技术特征：
技术总结
本发明公开了一种等离子体设备的进气结构，包括真空室，所述真空室的上部或下部连接有等离子体源，所述真空室的下部或上部设有用于放置工件的工作台；所述真空室的周向设有第一进气组和第二进气组，所述第一进气组通过管道连通有第一气源，所述第二进气组通过管道连通有第二气源；所述第一进气组和所述第二进气组均包括至少三个进气口，所述进气口在竖直平面内朝向不同的方向。本发明增加了进气方式的灵活性，更加方便针对基片的刻蚀或成膜要求调整进气方式。
技术研发人员：卢艳
受保护的技术使用者：北京芯微诺达科技有限公司
技术研发日：2017.07.26
技术公布日：2017.11.14