技术总结
一种制备具有高次级发射性能的氧化镁基薄膜的设备和方法，该设备包括热蒸镀真空室以及安装在真空室内的热蒸镀源物质、钨舟和基底材料，还包括真空管式炉以及配套的气体流量控制器、微调针型阀和氧气。经过热蒸镀在基底材料表面沉积金属或合金薄膜，之后在真空管式炉中通以微量氧气，维持管内真空在5～100Pa，温度400～650℃，进行热活化处理，从而获得次级发射系数高且发射稳定的氧化镁基薄膜，薄膜厚度约为100nm～1μm。此方法工艺简单，薄膜结构、成分可调，次级发射性能稳定，不需要使用昂贵的离子源或电子枪，有望开发应用于光电倍管、图像增强器、等离子平板显示器等领域。
技术研发人员：周帆;梁轩铭;王金淑;邓琦键;王蕊;杨韵斐;杨灏天;李菲祺
受保护的技术使用者：北京工业大学
技术研发日：2019.12.17
技术公布日：2020.03.24