本发明涉及一种等离子体处理装置。
背景技术：
：：在半导体装置或液晶显示器(display)或者光盘(disk)等各种制品的制造步骤中，有在例如晶片(wafer)或玻璃基板等工件(work)上制作光学膜等薄膜的情况。薄膜可通过相对于工件而形成金属等的膜的成膜、或相对于所形成的膜而进行蚀刻(etching)、氧化或氮化等膜处理等而制作。成膜或膜处理可利用各种方法来进行，作为其一，有使用等离子体(plasma)的方法。在成膜中，将惰性气体导入至配置有靶材(target)的腔室(chamber)内，并施加直流电压。使经等离子体化的惰性气体的离子(ion)碰撞靶材，使自靶材撞出的材料堆积于工件而进行成膜。在膜处理中，将工艺气体(processgas)导入至配置有电极的腔室内，并对电极施加高频电压。使经等离子体化的工艺气体的离、自由基等活性种碰撞工件上的膜，由此进行膜处理。存在一种等离子体处理装置，其在一个腔室的内部安装有作为旋转体的旋转平台(table)，在旋转平台上方的周方向上配置有多个成膜用的单元(unit)与膜处理用的单元，以便可连续地进行此种成膜与膜处理(例如，参照专利文献1)。如上所述般，将工件保持于旋转平台上来搬送，并使其在成膜单元与膜处理单元的正下方经过，由此形成光学膜等。在使用旋转平台的等离子体处理装置中，作为膜处理单元，有时使用上端封闭且下端具有开口部的筒形的电极(以下，称为“筒形电极”)。在使用筒形电极的情况下，在腔室的上部设置开口部，将筒形电极的上端介隔绝缘物安装于所述开口部。筒形电极的侧壁在腔室的内部延伸存在，且下端的开口部介隔微小的间隙而面向旋转平台。腔室接地，筒形电极作为阳极(anode)发挥功能，腔室与旋转平台作为阴极(cathode)发挥功能。将工艺气体导入至筒形电极的内部并施加高频电压，从而产生等离子体。所产生的等离子体中所含的电子流入至作为阴极的旋转平台侧。使被旋转平台保持的工件在筒形电极的开口部之下经过，由此通过等离子体而生成的离子、自由基等活性种碰撞工件来进行膜处理。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利第4428873号公报[专利文献2]日本专利第3586198号公报技术实现要素：[发明所要解决的问题]近年来，成为处理对象的工件大型化，另外，也要求提高处理效率，因此有产生等离子体来进行成膜、膜处理的领域扩大的倾向。但是，在对筒形电极施加电压而产生等离子体的情况下，有时难以产生广范围、高密度的等离子体。因此，开发一种等离子体处理装置，其可产生相对较广范围、高密度的等离子体来对大型的工件进行膜处理(例如，参照专利文献2)。关于此种等离子体处理装置，天线在与导入有工艺气体的气体空间之间介隔介电体等窗构件而配置于腔室外。而且，通过对天线施加高频电压而在气体空间内产生电感耦合的等离子体来进行膜处理。此处，在使用旋转平台的等离子体处理装置中，考虑如下情况：应用进行利用电感耦合的膜处理的装置来代替筒形电极。所述情况下，将后述的筒状的构成构件(以下，设为筒部)插入至腔室上部的开口部。由此，自筒部的内部至下方构成导入工艺气体的气体空间。而且，将介电体的窗构件介隔O型环(Oring)等密封构件而搭载于形成于筒部的开口的凸缘，由此将气体空间密封。窗构件中所使用的介电体可使用石英等相对较硬且脆的材质。另外，在筒部与旋转平台之间形成有用来确保与工件的间隔且防止工艺气体的流出、蔓延的间隙。在此种结构中，若通过气体空间中所产生的等离子体对筒部进行加热，则筒部发生热变形，并在支撑窗构件的凸缘处产生应力。如此，因凸缘的变形而有窗构件发生变形或受到损伤的可能性。另外，为了防止工艺气体的流出、蔓延，需要在筒部的与旋转平台对向的面和工件之间确保几毫米的间隙，但若发生如上所述般的热变形，则有时难以确保间隔。进而，例如，在腔室的一部分为开闭盖的结构且在盖侧安装有筒部的情况下，筒部的位置取决于所开闭的盖的位置。因此，难以通过盖的开闭而正确地进行筒部的与旋转平台对向的面和旋转平台之间的间隙的调整。本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置，其可防止对在筒部中所构成的将气体空间与外部之间加以划分的窗构件带来热变形的影响，且可正确地调整筒部与工件之间的间隔。[解决问题的技术手段]为了达成所述目的，本发明包括：真空容器，可将内部设为真空；搬送部，设置于所述真空容器内，具有搭载工件并旋转的旋转体，通过使所述旋转体旋转而以圆周的搬送路径循环搬送所述工件；筒部，在所述筒部的一端的开口朝向所述真空容器的内部的所述搬送路径的方向上延伸存在；窗构件，设置于所述筒部，将所述筒部的内部与所述旋转体之间的导入有工艺气体的气体空间和外部之间加以划分；以及天线，配置于所述气体空间的外部且为所述窗构件的附近，通过施加电力而在所述气体空间的工艺气体中产生电感耦合等离子体，所述电感耦合等离子体是用来对经过所述搬送路径的工件进行等离子体处理；并且所述筒部具有设置有所述开口且朝向所述旋转体的对向部，在所述对向部与所述旋转体之间具有隔离壁，所述隔离壁相对于所述对向部及所述旋转体而非接触且相对于所述真空容器而以固定不动的方式介隔存在，在所述隔离壁形成有调节孔，所述调节孔设置于与所述开口对向的位置且调节所述等离子体处理的范围。所述隔离壁与所述对向部之间可由密封构件密封。在所述隔离壁与所述对向部之间可具有组合非接触的凹凸而成的迷宫式结构。在所述隔离壁的与所述旋转体对向的面可形成以非接触状态沿所述工件的处理对象面的形状。在所述隔离壁的与所述旋转体对向的面可形成和经弯曲的所述工件的形状一致的弯曲。所述隔离壁的外形可大于所述筒部的外形。可具有对所述对向部进行冷却的第1冷却部。可具有对所述隔离壁进行冷却的第2冷却部。所述真空容器为分离结构，所述筒部可设置于所述真空容器的所分离的一侧，所述旋转体及所述隔离壁可设置于所述真空容器的所分离的另一侧。[发明的效果]根据本发明，可防止对在筒部中所构成的将气体空间与外部之间加以划分的窗构件带来热变形的影响，且可正确地调整筒部与工件之间的间隔。附图说明图1是实施方式的等离子体处理装置的透视立体图。图2是实施方式的等离子体处理装置的透视平面图。图3是图2的A-A线剖面图。图4是图2的B-B线剖面图。图5是表示图4的A部的详细情况的放大图。图6是表示实施方式的处理单元的分解立体图。