技术总结
本发明提供一种在适用于将IGZO膜等的氧化物半导体作为沟道层的TFT的情况下,TFT的特性和可靠性优异的IGZO膜的成膜方法、以及适合于这样的IGZO膜的成膜的真空处理装置。将包含铟、镓和锌的烧结体设为靶体(42a),在设置有该靶体的真空处理室(Vc4)内配置处理对象物(W),真空处理室真空排气到规定的压力时,导入放电用气体和氧气,向靶体施加规定电力而对靶体进行溅射,由此通过反应性溅射在处理对象物的表面形成IGZO膜,这样的本发明的成膜方法包括在靶体的溅镀开始之前,将真空处理室内的水分压设为1×10‑5Pa~1×10‑3Pa的范围的工序。
技术研发人员:坂本纯一;清田淳也;小林大士;武井应树;大野哲宏
受保护的技术使用者:株式会社爱发科
技术研发日:2018.01.05
技术公布日:2018.07.20