掩膜版的制作方法

文档序号:16349148发布日期:2018-12-21 19:48阅读:475来源:国知局
掩膜版的制作方法

本实用新型涉及显示面板制备领域,特别是涉及掩膜版。



背景技术:

目前OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)采用真空蒸镀技术制备有机发光层。在器件制备过程中,有机材料通过高温蒸镀淀积在位于蒸发源上方的基板上,为使有机材料按照设计蒸镀到特定的位置上,需要使用高精度金属掩膜版,掩膜版(即高精度金属掩膜版)上留有预先设计好的有效开口区域,通过该有效开口区域,有机材料沉积到背板上面,形成预设图形。其中,有效开口区域内分布有多个蒸镀开口,以允许蒸镀材料通过。

在实际生产中,发明人发现,采用现有技术中的掩膜版,蒸镀的有机材料与背板上设计的像素位置容易出现偏差,影响产品的性能。



技术实现要素:

基于此,本实用新型提供了一种掩膜版,解决了蒸镀的有机材料与背板上设计的像素位置出现偏差的问题,提高了产品性能。

一种掩膜版,当所述掩膜版被拉伸的方向为第一方向,垂直于所述第一方向的方向为第二方向时,所述掩膜版分布有沿所述第一方向和所述第二方向排列成排的像素开口,在所述第一方向上相邻的两排像素开口中的像素开口在所述第二方向上彼此错开,并且在所述第一方向上相邻的两个所述像素开口之间的在所述第一方向上的间距小于在所述第二方向上的间距。

在其中一个实施例中,所述像素开口的形状为被倒角的两条对角线分别沿所述第一方向和所述第二方向延伸的菱形。

在其中一个实施例中,所述像素开口被倒角成在所述第一方向包括弧形的第一圆角,在所述第二方向包括弧形的第二圆角。

在其中一个实施例中,所述第二圆角的曲率半径大于所述第一圆角的曲率半径。

在其中一个实施例中,所述第二圆角的曲率半径小于所述第一圆角的曲率半径的两倍。

在其中一个实施例中,所述像素开口被倒角成在所述第二方向上包括夹角过渡部,所述夹角过渡部包括第一边、第二边和第三边,所述第一边和所述第二边为所述菱形的两条相邻的边,所述第三边连接所述第一边和所述第二边。

在其中一个实施例中,所述第三边的长度大于所述菱形的边长的0.1倍且小于所述菱形的边长的0.5倍。

在其中一个实施例中,所述像素开口被倒角成在所述第一方向上包括弧形的第三圆角。

上述掩膜版在使用过程中,在第一方向上对掩膜版施加拉力,将其张网焊接于边框上,在张网过程中掩膜版在第一方向上受到的力较大,而相邻两个像素开口之间在第二方向上的第二间距大于第一方向上的第一间距,为沿第一方向传递的拉力提供较宽的传输通道,使掩膜版上承受拉力的受力面积变大,拉力的传输更加顺畅,掩膜版不容易在拉力作用下产生褶皱,防止像素开口与背板上设计的像素位置异位,避免蒸镀的有机材料混色,提高产品性能。

附图说明

图1为本实用新型一实施例中掩膜版的结构示意图;

图2为本实用新型另一实施例中掩膜版的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

正如背景技术所述,采用现有技术中的掩膜版,容易出现蒸镀的有机材料与背板上设计的像素位置出现偏差的问题,特别是对于开槽(notch)产品,由于两端不对称,产品整体的褶皱会更大。发明人研究发现,出现这种问题的根本原因在于,当在掩膜版上开设多个开口较大的蒸镀开口时,力的传输不够顺畅,掩膜版容易褶皱,从而导致掩膜版上的各个像素开口的伸展程度不同,容易出现掩膜版上的蒸镀开口与背板玻璃上设计的像素位置异位、在蒸镀工艺中使蒸镀的有机材料偏位的现象。

如图1-2所示,基于以上原因,本实用新型一实施例中公开了一种掩膜版100,该掩膜版100上分布有多个像素开口10,多个像素开口10排列为多排,在拉伸掩膜版100的第一方向(图中的由F代表的方向)上相邻两个像素开口10之间的间距为第一间距X,在与第一方向垂直的第二方向上相邻两个像素开口10之间的间距为第二间距Y,第一间距X小于第二间距Y。

上述掩膜版100在使用过程中,在第一方向上对掩膜版100施加拉力(如图中的F所示),将其张网焊接于边框上,在张网过程中掩膜版100在第一方向上受到的力较大,而相邻两个像素开口10之间在第二方向上的第二间距Y大于第一方向上的第一间距X,这为沿第一方向传递的拉力提供较宽的传输通道,使掩膜版上承受拉力的受力面积变大,拉力的传输更加顺畅,掩膜版不容易在拉力作用下产生下垂和褶皱,防止像素开口与背板上设计的像素位置异位,避免蒸镀的有机材料混色,提高产品性能。