图7是表示分散部、隔离壁及工件的间隔的说明图。图8是表示实施方式的处理单元的透视平面图。图9是表示工艺气体的流路的示意图。图10是表示实施方式的天线的立体图。图11是表示实施方式的控制装置的构成的方块图。图12是表示设置有密封构件的隔离壁的平面图。图13是表示在分散部与隔离壁之间设置有密封构件的例子的部分剖面图。图14是表示设置有凹部的隔离壁的平面图。图15是在分散部与隔离壁之间形成迷宫式结构的部分剖面图。图16是在分散部与隔离壁之间设置密封构件与迷宫式结构的部分剖面图。图17(A)、图17(B)是表示隔离壁的变形例的平面图。图18是表示隔离壁的变形例的部分剖面图。[符号的说明]100：等离子体处理装置；20：真空容器；20a：顶板；20b：内底面；20c：内周面；21：真空室；21a：开口；21b：密封构件；22：排气口；23：排气部；24：导入口；25：气体供给部；30：搬送部；31：旋转体；32：马达；33：保持部；34：托盘；40、40A、40B、40C：成膜部；4：溅射源；41、41A、41B、41C：靶材；42：背板；43：电极；44：划分部；5：处理单元；50、50A、50B：膜处理部；51：筒状体；51a：开口；51b：外凸缘；510：支撑部；510A、510B、510C：棚面；511a：第1对向面；511b：第2对向面；511c：槽；512：供给口；52：窗构件；53：供给部；53a、53b、53c：配管；54：调节部；54a：质流控制器(MFC)；55：天线；55a：射频(RF)电源；55b：匹配器；551、551a～551d：导体；552：电容器；56：冷却部；561、562：片材；57：分散部；57a：分散板；58：隔离壁；58a：调节孔；58b：支撑构件；581：基体；582：遮蔽板；583：冷却部；6：电源部；60：负载锁部；70：控制装置；71：机构控制部；72：电源控制部；73：气体控制部；74：存储部；75：设定部；76：输入输出控制部；77：输入装置；78：输出装置；B：迷宫式结构；Bx：凹部；By：凸条；C：密封构件；D、d：间隔；E：排气；T：搬送路径；M1、M3：膜处理部位；M2、M4、M5：成膜部位；G：反应气体；G1：溅射气体；G2：工艺气体；F：成膜区域；H：筒部；Ho：开口；h：对向部；R：气体空间；U：凹陷部；W：工件；L、S：长度。具体实施方式参照附图对本发明的实施方式(以下，称为本实施方式)进行具体说明。[概要]图1所示的等离子体处理装置100是利用等离子体而在各个工件W的表面形成化合物膜的装置。即，如图1～图3所示，关于等离子体处理装置100，若旋转体31旋转，则被保持部33保持的托盘34上的工件W以圆周的轨迹移动。通过所述移动，工件W反复经过与成膜部40A、成膜部40B或成膜部40C对向的位置。每次所述经过时，通过溅射而使靶材41A～靶材41C的粒子附着于工件W的表面。另外，工件W反复经过与膜处理部50A或膜处理部50B对向的位置。每次所述经过时，附着于工件W的表面的粒子与所导入的工艺气体G2中的物质进行化合而成为化合物膜。[构成]如图1～图3所示，此种等离子体处理装置100包括：真空容器20、搬送部30、成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C、膜处理部50A、膜处理部50B、负载锁(loadlock)部60、控制装置70。[真空容器]真空容器20是可将内部设为真空的容器即所谓的腔室。真空容器20在内部形成真空室21。真空室21是由真空容器20的内部的顶板20a、内底面20b及内周面20c包围而形成的圆柱形状的密闭空间。真空室21具有气密性，且可通过减压而设为真空。此外，真空容器20的顶板20a以可开闭的方式构成。即，真空容器20为分离结构。向真空室21的内部的规定区域导入反应气体G。反应气体G包含成膜用的溅射气体G1、膜处理用的工艺气体G2(参照图3)。在以下的说明中，在不对溅射气体G1、工艺气体G2加以区别的情况下，有时称为反应气体G。溅射气体G1是用来利用通过施加电力而产生的等离子体，使产生的离子碰撞靶材41A～靶材41C，从而使靶材41A～靶材41C的材料堆积于工件W的表面的气体。例如，可将氩气等惰性气体用作溅射气体G1。工艺气体G2是用来使利用通过电感耦合而产生的等离子体，使产生的活性种浸透至堆积于工件W的表面的膜，从而形成化合物膜的气体。以下，有时将此种利用等离子体的表面处理即不使用靶材41A～靶材41C的处理称为逆溅射。工艺气体G2可根据处理的目的而适当变更。例如，在进行膜的氮氧化的情况下，使用氧气O2与氮气N2的混合气体。如图3所示，真空容器20具有排气口22、导入口24。排气口22是用来确保真空室21与外部之间的气体流通而进行排气E的开口。所述排气口22例如形成于真空容器20的底部。在排气口22连接有排气部23。排气部23具有配管及未图示的泵、阀等。通过利用所述排气部23的排气处理，而将真空室21内减压。导入口24是用来将溅射气体G1导入至各成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C的开口。所述导入口24例如设置于真空容器20的上部。在所述导入口24连接有气体供给部25。除了配管以外，气体供给部25还具有未图示的反应气体G的气体供给源、泵、阀等。通过所述气体供给部25而将溅射气体G1自导入口24导入至真空室21内。此外，如后述，在真空容器20的上部设置有供膜处理部50A、膜处理部50B插入的开口21a。[搬送部]对搬送部30的概略进行说明。搬送部30具有设置于真空容器20内的旋转体31即搭载工件W的旋转体31。搬送部30是通过使旋转体31旋转而以圆周的搬送路径T循环搬送工件W的装置。循环搬送是指使工件W以圆周的轨迹反复环绕移动。搬送路径T是通过搬送部30而使工件W或后述的托盘34移动的轨迹，且为环形形状的具有宽度的圆环。以下，对搬送部30的详细情况进行说明。旋转体31是圆形的板状的旋转平台。旋转体31例如可采用在不锈钢的板状构件的表面喷镀有氧化铝者。以下，在简称为“周方向”时，是指“旋转体31的周方向”，在简称为“半径方向”时，是指“旋转体31的半径方向”。另外，在本实施方式中，作为工件W的例子，使用平板状的基板，但进行等离子体处理的工件W的种类、形状及材料并不限定于特定者。