工艺，其特征在于：所述衬底材料为玻璃、石英、硅、锗。
3.根据权利要求1或2所述的一种热蒸发制备CdSe薄膜的工艺，其特征在于：衬底材料的清洗为将衬底材料分别置于去离子水、丙酮和无水乙醇中超声清洗。
4.根据权利要求1所述的一种热蒸发制备CdSe薄膜的工艺，其特征在于：所述样品架转速为8r/min至13r/min。
5.根据权利要求1所述的一种热蒸发制备CdSe薄膜的工艺，其特征在于：所述蒸发电流的设定值为70A至95A。
6.根据权利要求1所述的一种热蒸发制备CdSe薄膜的工艺，其特征在于：所述蒸镀计时至预设时间为8分钟至15分钟。
7.根据权利要求1所述的一种热蒸发制备CdSe薄膜的工艺，其特征在于：所述退火时间为1.5h至2.5h。
8.根据权利要求1所述的一种热蒸发制备CdSe薄膜的工艺，其特征在于：所述退火温度为400℃至600℃。
9.根据权利要求1所述的一种热蒸发制备CdSe薄膜的工艺，其特征在于：所述辅助设备为X射线衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜。