一种等离子刻蚀设备的制作方法

本发明涉及半导体制造领域，且特别涉及一种等离子刻蚀设备，具体为静电吸附盘支撑架的结构设计。

背景技术：

等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是将暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。

请参考图1，图1所示为现有技术中采用悬臂支撑的等离子刻蚀设备结构示意图。目前，12寸的LAM等离子刻蚀设备内部的腔体1是个正圆形的对称腔，其目的是为了保证气体流动导向的对称均匀性，这种设计方法就使得静电吸附盘3必须要有一个悬臂4将其支撑在整个腔体1的中间，但正是由于这个悬臂4的设计致使气体从正上方往正下方流动时会被该悬臂4阻挡，造成局部的气流速度偏慢，从而造成晶圆表面的这一部分的刻蚀速率较其他区域偏慢。参考图2，图2所示为现有技术中某刻蚀速率下的晶圆示意图。

悬臂的区域局限性，也使得静电吸附盘内的水/气/电线路没有合理的布线，导致后期维护保养时的不便以及可能存在的安全隐患。

技术实现要素：

本发明提出一种等离子刻蚀设备，改变现有的悬臂模式，使用支撑架来托举静电吸附盘，让气体自上向下流动时，走向更加的均匀。空心支撑脚中可以将静电吸附盘内的冷却液管路，电线管路，气动阀供气管路独立合理布线以起到维护维保，处置故障时方便快捷，安全有效的作用。

为了达到上述目的，本发明提出一种等离子刻蚀设备，包括：

反应腔体；

静电吸附盘，设置于所述反应腔体内部；

多个支撑脚，设置于所述反应腔体内部，所述多个支撑脚连接并托举所述静电吸附盘。

进一步的，所述多个支撑脚均匀分布于所述静电吸附盘下方。

进一步的，所述多个支撑脚倾斜设置于所述静电吸附盘下方。

进一步的，所述多个支撑脚一端紧靠所述反应腔体底部内侧，另一端连接于所述静电吸附盘底部周边。

进一步的，所述多个支撑脚的数量为3个。

进一步的，所述多个支撑脚内部为中空结构设置。

进一步的，所述多个支撑脚的中空结构内分别设置有电线管路，供气管路，及冷却液管路。

本发明提出的等离子刻蚀设备，改变现有的悬臂支撑静电吸附盘的模式，改在静电吸附盘的下方做三根空心支撑脚托举静电吸附盘让气流可以从上至下贯通腔体。支撑脚的主要作用是支撑静电吸附盘，内部用来走静电吸附盘所用的电线管路，供气管路，及冷却液管路，相比现有的传统悬臂，支撑脚内部分路走线更加独立安全方便后期维护维保，且腔体内气流从上向下均匀流动，改善刻蚀工艺时的均一性，从而提高产品的良率。

附图说明

图1所示为现有技术中采用悬臂支撑的等离子刻蚀设备结构示意图。

图2所示为现有技术中某刻蚀速率下的晶圆示意图。

图3所示为本发明较佳实施例的等离子刻蚀设备结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图给出本发明的具体实施方式，但本发明不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图3，图3所示为本发明较佳实施例的等离子刻蚀设备结构示意图。本发明提出一种等离子刻蚀设备，包括：反应腔体100；静电吸附盘200，设置于所述反应腔体100内部；多个支撑脚300，设置于所述反应腔体100内部，所述多个支撑脚300连接并托举所述静电吸附盘200。

根据本发明较佳实施例，所述多个支撑脚300均匀分布于所述静电吸附盘200下方。进一步的，所述多个支撑脚300倾斜设置于所述静电吸附盘200下方。所述多个支撑脚300一端紧靠所述反应腔体100底部内侧，另一端连接于所述静电吸附盘200底部周边。腔体内气流从上向下均匀流动，改善刻蚀工艺时的均一性，从而提高产品的良率。

根据本发明较佳实施例，所述多个支撑脚300的数量为3个。进一步的，所述多个支撑脚300内部为中空结构设置。所述多个支撑脚300的中空结构内分别设置有电线管路，供气管路，及冷却液管路。相比现有的传统悬臂，支撑脚内部分路走线更加独立安全方便后期维护维保。

综上所述，本发明提出的等离子刻蚀设备，改变现有的悬臂支撑静电吸附盘的模式，改在静电吸附盘的下方做三根空心支撑脚托举静电吸附盘让气流可以从上至下贯通腔体。支撑脚的主要作用是支撑静电吸附盘，内部用来走静电吸附盘所用的电线管路，供气管路，及冷却液管路，相比现有的传统悬臂，支撑脚内部分路走线更加独立安全方便后期维护维保，且腔体内气流从上向下均匀流动，改善刻蚀工艺时的均一性，从而提高产品的良率。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。