技术总结
一种热蒸发制备CdSe薄膜的工艺，其技术要点是：第一步，选取衬底材料并对衬底材料依次进行清洗和去除本征氧化物及干燥的处理；第二步，将处理后的衬底材料放入真空腔室的样品架上固定；第三步，称量CdSe粉末置于蒸发源内；第四步，关闭真空腔室；第五步，设置样品架转速；第六步，打开蒸发电源开关，调节蒸发电流到设定值；第七步，关闭蒸发电源开关，停止蒸镀；第八步，将腔室内为沉积的CdSe分子抽走，关机取出样品；第九步，将制备完成CdSe薄膜样品置于真空退火炉中进行退火后取出样品，通过辅助设备将样品进行表征；采用该技术方案退火处理过程使CdSe薄膜表面晶粒细化，致密性增强，薄膜质量明显提升，成本低，纯度高。
技术研发人员：曾体贤;张敏;杨辉;陈太红;安辛友
受保护的技术使用者：西华师范大学
文档号码：201710077994
技术研发日：2017.02.14
技术公布日：2017.06.20