例如，也可使用中心具有凹部或者凸部的经弯曲的基板。另外，也可使用包含金属、碳(carbon)等导电性材料的基板，包含玻璃或橡胶等绝缘物的基板，包含硅等半导体的基板。另外，进行等离子体处理的工件W的数量也并不限定于特定的数量。除了旋转体31以外，搬送部30还具有马达32、保持部33。马达32是提供驱动力并使旋转体31以圆的中心为轴进行旋转的驱动源。保持部33是保持通过搬送部30而搬送的托盘34的构成部。在旋转体31的表面，多个保持部33配设于圆周等配位置。本实施方式中所述的旋转体31的表面在旋转体31为水平方向的情况下为朝向上方的面即顶面。例如，各保持部33保持托盘34的区域是以与旋转体31的周方向的圆的切线平行的朝向来形成，且在周方向上等间隔地设置。更具体而言，保持部33是保持托盘34的槽、孔、凸起、夹具、固定器等，且可通过机械吸盘(mechanicalchuck)、粘着吸盘来构成。托盘34是在方形状的平板的一侧具有搭载工件W的平坦的载置面的构件。作为托盘34的材质，优选为设为热传导性高的材质、例如金属。在本实施方式中，将托盘34的材质设为不锈钢(SUS)。此外，托盘34的材质例如也可设为热传导性佳的陶瓷或树脂或者这些的复合材。相对于托盘34的载置面，工件W可直接搭载，也可介隔具有粘着片的框架等而间接搭载。相对于每个托盘34，可搭载单个工件W，也可搭载多个工件W。在本实施方式中，设置有六个保持部33，因此，在旋转体31上以60°的间隔来保持六个托盘34。但是，保持部33可为一个，也可为多个。旋转体31循环搬送搭载有工件W的托盘34并使其反复经过与成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C、膜处理部50A、膜处理部50B对向的位置。[成膜部]成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C是设置于与在搬送路径T所循环搬送的工件W对向的位置且通过溅射而使成膜材料堆集于工件W来形成膜的处理部。以下，在不对多个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C加以区别的情况下，以成膜部40的形式进行说明。如图3所示，成膜部40具有溅射源4、划分部44、电源部6。(溅射源)溅射源4是通过溅射而使成膜材料堆积于工件W来进行成膜的成膜材料的供给源。如图2及图3所示，溅射源4具有靶材41A、靶材41B、靶材41C、背板(backingplate)42、电极43。靶材41A、靶材41B、靶材41C是由堆积于工件W来成为膜的成膜材料形成，配置于与搬送路径T隔开且对向的位置。在本实施方式中，三个靶材41A、靶材41B、靶材41C设置于俯视时在三角形的顶点上排列的位置。自靠近旋转体31的旋转中心处朝向外周，而以靶材41A、靶材41B、靶材41C的顺序配置。以下，在不对靶材41A、靶材41B、靶材41C加以区别的情况下，以靶材41的形式进行说明。靶材41的表面与通过搬送部30而移动的工件W隔开且对向。此外，可通过三个靶材41A、靶材41B、靶材41C而附着成膜材料的区域大于半径方向上的托盘34的大小。如上所述，与利用成膜部40而成膜的区域相对应，将沿搬送路径T的圆环状的区域设为成膜区域F(以图2的点线表示)。成膜区域F的半径方向上的宽度长于半径方向上的托盘34的宽度。另外，在本实施方式中，三个靶材41A～靶材41C配置为可在成膜区域F的半径方向上的整个宽度区域无间隙地附着成膜材料。作为成膜材料，例如使用硅、铌等。但是，若为通过溅射而进行成膜的材料，则可应用各种材料。另外，靶材41例如为圆柱形状。但是，也可为长圆柱形状、角柱形状等其他形状。背板42是对各靶材41A、靶材41B、靶材41C个别地保持的构件。电极43是用来自真空容器20的外部对各靶材41A、靶材41B、靶材41C个别地施加电力的导电性构件。对各靶材41A、靶材41B、靶材41C施加的电力可个别地变更。此外，在溅射源4中视需要而适当具备磁铁、冷却机构等。(划分部)划分部44是将通过溅射源4而使工件W成膜的成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5、进行膜处理的膜处理部位M1、膜处理部位M3加以划分的构件。如图2所示，划分部44是自搬送部30的旋转体31的旋转中心呈放射状配设的方形的壁板。例如，如图1所示，划分部44设置于真空室21的顶板20a的膜处理部50A、成膜部40A、膜处理部50B、成膜部40B、成膜部40C之间。划分部44的下端空出供工件W经过的间隙，与旋转体31对向。通过存在所述划分部44，而可抑制成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5的反应气体G及成膜材料扩散至真空室21。成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5的水平方向上的范围成为由一对划分部44所划分的区域。此外，通过旋转体31而循环搬送的工件W反复经过成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5的与靶材41对向的位置，由此成膜材料以膜的形式堆积于工件W的表面。所述成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5是进行大部分成膜的区域，但即便是超出所述区域的区域，也有成膜材料的泄露，因此并非完全没有膜的堆积。即，进行成膜的区域成为稍微广于各成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5的区域。(电源部)电源部6是对靶材41施加电力的构成部。通过利用所述电源部6对靶材41施加电力，从而产生经等离子体化的溅射气体G1。而且，通过等离子体而产生的离子碰撞靶材41，由此可使自靶材41撞出的成膜材料堆积于工件W。对各靶材41A、靶材41B、靶材41C施加的电力可个别地变更。在本实施方式中，电源部6例如是施加高电压的直流(DirectCurrent，DC)电源。此外，在为进行高频溅射的装置的情况下，也可设为射频(RadioFrequency，RF)电源。