改善柔性基板切割毛刺的方法与流程

本发明涉及柔性基板的制备工艺技术领域，特别是涉及改善柔性基板切割毛刺的方法。

背景技术：

柔性基板如彩色滤光片基板在制作过程中，为了方便后期的绑定可以在tft基板(thinfilmtransistor，薄膜晶体管基板)上顺利的进行，需要事先在cf基板(colorfilter，彩色滤光片基板)上进行预切割，暴露出tft基板上的bonding位(打线位)。在预切割后经过odf制程(onedropfilling，液晶滴下制程)，随后在切割裂片之后去掉cf基板上多余的部分。

但是，因为预切割时，cf基板结构的限制，在经过预切割后会导致在切缝两边形成大量很高的毛刺，影响odf等制程的顺利进行，使产品良品率下降。

技术实现要素：

基于此，有必要针对上述问题，提供一种改善柔性基板切割毛刺的方法，，在不损伤柔性基板情况下，有效改善毛刺，利于后续制程的顺利进行，提高了产品良率。

一种改善柔性基板切割毛刺的方法，用于削减或消除柔性基板预切割后于切割口处产生的毛刺，采用抛光方法削减或消除毛刺，包括以下步骤：

将具有毛刺的柔性基板沿毛刺延伸的方向逐渐靠近抛光盘，使毛刺与抛光盘的抛光面接触，并随着毛刺高度的削减将所述柔性基板逐渐靠向抛光盘，至该处的毛刺高度削减至要求的高度，或者消除毛刺；然后沿多个毛刺排列的方向移动柔性基板，按前述操作继续抛光，直至将所有毛刺削减或消除。

上述改善柔性基板切割毛刺的方法，经过验证发现，在预切割后，柔性基板的其中一侧面于切割口处会形成大量毛刺，该毛刺可以通过抛光方法处理，来降低毛刺的高度，甚至消除毛刺，使柔性基板可以满足后续工序的板面平整的要求，在很大程度上提高柔性基板的良品率，以及后续工序的良率，进而提高了生产效益。

在其中一个实施例中，抛光盘的直径为50mm～150mm。

在其中一个实施例中，，抛光盘的转速为70±1r/min。

在其中一个实施例中，每一处毛刺的抛光时间为20±3min。

在其中一个实施例中，抛光盘为尼龙抛光轮。

在其中一个实施例中，尼龙抛光轮的粒度≥120目。

在其中一个实施例中，抛光在湿度为50％～70％，温度为22±3℃的环境下进行。

在其中一个实施例中，抛光后采用ap清洗剂和/或水清洗。

在其中一个实施例中，抛光后采用ap清洗剂和水的混合溶液清洗，混合溶液中ap清洗剂的含量为3％wt～5％wt。

在其中一个实施例中，柔性基板为彩色滤光片基板或阵列基板。

附图说明

图1为第一个实施例中的柔性基板消除毛刺前的示意图；

图2为图1柔性基板削减毛刺后的示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

经过验证发现，在预切割后，柔性基板的其中一侧面于切割口处会形成大量毛刺，影响后续的工序进行。本发明提供了一种改善柔性基板切割毛刺的方法，采用抛光方法处理，可削减毛刺的高度，或消除毛刺，使柔性基板可以满足后续工序的板面平整的要求，在很大程度上提高柔性基板的良品率，以及后续工序的良率，进而提高了生产效益。

一个实施例中，改善柔性基板切割毛刺的方法包括以下步骤：

将具有毛刺的柔性基板沿毛刺延伸的方向逐渐靠近抛光盘，使毛刺与抛光盘保持接触，较优地，高度最高的毛刺的端面与抛光盘的抛光面相切，并随着毛刺高度的削减，将柔性基板逐渐靠近抛光盘，至该处的毛刺高度削减至要求的高度，或者消除毛刺。然后沿多个毛刺排列的方向移动柔性基板，按上述操作继续抛光，直至将所有毛刺削减或消除。

一个实施例中，抛光盘的直径为50mm～150mm，抛光盘的直径例如可以为，但不限于50mm、100mm或150mm等，抛光盘的直径小于50mm时，不好操作，可能会影响抛光的准确性；抛光盘的直径大于150mm时，抛光面覆盖较宽，不利于观察毛刺的削减情况，且有可能会损伤柔性基板的其它部位。

一个实施例中，抛光盘的转速为70±1r/min，抛光盘的转速例如可以为，但不限于69r/min、69.5r/min、70r/min、70.5r/min或71r/min等，抛光盘的转速小于69r/min时，影响抛光效率；由于毛刺较软，抛光盘的转速大于71r/min时，转速较快，不利于控制抛光的精确度。

一个实施例中，每一处毛刺的抛光时间为20±3min，可根据毛刺的高度和削减的速度调节合适的抛光时间。

一个实施例中，抛光盘为尼龙抛光轮，尼龙抛光轮切削力强，硬度适中，适合硬度较软的柔性基板的抛光，且不损伤柔性基板。较优地，尼龙抛光轮的粒度≥120目，尼龙抛光轮的粒度例如可以为，但不限于120目、150目、180目、240目、320目、400目或400目以上等，尼龙抛光轮的粒度大，则对应颗粒径小，抛光后纹路较细，以保证柔性基板的平整度，防止柔性基板在被抛光后形成粗纹路，而形成新的品质不良。

一个实施例中，抛光在湿度为50％～70％，温度为22±3℃的环境下进行，以防止抛光过程中累积静电，影响抛光效果。

抛光后采用ap清洗剂和/或水清洗，即可以采用ap清洗剂，或水，或ap清洗剂和水的混合溶液清洗，除去抛光后留在柔性基板表面的细屑。ap清洗剂如ap760清洗剂。采用ap清洗剂和水的混合溶液清洗时，混合溶液中ap清洗剂的含量为3％wt～5％wt，效果最佳。

一个实施例中，柔性基板包括绝缘层，毛刺位于绝缘层的切割口处。绝缘层采用有机高分子材料制成，例如环氧树脂或亚克力树脂等。进一步地，柔性基板可以为cf基板，包括基材、柔性底衬及绝缘层，基材与绝缘层分别贴附于柔性底衬的两侧，预切割为主要切割柔性底衬与绝缘层，形成切割口，切割后绝缘层于切割口处产生毛刺。由于绝缘层为有机高分子材料，根据其材料特性可以采用抛光处理削减或消除毛刺。

柔性基板还可以是阵列基板，如tft阵列基板，阵列基板的绝缘层上的毛刺亦可采用抛光处理的方法削减或消除。

以下为具体实施例说明。

实施例1

本实施例的柔性基板100为cf基板，柔性基板100预切割后，且未改善毛刺前，其结构如图1所示，柔性基板100包括基材40、柔性底衬30及绝缘层20，基材40与绝缘层20分别贴附于柔性底衬30的两侧，绝缘层20采用环氧树脂材料制成。预切割为切割柔性底衬30与绝缘层20，切割处形成切割口，切割后绝缘层于切割口处产生毛刺10。本实施例的抛光盘是直径为50mm的尼龙抛光轮，尼龙抛光轮的粒度为400目。

采用抛光方法改善上述柔性基板切割毛刺，包括以下步骤：

设置抛光盘的转速为70r/min，控制环境的湿度为50％～55％，温度为22±1℃的环境。

将柔性基板100沿毛刺10延伸的方向逐渐靠近抛光盘，使高度最高的毛刺10的端面与抛光盘的抛光面相切，并随着毛刺10高度的削减，柔性基板100逐渐靠近抛光盘，每一处毛刺10的抛光时间为约20min，至该处的毛刺10高度削减至如图2所示的高度。然后沿多个毛刺10排列的方向移动柔性基板100，按上述操作继续抛光，直至将所有毛刺10削减或消除。

抛光后采用ap760清洗剂和水的混合溶液清洗柔性基板100，混合溶液中ap清洗剂的含量为3％wt。

实施例2

本实施例的柔性基板为cf基板，柔性基板预切割后，且未改善毛刺前，柔性基板包括基材、柔性底衬及绝缘层，基材与绝缘层分别贴附于柔性底衬的两侧，绝缘层采用环氧树脂材料制成。预切割为切割柔性底衬与绝缘层，切割处形成切割口，切割后绝缘层于切割口处产生毛刺。本实施例的抛光盘是直径为100mm的尼龙抛光轮，尼龙抛光轮的粒度为320目。

采用抛光方法改善柔性基板切割毛刺，包括以下步骤：

设置抛光盘的转速为71r/min，控制环境的湿度为60％～70％，温度为约24℃的环境。

将柔性基板沿毛刺延伸的方向逐渐靠近抛光盘，使高度最高的毛刺的端面与抛光盘的抛光面相切，并随着毛刺高度的削减，柔性基板逐渐靠近抛光盘，每一处毛刺的抛光时间为约17min，至该处的毛刺高度消除。然后沿多个毛刺排列的方向移动柔性基板，按上述操作继续抛光，直至将所有毛刺削减或消除。

抛光后采用水清洗柔性基板。

实施例1及实施例2的柔性基板的毛刺均获得良好的改善，毛刺削减至需要的高度，且柔性基板没有损坏，利于后续的odf等制程的顺利进行。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。