技术特征：
技术总结
本发明提供一种氧化硅薄膜的低温制备方法，在0～300℃温度范围内，以微波等离子体作为能量源，包含硅源的第一反应物与氧化性反应气体产生的氧自由基反应，形成氧化硅薄膜。在微波条件下，氧化性反应气体可以产生大量氧自由基，有助于生长高质量的薄膜；同时，由于没有偏转电场，因此大大减少了对器件表面或光刻胶的破坏。100℃下，通过微波产生的等离子体PEALD制备的SiO薄膜，在100:1的HF溶液中，其蚀刻速率为3～4A/sec，与350℃下、射频PEALD沉积的SiO薄膜的湿蚀刻速率相当。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：合肥安德科铭半导体科技有限公司
技术研发日：2018.11.27
技术公布日：2019.03.19