旋转体31与接地的真空容器20为相同电位，通过对靶材41侧施加高电压而产生电位差。关于此种成膜部40，通过在多个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C中使用相同的成膜材料来同时成膜，可提高固定时间内的成膜量即成膜速率。另外，通过在多个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C中使用彼此不同种类的成膜材料来同时或依序成膜，也可形成包含多种成膜材料的层的膜。在本实施方式中，如图1及图2所示，在搬送路径T的搬送方向上，在与膜处理部50A、膜处理部50B之间配设有三个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C。成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5对应于三个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C。膜处理部位M1、膜处理部位M3对应于两个膜处理部50A、膜处理部50B。[膜处理部]膜处理部50A、膜处理部50B是对堆积于通过搬送部30而搬送的工件W上的材料进行膜处理的处理部。以下，所述膜处理是不使用靶材41的逆溅射。以下，在不对膜处理部50A、膜处理部50B加以区别的情况下，以膜处理部50的形式进行说明。膜处理部50具有处理单元5。参照图3～图6对所述处理单元5的构成例进行说明。如图3及图4所示，处理单元5具有筒部H、窗构件52、供给部53、调节部54(参照图9)、天线55、隔离壁58。筒部H是在一端的开口Ho朝向真空容器20的内部的搬送路径T的方向上延伸存在的构成部。筒部H具有筒状体51与对向部h。对向部h是具有开口ho且朝向旋转体31的构成部。构成该些筒部H的构件中，首先对筒状体51进行说明，关于对向部h，将于后叙述。筒状体51是水平剖面为圆角长方形状的筒。此处所述的圆角长方形状是田径运动的跑道形状。跑道形状是指如下形状：将一对部分圆以使凸侧相反的方向分隔且相向，并利用彼此平行的直线将各自的两端连结。筒状体51设为与旋转体31相同的材质。筒状体51是以使开口Ho与旋转体31侧隔开且相向的方式插入至设置于真空容器20的顶板20a的开口21a。由此，筒状体51的大部分侧壁收容于真空室21内。筒状体51以其长径方向与旋转体31的半径方向成为平行的方式配置。此外，无需严格地平行，也可稍微倾斜。如图4所示，窗构件52是设置于筒部H且将真空容器20内的导入有工艺气体G2的气体空间R与外部之间加以划分的构件。在本实施方式中，窗构件52设置于构成筒部H的筒状体51。气体空间R为在膜处理部50中形成于旋转体31与筒部H的内部之间的空间，通过旋转体31而循环搬送的工件W反复经过。窗构件52是收纳于筒状体51的内部且与筒状体51的水平剖面为大致相似形状的石英等介电体的平板(参照图8)。窗构件52是与如上所述般配设的筒状体51的水平剖面为大致相似形状的圆角长方形状的板。即，如图3、图4所示，窗构件52的与搬送路径T交差的方向上的长度L长于沿搬送路径T的方向上的长度S(参照图8)。此外，窗构件52可为氧化铝等介电体，也可为硅等半导体。如图5所示，在筒部H设置有支撑窗构件52的支撑部510。在本实施方式中，支撑部510设置于构成筒部H的筒状体51。在支撑部510与窗构件52之间设置有将气体空间R与外部之间加以密封的片构件21b。以下，对支撑部510、窗构件52、片构件21b的构成进一步具体说明。如图4及图5所示，支撑部510是如下厚壁部：以与外周正交的垂直剖面成为L字形的方式，筒状体51的一端的内缘跨及整个周并突出至筒状体51的内侧。所述支撑部510的最内缘是与筒状体51的剖面为大致相似形状的圆角长方形的开口51a。支撑部510具有随着自筒状体51的内壁向开口51a靠近而逐渐变低的棚面510A、棚面510B、棚面510C，因此成为阶梯状。棚面510B具有第1对向面511a、第2对向面511b及槽511c(燕尾槽(dovetailgroove))。第1对向面511a是棚面510B的一部分跨及整个周并突出至窗构件52侧的部分的平坦的前顶面。第1对向面511a是设置于棚面510B上的气体空间R的外部侧且与窗构件52对向的面。第2对向面511b是设置于棚面510B上的气体空间R侧且与窗构件52对向的面。第2对向面511b是跨及第1对向面511a的内侧的整个周并突出至窗构件52侧的部分的平坦的前顶面。槽511c是在第1对向面511a与第2对向面511b之间跨及整个周而形成的凹陷部(燕尾槽)，嵌入有无端状的片构件21b。片构件21b例如为O型环。所述片构件21b的上部自槽511c突出，通过载置窗构件52而气密地密封开口51a。如图4及图5所示，在支撑部510形成有供给口512。如图4及图5所示，供给口512是将工艺气体G2供给至筒状体51内的孔。如图5所示，供给口512以成为L字形的方式自棚面510A贯穿至开口51a。供给口512设置于支撑部510的搬送路径T的下游侧与上游侧。各个供给口512设置于对向的位置。进而，如图4所示，在筒状体51的与开口51a相反的一侧的端部形成有外凸缘51b。在外凸缘51b的下表面与真空容器20的顶面之间配设有跨及整个周的片构件21b，从而气密地密封开口21a。如图4、图6及图9所示，供给部53是将工艺气体G2供给至气体空间R的装置。供给部53具有未图示的储气瓶等工艺气体G2的供给源及与其连接的配管53a、配管53b、配管53c。工艺气体G2例如为氧气及氮气。配管53a是来自各个工艺气体G2的供给源的一对路径。配管53b是一对路径即配管53a会聚而成的一条路径。配管53b连接于一供给口512。配管53c自配管53b分支而连接于另一供给口512(参照图9)。如图9所示，调节部54对自供给口512导入的工艺气体G2的供给量进行调整。即，调节部54对供给部53的每单位时间的工艺气体G2的供给量个别地调节。调节部54具有分别设置于配管53a的质流控制器(MassFlowController，MFC)54a。MFC54a是具有测量流体的流量的质量流量计与控制流量的电磁阀的构件。如图8及图10所示，天线55是产生用来对经过搬送路径T的工件W进行处理的电感耦合等离子体的构件。