在一个实施例中,像素开口10的形状为大致菱形(在图中为倒角菱形),多个菱形的像素开口10排列为多排。进一步地,相邻两排像素开口10中的像素开口10相互错开相等距离地设置,使掩膜版100在第二方向上的强度更加均匀。

如图1所示,在其中一个实施例中,大致菱形的像素开口10的第一对角线和第二对角线(未示出)分别沿第一方向和第二方向延伸,像素开口10的四个顶点被倒角成弧形的圆角。像素开口10包括位于第一方向上的第一圆角R1和位于第二方向上的第二圆角R2,第二圆角R2的曲率半径大于第一圆角R1的曲率半径,使第二圆角R2距离菱形像素开口10中心的距离较小,像素开口10在第二方向上的开口范围较小,相邻两个像素开口10在第二方向上的第二间距Y较大,这为沿第一方向传递的拉力提供更宽的传输通道,掩膜版10承受拉力的受力面积变大,拉力的传输更加顺畅,减小拉力引起掩膜版100褶皱的现象,并且利用该掩膜版,能够提高蒸镀良率,增大蒸镀得到的产品的PPI。

具体地,像素开口10在第二方向上包括两个相对的第二圆角R2,两个第二圆角R2中至少一者的曲率半径大于第一圆角R1的曲率半径。对于菱形的像素开口10,当第二圆角R2的曲率半径大于第一圆角R1的曲率半径时,像素开口10在第二方向上的开口范围变小,相邻两个像素开口10在第二方向上的间距变大,便可提供更宽的拉力传输通道。

进一步地,像素开口10同一侧的第二圆角R2的曲率半径大于第一圆角R1的曲率半径。例如,每个像素开口10左侧第二圆角R2的曲率半径大于第一圆角R1的曲率半径,或者每个像素开口10右侧第二圆角R2的曲率半径大于第一圆角R1的曲率半径,均匀地加宽掩膜版100第二方向上的第二间距Y,力的传输更加均匀。或者,多个像素开口10两侧的两个第二圆角R2的曲率半径均大于第一圆角R1的曲率半径。例如在图1中,每个像素开口10左右两侧的第二圆角R2均变大,像素开口10两侧与相邻像素开口10之间的间距均变大,进一步加宽第二间距Y。

具体地,第二圆角R2的曲率半径小于第一圆角R1曲率半径的两倍,同时第二圆角R2的曲率半径大于第一圆角R1的曲率半径,即R1<R2<2R1,使第二圆角R2变大的曲率半径适量,以达到较优的消除褶皱效果。可选地,第一圆角R1=12um,第二圆角R2=16um,第一间距X=1.49um,第二间距Y=5.23um。当如此设置时,相比于像素开口的圆角R均为12um,两个相邻像素开口在第一方向和第二方向上的间距均为1.49um的情况相比,仿真结果显示褶皱减小了30%。

如图2所示,在其中又一实施例中,大致菱形的像素开口10的第一对角线和第二对角线(未示出)分别沿第一方向和第二方向延伸,四个顶点中的位于第一方向上的两个顶点被倒角成弧形的圆角,位于第二方向上的两个顶点被以直线切除的方式倒角。像素开口10包括位于第二方向上的夹角过渡部12,夹角过渡部12包括第一边121、第二边123及第三边125,第三边125连接于第一边121和第二边123之间,以此使像素开口10在第二方向上的开口范围变小,相邻两个像素开口10在第二方向上的间距变大,这为沿第一方向传输的拉力提供更宽的传输通道,提升了掩膜版的稳定性。

具体地,第三边125与第一方向平行设置,使像素开口10整体的轮廓边界更加规则,避免像素开口10受力不均而褶皱。进一步地,未被倒角的像素开口10的边长为D,第三边125的长度为L,第三边125的长度大于0.1倍边长D,且小于0.5倍边长D,即0.1D<L<0.5D,使第三边125的长度L在该数值范围内,以达到减小褶皱的较优效果。可选地,第三边125的长度L=5.31um,第一间距X=1.49um,第二间距Y=7.23um。

进一步地,像素开口10在第一方向上包括两个相对的第三圆角R3,并且可以将像素开口10的第二方向上的两个顶点中的至少一个顶点倒角成夹角过渡部12。例如,可以将像素开口10的第二方向上的两个顶点中的位于左侧的那个顶点倒角成夹角过渡部12,或者可以将像素开口10的第二方向上的两个顶点中的位于左侧的那个顶点倒角成夹角过渡部12。可以将像素开口10的第二方向上的两个顶点均倒角成夹角过渡部12,两个夹角过渡部12的两个第三边125长度相同。即,将菱形像素开口10第二方向上相对的两个夹角均进行倒角,使像素开口10相对第一方向的中心线对称,像素开口10的轮廓边界较为规则,像素开口10边缘受力均匀,掩膜版100不易褶皱。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

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