本发明涉及镀膜工艺，尤其涉及一种改善反光杯性能的镀膜工艺。
背景技术：
反光杯作为灯具的配件，主要起到集中光效的作用，反光杯的反光效果主要看反光杯上的镀膜达到的反射率的优异。
现有的反光杯镀膜前，须要喷uv底油，厚度在16-22nm左右，用于遮盖一部分产品的瑕疵(如合模线，料花)；且须要喷uv底油才能使镀的膜有光泽，如果不喷uv油，电镀层没有光泽且容易脱落。镀膜完成后还需要喷uv面油(厚度在16-22nm)来保护电镀层，使得电镀表面耐磨性能更好。于是造成现有的反光杯镀膜镀层厚，导致产品棱角不清晰、颗粒点多，此外还有油污、发彩、发白、百格脱落等问题，且采用电镀的方式污染严重，成本高。
技术实现要素：
为克服现有技术的缺陷，本发明提出一种改善反光杯性能的镀膜工艺，高光效、膜层稳定性强，且用料少、降低成本。
本发明提出一种改善反光杯性能的镀膜工艺，包括以下步骤：
步骤一、将工件置于加工炉体腔内，抽真空后充入氩气并通过离子电流轰击对工件表面进行清洗；
步骤二、通过化学气相沉积法在离子电流轰击的条件下为工件镀二甲基硅油底膜；
步骤三、通过蒸镀的方式为工件镀铝膜，采用纯度为99.99％的纯铝在1100～1200℃的高温下为工件蒸镀；
步骤四、通过化学气相沉积法在离子电流轰击的条件下为工件镀二甲基硅油保护膜。
进一步地，所述的步骤一的清洗操作，氩气的体积流量控制在200sccm，采用中频电量为2.5a的离子电流，清洗时间为180s，工件的转动频率为10hz。
进一步地，所述的步骤二的镀二甲基硅油底膜操作，二甲基硅油的体积流量控制在150sccm，采用中频电量为1.6a的离子电流，镀膜时间控制在180s，工件的转动频率为10hz。
进一步地，所述的步骤三的镀铝膜操作，其中蒸镀过程分为三段进行，第一段纯铝蒸发的上升时间为8.0s，维持时间为26s，第二段纯铝蒸发的上升时间为8.0s，维持时间为23s，第二段纯铝蒸发的上升时间为6.0s，维持时间为13s，蒸镀过程工件的转动频率为12hz。
进一步地，所述的步骤四的镀二甲基硅油保护膜操作，二甲基硅油的体积流量控制在560sccm，采用中频电量为1.8a的离子电流，镀膜时间控制在220s，工件旋转震动频率为10hz。
进一步地，所述二甲基硅油的粘度为0.65cst。
本发明的有益效果：
本发明的镀膜过程都在同一内腔真空环境下完成，避免转移影响膜层成型；本发明通过在氩气条件下的离子电流轰击，处理工件表面杂质、活化表面效果，减少硅油用量，加强镀膜层牢固作用不容易脱落；二甲基硅油底膜采用化学气相沉积镀膜加强产品表面镀膜粘固，增加铝膜光泽效果，提高反光效果；起主要反光作用的铝膜采用高纯度的铝材进行蒸发镀膜，分三段进行，膜层薄且均匀致密性高，反光效果好，解决了电镀膜层厚度不均的问题；二甲基硅油保护膜采用离子束增加化学气相与铝膜的附着力及膜层致密性，加强对产品表面的保护，使其不容易氧化腐蚀、割伤。采用本发明的工艺制得的成品反光率达到95％以上，大大提高led光的利用率，且节约用料降低生产成本，镀膜过程无有毒废弃料产生，对环境无污染。
具体实施方式
如下，对
本技术：
方案作进一步描述：
一种改善反光杯性能的镀膜工艺，包括以下步骤：
步骤一、将工件置于加工炉体腔内，抽真空后充入氩气并通过离子电流轰击对工件表面进行清洗，进行真空放电处理工件表面杂质、还具有活化表面的效果；氩气的体积流量控制在200sccm，清洗时间为180s，工件的转动频率为10hz。
步骤二、通过化学气相沉积法在离子电流轰击的条件下为工件镀二甲基硅油底膜，二甲基硅油的体积流量控制在150sccm，采用中频电量为1.6a的离子电流，镀膜时间控制在180s，工件的转动频率为10hz。
步骤三、通过蒸镀的方式为工件镀铝膜，采用纯度为99.99％的纯铝在1100～1200℃的高温下为工件蒸镀，蒸镀过程分为三段进行，第一段纯铝蒸发的上升时间为8.0s，维持时间为26s，第二段纯铝蒸发的上升时间为8.0s，维持时间为23s，第二段纯铝蒸发的上升时间为6.0s，维持时间为13s，蒸镀过程工件的转动频率为12hz。
步骤四、通过化学气相沉积法在离子电流轰击的条件下为工件镀二甲基硅油保护膜，二甲基硅油的体积流量控制在560sccm，采用中频电量为1.8a的离子电流，镀膜时间控制在220s，工件旋转震动频率为10hz。
具体的，所述二甲基硅油的粘度为0.65cst。优选美国道康宁公司型号为pmx-200的二甲基硅油。
1、上述工艺制得的成品的总体膜层厚度为18-25nm，降低用料，节约成本。
2、将上述工艺制得的成品进行百格测试，达到4b等级，膜层牢固。
3、将上述工艺制得的成品通过光线分布仪测试反光率达到95％以上(而普通的反光杯最高只能达到92％)，显著提高led光的利用率。
上述优选实施方式应视为本申请方案实施方式的举例说明，凡与本申请方案雷同、近似或以此为基础作出的技术推演、替换、改进等，均应视为本专利的保护范围。