天线55配置于气体空间R的外部且为窗构件52的附近。通过对天线55施加电力，从而产生由天线电流形成的磁场所诱导的电场，并将气体空间R的工艺气体G2等离子体化。可根据天线55的形状来变更所产生的电感耦合等离子体的分布形状。在本实施方式中，通过将天线55设为以下所示的形状，可产生与筒状体51内的气体空间R的水平剖面为大致相似的形状的电感耦合等离子体。天线55具有多个导体551a～导体551d及电容器552。多个导体551分别为带状的导电性构件，通过彼此介隔电容器552而连接，从而形成自平面方向观察时为圆角长方形的电路。所述天线55的外形为开口51a以下的大小。各电容器552为大致圆柱形状，且串联连接于导体551a、导体551b、导体551c、导体551d之间。若仅由导体构成天线55，则电压振幅在电源侧的端部会变得过大，会局部地削减窗构件52。因此，通过分割导体而连接电容器552，在各导体551a、导体551b、导体551c、导体551d的端部产生小的电压振幅，从而抑制窗构件52的削减。但是，在电容器552部分中，阻断导体551a、导体551b、导体551c、导体551d的连接性，等离子体密度降低。因此，与窗构件52对向的导体551a、导体551b、导体551c、导体551d的端部构成为彼此在平面方向上产生重叠而自上下方向夹持电容器552。更具体而言，如图10所示，导体551a、导体551b、导体551c、导体551d相对于电容器552的连接端以剖面成为倒L字形的方式屈曲。在邻接的导体551a、导体551b的端部的水平面设置有自上下方向夹持电容器552的间隙。同样地，在导体551b、导体551c的端部的水平面、导体551c、导体551d的端部的水平面分别设置有自上下方向夹持电容器552的间隙。在天线55连接有用来施加高频电力的RF电源55a。在RF电源55a的输出侧串联连接有作为匹配电路的匹配器(matchingbox)55b。例如，将导体551d的一端与RF电源55a连接。在所述例中，导体551a为接地侧。在RF电源55a与导体551d的一端之间连接有匹配器55b。匹配器55b通过使输入侧及输出侧的阻抗匹配，从而使等离子体的放电稳定化。对向部h具有冷却部56、分散部57。如图4、图5及图6所示，冷却部56是外形的大小与筒状体51大致相同的圆角长方形状的筒形构件，且设置于其上表面与筒状体51的底面相接且相吻合的位置。虽未进行图示，但在冷却部56的内部设置有供冷却水流通的腔(cavity)。在腔处连通有连接于冷却器的供给口与排水口，所述冷却器是循环供给冷却水的冷却水循环装置。通过利用所述冷却器反复进行如下操作，从而将冷却部56冷却并抑制筒状体51及分散部57的加热，所述操作为自供给口供给经冷却的冷却水，在腔内流通并自排水口排出。分散部57是外形的大小与筒状体51、冷却部56大致相同的圆角长方形状的筒形构件，且设置于其上表面与冷却部56的底面相接且相吻合的位置。在分散部57设置有分散板57a。分散板57a配置于与供给口512空开间隔且与供给口512对向的位置，使自供给口512导入的工艺气体G2分散并使其流入至气体空间R。分散部57的环状部分的水平方向上的宽度较筒状体51大在内侧设置有所述分散板57a的部分。更具体而言，分散板57a自分散部57的内缘跨及整个周而竖立，超出冷却部56并延伸设置至接近窗构件52的底面的位置。如图5所示，分散板57a与供给口512之间的工艺气体G2的流路在旋转体31侧被封闭并且在窗构件52侧连通于气体空间R。即，在支撑部510与分散板57a之间形成有上方沿窗构件52的下表面而连通于窗构件52的下方的气体空间R的环状的间隙。另外，分散板57a进入至筒状体51内的气体空间R，因此气体空间R中的等离子体的产生区域成为分散板57a的内侧的空间。此外，分散板57a与窗构件52的距离例如设为1mm至5mm。若将所述距离设为5mm以下，则可防止在间隙中产生异常放电。此外，在本实施方式中，分散部57的下端的内缘成为对向部h的开口Ho，对向部h的开口Ho也可为筒部的开口Ho。自供给部53经由供给口512而将工艺气体G2导入至气体空间R，并自RF电源55a对天线55施加高频电压。如此，介隔窗构件52而在气体空间R产生电场并将工艺气体G2等离子体化。由此，产生电子、离子及自由基等活性种。此外，在冷却部56与筒状体51之间、冷却部56与分散部57之间配设有片材561、片材562。片材561、片材562是提高冷却部56与筒状体51、分散部57的密合性且提高热传导性的薄板状的构件。例如使用碳片。如图4～图7所示，隔离壁58是在对向部h与旋转体31之间，相对于对向部h及旋转体31而非接触且相对于真空容器20而以固定不动的方式介隔存在的构件。隔离壁58具有封闭等离子体而抑制工艺气体G2扩散至成膜部40的功能。在隔离壁58形成有调节孔58a，所述调节孔58a设置于与开口Ho对向的位置且调节等离子体处理的范围。更具体而言，隔离壁58是外形与筒状体51大致相同的圆角长方形状的环状的板，且具有基体581、遮蔽板582。基体581是形成隔离壁58的外形的厚壁的平板部分。遮蔽板582是形成于基体581的内缘且与基体581相比壁更薄的平板部分，在其内侧形成有调节孔58a。调节孔58a在旋转体31的外周侧与较外周更靠旋转体31的中心的一侧(以下，称为内周侧)的大小不同。对工件W进行等离子体处理即膜处理的处理区域的框由调节孔58a划出。此处，若将旋转体31的外周侧与内周侧加以比较，在经过一定距离的速度中产生差。即，在如本实施方式的筒状体51般以长径方向与旋转体31的半径方向成为平行的方式配置的情况下，关于旋转体31在筒状体51的下部经过的时间，外周侧短于内周侧。因此，在本实施方式中，在内周侧与外周侧，工件W暴露于等离子体中的时间相同，为了结合处理速率，如上所述，通过遮蔽板582来决定遮蔽等离子体的范围。即，根据调节孔58a的形状，决定暴露于等离子体中的范围。意指所述情况与如下情况为相同含义：在隔离壁58具有设置于与开口Ho对向的位置且调节等离子体处理的范围的遮蔽板582及具有调节等离子体处理的范围的调节孔58a。作为调节孔58a的形状例，可列举扇形或三角形。另外，可通过在不会大于开口Ho的范围内更换扇形或三角形的中心角不同的遮蔽板582来变更遮蔽的范围。隔离壁58优选为包含导电性材料。