1.一种等离子刻蚀设备，其特征在于，包括：
反应腔体；
静电吸附盘，设置于所述反应腔体内部；
多个支撑脚，设置于所述反应腔体内部，所述多个支撑脚连接并托举所述静电吸附盘。
2.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其特征在于，所述多个支撑脚均匀分布于所述静电吸附盘下方。
3.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其特征在于，所述多个支撑脚倾斜设置于所述静电吸附盘下方。
4.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其特征在于，所述多个支撑脚一端紧靠所述反应腔体底部内侧，另一端连接于所述静电吸附盘底部周边。
5.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其特征在于，所述多个支撑脚的数量为3个。
6.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其特征在于，所述多个支撑脚内部为中空结构设置。
7.根据权利要求6所述的等离子刻蚀设备，其特征在于，所述多个支撑脚的中空结构内分别设置有电线管路，供气管路，及冷却液管路。