本实用新型涉及到旋转装置技术领域，尤其涉及一种真空用工件高速旋转装置。
背景技术：
真空镀膜机主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，具体包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，PLD激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。常见的镀膜机中，转速在20转每分钟左右，光学监控采样频率比较低，镀膜过程中膜厚监控精度差，所镀制的高质量多层膜的膜厚均匀性比较差。
为了解决上述技术问题，本实用新型设计了一种真空用工件高速旋转装置，该真空用工件高速旋转装置采用磁流体密封装置一和磁流体密封装置二双磁流体密封直驱方式，使镀膜过程中的工件转速达到200转每分钟，将光学膜厚监控系统采样频率提高10倍。采用此种装置后，膜厚均匀性较市场现有技术水平提高了一个数量级，可用于镀制高质量多层膜。总之，该真空用工件高速旋转装置结构设计合理，镀膜更加精准，适合推广使用。
技术实现要素：
为了克服背景技术中存在的缺陷，本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种真空用工件高速旋转装置，包括磁流体密封装置一、电机、电机安装板、支撑杆、磁流体密封装置二、安装法兰、传动轴、晶控探头和隔板，所述安装法兰固定在隔板上，所述隔板的上部为大气侧，所述隔板的下部为真空侧，所述电机安装板通过支撑杆固定在安装法兰上，所述电机安装板上设有电机和传动轴，所述传动轴从安装法兰和隔板内穿过，所述传动轴的底部设有晶控探头，所述晶控探头位于真空侧内，所述传动轴的中部外侧紧贴着安装法兰设有磁流体密封装置二，所述传动轴的上部外侧设有磁流体密封装置一。
优选的所述磁流体密封装置一上设有晶控探头安装法兰。
本实用新型设计了一种真空用工件高速旋转装置，该真空用工件高速旋转装置采用磁流体密封装置一和磁流体密封装置二双磁流体密封直驱方式，使镀膜过程中的工件转速达到200转每分钟，将光学膜厚监控系统采样频率提高10倍。采用此种装置后，膜厚均匀性较市场现有技术水平提高了一个数量级，可用于镀制高质量多层膜。总之，该真空用工件高速旋转装置结构设计合理，镀膜更加精准，适合推广使用。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型一种真空用工件高速旋转装置的结构示意图；
其中:1、晶控探头安装法兰；2、磁流体密封装置一；3、电机；4、电机安装板；5、支撑杆；6、磁流体密封装置二；7、安装法兰；8、传动轴；9、晶控探头；10、隔板。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。附图为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
具体实施例，请参阅图1，一种真空用工件高速旋转装置，包括磁流体密封装置一2、电机3、电机安装板4、支撑杆5、磁流体密封装置二6、安装法兰7、传动轴8、晶控探头9和隔板10，所述安装法兰7固定在隔板10上，所述隔板10的上部为大气侧，所述隔板10的下部为真空侧，所述电机安装板4通过支撑杆5固定在安装法兰7上，所述电机安装板4上设有电机3和传动轴8，所述传动轴8从安装法兰7和隔板10内穿过，所述传动轴8的底部设有晶控探头9，所述晶控探头9位于真空侧内，所述传动轴8的中部外侧紧贴着安装法兰7设有磁流体密封装置二6，所述传动轴8的上部外侧设有磁流体密封装置一2，所述磁流体密封装置一2上设有晶控探头安装法兰1。
本实用新型设计了一种真空用工件高速旋转装置，该真空用工件高速旋转装置采用磁流体密封装置一和磁流体密封装置二双磁流体密封直驱方式，使镀膜过程中的工件转速达到200转每分钟，将光学膜厚监控系统采样频率提高10倍。采用此种装置后，膜厚均匀性较市场现有技术水平提高了一个数量级，可用于镀制高质量多层膜。总之，该真空用工件高速旋转装置结构设计合理，镀膜更加精准，适合推广使用。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。