另外，也可采用电阻低的材料。作为此种材料，可列举铝、不锈钢或铜。也可包含与旋转体31相同的材料，还可包含不同的材料。隔离壁58例如可采用在不锈钢的板状构件的表面喷镀有氧化铝者。隔离壁58与工件W同样地进行等离子体处理并因热而劣化，因此需要进行更换。因此，可根据等离子体处理的内容，利用抗蚀刻剂、抗氧化剂或抗氮化剂进行涂布，由此可减少更换频率。另外，由于与筒部H分离而构成，因此容易进行更换作业。如图3所示，隔离壁58通过支撑构件58b而以非接触地位于对向部h的分散部57与旋转体31之间的方式固定。支撑构件58b是自旋转体31的外侧对隔离壁58的半径方向外侧进行支撑固定的构件。支撑构件58b是柱状的构件，且自内底面20b竖立设置并延伸至高于旋转体31的表面的位置，而对延伸至旋转体31的外缘的外侧的基体581进行支撑。即，筒部H设置于分离结构的真空容器20的一侧即可开闭的顶板20a，相对于此，旋转体31及隔离壁58设置于另一侧即内底面20b。如图7所示，在隔离壁58与工件W之间确保间隔D。其原因在于：容许工件W的经过并且维持内部的气体空间R的压力，例如考虑设为5mm～15mm。但是，在本实施方式中，由于在分散部57与隔离壁58之间产生间隔d，因此为了维持气体空间R的压力，尽可能缩短间隔D，并且优选为即便将间隔D与间隔d合计，也不超过15mm。即，优选为设为5mm≤D+d≤15mm。例如考虑设为间隔D＝间隔d＝5mm左右。进而，如图4及图5所示，隔离壁58具有冷却部(第2冷却部)583。冷却部583是设置于隔离壁58的内部且供冷却水流通的水路。在水路连通有连接于冷却器的供给口与排水口，所述冷却器是循环供给冷却水的冷却水循环装置。通过利用所述冷却器反复进行如下操作，从而将隔离壁58冷却，所述操作为自供给口供给经冷却的冷却水，在水路内流通并自排水口排出。水路包含配管，例如沿支撑构件58b而在内底面20b气密地经过并延伸至真空容器20之外。[负载锁部]负载锁部60是在维持真空室21的真空的状态下，通过未图示的搬送设备，自外部将搭载有未处理的工件W的托盘34搬入至真空室21，并将搭载有处理完的工件W的托盘34搬出至真空室21的外部的装置。所述负载锁部60可应用周知的结构，因此省略说明。[控制装置]控制装置70是对等离子体处理装置100的各部进行控制的装置。所述控制装置70例如可由专用的电子电路或者以规定的程序进行动作的计算机等来构成。即，关于与溅射气体G1及工艺气体G2对于真空室21的导入及排气相关的控制、电源部6、RF电源55a的控制、旋转体31的旋转的控制等，其控制内容已程序化。控制装置70通过可编程逻辑控制器(ProgrammableLogicController，PLC)或中央处理器(CentralProcessingUnit，CPU)等处理装置来执行所述程序，可对应于多种多样的等离子体处理样式。若列举具体经控制的对象，则为如下所述。即，马达32的旋转速度、等离子体处理装置100的初始排气压力、溅射源4的选择、对于靶材41及天线55的施加电力、溅射气体G1及工艺气体G2的流量、种类、导入时间及排气时间、成膜及膜处理的时间等。尤其，在本实施方式中，控制装置70通过控制对于成膜部40的靶材41的电力的施加、来自气体供给部25的溅射气体G1的供给量来控制成膜速率。另外，控制装置70通过控制对于天线55的电力的施加、来自供给部53的工艺气体G2的供给量来控制膜处理速率。参照假想的功能方块图即图11，对用来以所述方式执行各部的动作的控制装置70的构成进行说明。即，控制装置70包括：机构控制部71、电源控制部72、气体控制部73、存储部74、设定部75、输入输出控制部76。机构控制部71是控制排气部23、气体供给部25、供给部53、调节部54、马达32、负载锁部60等的驱动源、电磁阀、开关、电源等的处理部。电源控制部72是控制电源部6、RF电源55a的处理部。例如，电源控制部72个别地控制对靶材41A、靶材41B、靶材41C施加的电力。在欲使成膜速率在工件W的整体中均匀的情况下，考虑所述内周与外周的速度差而以靶材41A＜靶材41B＜靶材41C的方式依次提高电力。即，只要和内周与外周的速度成比例地决定电力即可。但是，成比例的控制为一例，且速度越大，越提高电力，只要以处理速率变得均匀的方式设定即可。另外，针对形成于工件W的欲加厚膜厚的部位，只要提高对于靶材41的施加电力即可，针对欲减薄膜厚的部位，只要减低对于靶材41的施加电力即可。气体控制部73是控制利用调节部54的工艺气体G2的导入量的处理部。此外，气体控制部73也控制溅射气体G1的导入量。存储部74是存储本实施方式的控制中所需的信息的构成部。存储于存储部74的信息包含排气部23的排气量、对各靶材41施加的电力、溅射气体G1的供给量、对天线55施加的电力、供给口512的工艺气体G2的供给量。设定部75是将自外部输入的信息设定于存储部74的处理部。此外，对天线55施加的电力例如通过在旋转体31旋转一次的期间所成膜的所期望的膜厚与旋转体31的旋转速度(rpm)来决定。输入输出控制部76是控制与成为控制对象的各部之间的信号的转换或输入输出的接口(interface)。进而，在控制装置70连接有输入装置77、输出装置78。输入装置77是用来使操作员经由控制装置70来操作等离子体处理装置100的开关、触摸屏、键盘、鼠标等输入设备。例如，可通过输入设备来输入所使用的成膜部40、膜处理部50的选择、所期望的膜厚、各靶材41A～靶材41C的施加电力、来自供给口512的工艺气体G2的供给量等。输出装置78是使用来确认装置的状态的信息呈操作员可视认的状态的显示器、灯、仪表(meter)等输出设备。例如，输出装置78可显示来自输入装置77的信息的输入画面。所述情况下，也可设为以示意图显示靶材41A、靶材41B、靶材41C，并选择各自的位置来输入数值。进而，还可以示意图显示靶材41A、靶材41B、靶材41C，并以数值显示各自所设定的值。[动作]以下，参照所述图1～图11来对如上所述的本实施方式的动作进行说明。此外，虽未进行图示，但等离子体处理装置100是通过输送机、机械臂等搬送设备来进行搭载有工件W的托盘34的搬入、搬送、搬出。多个托盘34通过负载锁部60的搬送设备而依次搬入至真空容器20内。旋转体31使空的保持部33依次移动至自负载锁部60搬入的搬入部位。保持部33对通过搬送设备而搬入的托盘34分别个别地保持。如此，如图2及图3所示，搭载有成为成膜对象的工件W的托盘34全部被载置于旋转体31上。相对于如上所述般导入至等离子体处理装置100的工件W的形成膜的处理以如下方式进行。此外，以下动作是如仅成膜部40A及仅膜处理部50A等般，自成膜部40与膜处理部50中，使各自一个运行来进行成膜及膜处理的一例。但是，也可使多组成膜部40、膜处理部50运行来提高处理速率。另外，利用成膜部40及膜处理部50的成膜及膜处理的一例是形成氮氧化硅的膜的处理。形成氮氧化硅的膜是通过如下方式来进行：每次使硅以原子水平附着于工件W时，一边循环搬送工件W一边反复进行使氧离子及氮离子浸透的处理。首先，真空室21通过排气部23而始终进行排气减压。而且，真空室21达到规定的压力后，如图2及图3所示，旋转体31旋转。由此，被保持部33保持的工件W沿搬送路径T移动并在成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C及膜处理部50A、膜处理部50B之下经过。旋转体31达到规定的旋转速度后，继而，成膜部40的气体供给部25将溅射气体G1供给至靶材41的周围。此时，膜处理部50的供给部53也将工艺气体G2供给至气体空间R。在成膜部40中，电源部6对各靶材41A、靶材41B、靶材41C施加电力。由此，溅射气体G1等离子体化。在溅射源4中，通过等离子体而产生的离子等活性种碰撞靶材41来射出成膜材料的粒子。因此，在经过成膜部40的工件W的表面，在每次所述经过时，成膜材料的粒子堆积而生成膜。在所述例中，形成硅层。通过电源部6对各靶材41A、靶材41B、靶材41C施加的电力以随着自旋转体31的内周侧向外周侧靠近而依次变大的方式设定于存储部74。电源控制部72依据设定于所述存储部74的电力而输出指示以控制电源部6对各靶材41施加的电力。为了进行所述控制，利用溅射的每单位时间的成膜量自内周侧向外周侧越靠近越多，但自内周侧向外周侧越靠近，旋转体31的经过速度越快。结果工件W的整体膜厚变得均匀。此外，工件W即便经过未运行的成膜部40或膜处理部50，也不进行成膜或膜处理，因此未被加热。在所述未被加热的区域中，工件W放出热。此外，未运行的成膜部40例如为成膜部位M4、成膜部位M5。另外，未运行的膜处理部50例如为膜处理部M3。另一方面，经成膜的工件W经过处理单元5中的与筒状体51对向的位置。如图4及图9所示，在处理单元5中，自供给部53经由供给口512而将作为工艺气体G2的氧气及氮气供给至筒状体51，并自RF电源55a对天线55施加高频电压。通过施加高频电压，介隔窗构件52而对气体空间R施加电场，从而生成等离子体。通过所生成的等离子体而产生的氧离子及氮离子碰撞经成膜的工件W的表面，由此浸透至膜材料。遮蔽板582通过大致覆盖开口Ho的外缘部分而在所覆盖的部分遮蔽等离子体。因此，在由调节孔58a所规定的范围内进行等离子体处理。即便使对天线55施加的放电电力上升，支撑部510也通过冷却部56而冷却，因此温度上升得到抑制。另外，分散部57也通过冷却部56而冷却，因此温度上升得到抑制。而且，热传导性高的片材561接触地介隔存在于支撑部510与冷却部56之间，热传导性高的片材562接触地介隔存在于分散部57与冷却部56之间。由此，支撑部510、分散部57的热效率良好地传递至冷却部56。进而，通过由等离子体所产生的氧离子及氮离子发生碰撞，隔离壁58也被加热，但由于与分散部57空开间隔d(参照图7)而分离，因此所述热未传递至分散部57。即便假设隔离壁58发生热变形，也可防止由其所引起的应变传递至分散部57。另外，隔离壁58自身也通过冷却部583而冷却。由此，可抑制由隔离壁58、分散部57、支撑部510的加热所引起的热变形，因此可防止窗构件52的变形或损伤。自供给口512导入的工艺气体G2的每单位时间的流量设定于存储部74。气体控制部73依据设定于所述存储部74的流量而输出指示以使调节部54控制在各配管53a中流通的工艺气体G2的流量。另外，如图5所示，自供给口512供给的工艺气体G2通过碰撞分散板57a而沿分散板57a的垂直面水平扩展，并且自分散板57a的上缘流入至气体空间R。如上所述，由于工艺气体G2分散，因此不存在仅供给口512附近的工艺气体G2的流量极端增大的情况。在如上所述般的形成膜的处理的期间，旋转体31继续旋转并持续循环搬送搭载有工件W的托盘34。如上所述，使工件W循环而反复进行成膜与膜处理，由此在工件W的表面形成氮氧化硅的膜作为化合物膜。经过氮氧化硅的膜成为所期望的膜厚的规定的处理时间后，停止成膜部40及膜处理部50。即，停止利用电源部6的对于靶材41的电力的施加、来自供给口512的工艺气体G2的供给、利用RF电源55a的电压的施加等。如上所述，形成膜的处理完成后，搭载有工件W的托盘34通过旋转体31的旋转而依次定位于负载锁部60，并通过搬送设备而搬出至外部。[作用效果](1)本实施方式包括：真空容器20，可将内部设为真空；搬送部30，设置于真空容器20内，具有搭载工件W并旋转的旋转体31，通过使旋转体31旋转而以圆周的搬送路径循环搬送工件W；筒部H，在一端的开口Ho朝向真空容器20的内部的搬送路径T的方向上延伸存在；窗构件52，设置于筒部H，将真空容器20内的导入有工艺气体G2的气体空间R与外部之间加以划分；以及天线55，配置于气体空间R的外部且为窗构件52的附近，通过施加电力而在气体空间R的工艺气体G2中产生电感耦合等离子体，所述电感耦合等离子体是用来对经过搬送路径T的工件W进行等离子体处理。而且，筒部H具有设置有开口Ho且朝向旋转体31的对向部h，在对向部h与旋转体31之间具有隔离壁58，所述隔离壁58相对于对向部h及旋转体31而非接触且相对于真空容器20而以固定不动的方式介隔存在，在隔离壁58形成有调节孔58a，所述调节孔58a设置于与开口Ho对向的位置且调节等离子体处理的范围。因此，可防止对在筒部H中所构成的将气体空间R与外部之间加以划分的窗构件52带来热变形的影响，且可正确地调整气体空间R与工件W之间的间隔。即，由于隔离壁58相对于对向部h及旋转体31而非接触且相对于真空容器20而以固定不动的方式介隔存在，因此可将隔离壁58与工件W的间隔设为固定。另外，通过将筒部H与隔离壁58形成为不同体，可抑制隔离壁58的热传递至筒部H，并可防止由筒部H的热变形所引起的窗构件52的变形。例如，在本实施方式中，为了结合旋转体31的内周侧与外周侧的处理速率，随着自外周侧向内周侧靠近，调节孔58a的宽度逐渐变小。由此，遮蔽板582遮蔽等离子体的部分的面积向内周越靠近越广。若如上所述般所遮蔽的宽度变广，则吸收等离子体的热的面积增加，因此内周侧的温度变高。如此，自隔离壁58的外周侧向内周侧越靠近，热变形越大。若隔离壁58固定于筒部H内，则所述不均匀的热变形传递至筒部H，从而在支撑窗构件52的部分也产生应变。所述应变传递至窗构件52，从而有窗构件52破损的可能性。在本实施方式中，由于隔离壁58与筒部H分离，因此可防止此种事态。(2)具有对对向部h进行冷却的冷却部56。因此，可防止对向部h的热对窗构件52带来影响。(3)具有对隔离壁58进行冷却的冷却部583。因此，可防止隔离壁58的热变形。(4)真空容器20为分离结构，筒部H设置于真空容器20的所分离的一侧即顶板20a，旋转体31及隔离壁58设置于真空容器20的所分离的另一侧即内底面20b。若假设设为筒部H与隔离壁58为一体的结构(一体结构的筒部)，则在打开真空容器20的顶板20a时，一体结构的筒部会远离旋转体31。与之相反，在关闭顶板20a时，真空容器20被密闭，因此无法观察到一体结构的筒部。因此，难以对一体结构的筒部与旋转体31的间隔进行调整并加以确认。在本实施方式中，由于可与顶板20a的开闭无关地将隔离壁58和旋转体31的间隔设为固定，因此容易进行工件W与隔离壁58的间隔的调整、确认。[变形例](1)如图12及图13所示，隔离壁58与对向部h之间可由密封构件C密封。例如，在隔离壁58的与分散部57对向的面且为包围调节孔58a的整个周形成凹陷部(燕尾槽)U。在所述凹陷部U嵌入无端状的作为密封构件C的O型环。而且，使密封构件C接触于分散部57的底面。由此，隔离壁58与分散部57之间被密封，因此可维持气体空间R的压力。另外，也可防止工艺气体G2扩散至成膜部40。此外，作为密封构件C，也可使用屏蔽指板(ShieldFinger)。由此，可将隔离壁58与分散部57之间密封且可确保导电性，并且可使隔离壁58确实地接地。(2)如图14及图15所示，可在隔离壁58与对向部h之间具有组合非接触的凹凸而成的迷宫式结构B。例如，在隔离壁58的与分散部57对向的面形成环状的槽即凹部Bx。而且，在分散部57形成以非接触进入凹部Bx的凸条By。由此，隔离壁58与分散部57之间的流路曲折，因此工艺气体G2难以流出，从而可维持气体空间R的压力。所述凹凸的组合的数量、大小等并不限定于所述例。此外，如图16所示，也可设置所述(1)的密封构件C的同时，设置迷宫式结构B。由此，可更确实地维持气体空间R的压力。所述情况下，防止密封构件C暴露于等离子体中而受到损伤，因此优选为在迷宫式结构B的外周侧设置密封构件C。所述密封构件C可为O型环，也可为屏蔽指板。(3)隔离壁58的外形可大于筒状体51的外形。例如，如图17(A)所示，将基体581设为扇形，或如图17(B)所示，也可将基体581设为多边形。由此，与设为与筒部H相同的圆筒形状的情况相比，可降低旋转体31与隔离壁58的间隙的电导(conductance)。(4)也可在隔离壁58的与旋转体31对向的面形成以非接触沿工件W的处理对象面的形状。例如，如图18所示，隔离壁58的下表面可结合呈凸状弯曲的工件W的形状而弯曲。另外，隔离壁58的下表面也可结合呈凹状弯曲的工件W的形状而弯曲。由此，在工件W位于隔离壁58的正下方时，可缩窄隔离壁58与旋转体31之间的间隙，且可防止由工艺气体G2的泄漏所引起的压力的降低。另外，通过配置多个工件W并将彼此的间隔缩窄，一个工件W经过后，立即下一工件W过来，从而连续缩窄隔离壁58与旋转体31之间的间隙，因此工艺气体G2更进一步难以泄漏。[其他实施方式]本发明并不限定于所述实施方式，也包含如以下所述般的实施方式。(1)除使用屏蔽指板的情况外，也可对隔离壁施加RF电力。(2)关于成膜材料，可应用可通过溅射来成膜的各种材料。例如，可应用钽、钛、铝等。关于用来形成化合物的材料，也可用各种材料。(3)成膜部中的靶材的数量并不限定于三个。可将靶材设为一个，也可设为两个，还可设为四个以上。通过增多靶材的数量并调节施加电力，可进行更细微的膜厚的控制。另外，可将成膜部设为一个，也可设为两个，还可设为四个以上。可增多成膜部的数量来提高成膜速率。据此，也可增多膜处理部的数量来提高膜处理速率。(4)未必进行成膜部的成膜，也可不具有成膜部。即，本发明并不限定于进行膜处理的等离子体处理装置，可应用于利用通过等离子体而产生的活性种来对处理对象进行处理的等离子体处理装置。例如，也可构成为如下等离子体处理装置：在处理单元中，在气体空间内产生等离子体来进行蚀刻、灰化等表面改质、清洗等。所述情况下，例如考虑将氩气等惰性气体设为工艺气体。(5)筒状体、窗构件、天线的形状也并不限定于所述实施方式中所例示的形状。水平剖面也可为方形、圆形、椭圆形。(6)通过搬送部而同时搬送的托盘、工件的数量、对其加以保持的保持部的数量至少为一个即可，并不限定于所述实施方式中所例示的数量。即，可为循环搬送一个工件W的实施方式，也可为循环搬送两个以上的工件W的实施方式。还可为将两个以上的工件在径方向上排列并循环搬送的实施方式。(7)在所述实施方式中，将旋转体设为旋转平台，但旋转体并不限定于平台形状。也可为在自旋转中心呈放射状延伸的臂上保持托盘或工件并旋转的旋转体。成膜部及膜处理部也可位于真空容器的底面侧，且成膜部及膜处理部与旋转体的上下关系相反。所述情况下，配设有保持部的旋转体的表面在旋转体为水平方向的情况下成为朝向下方的面即下表面。(8)以上，对本发明的实施方式及各部的变形例进行了说明，但所述实施方式或各部的变形例作为一例而提出，并不意图限定发明的范围。所述的这些新颖的实施方式可以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内可进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围或主旨内，并且包含于权利要求所记载的发明内。当前第1页1 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