一种导电稳定的化渣包导电体的制作方法

本实用新型涉及一种双极串联电渣炉生产前期的化渣包导电体，属于化渣炉设备技术领域。

背景技术：

电渣炉是一种利用重熔电流产生热能熔化插入渣池的自耗电极，金属熔滴通过渣液清洗后，在水冷结晶器中结晶成电渣锭的一种特殊冶炼设备，其中包括双极串联电渣炉。电渣炉在生产前期需要在化渣炉中把渣料注入化渣包内进行加热融化，渣料温度达1650度左右时，再注入电渣炉结晶器内腔中进行电极熔炼。化渣包的作用是将固态（粉状或块状）渣料通过石墨电极加热熔化成液态，实现电渣炉液渣启动。化渣炉属于单极串联供电方式，就是电极通过化渣包内的导电渣料、包内的导电碳砖、包底的导电体再与导电底水箱接触而形成一种串联供电方式，把保内的渣料进行熔化。

目前，化渣包内的包底的导电体为分体式结构，由材质为CuT2铸造而成，导电体由￠1300mmx50mm圆盘和650mmx650mmx140mm方箱组合而成，圆盘和方箱通过四周12条M30x70mm螺栓连接。在化渣生产过程中，化渣包内温度高达1650℃，而导电体由于为组合结构，圆盘和方箱连接处接触不够严密，存在间隙，导致接触的铜板发红氧化，电流通过连接螺栓导电，螺栓打火易熔化、断裂，严重时会造成圆盘和方箱接触面熔化，使得导电体报废，极大地影响了生产的顺利进行，也增加了备件成本费用。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种导电稳定的化渣包导电体，这种化渣包导电体在渣料包内起弧时，导电稳定、起弧可靠，可以避免化渣包底部导电体打火，延长化渣包底部导电体的使用寿命。

解决上述技术问题的技术方案是：

一种导电稳定的化渣包导电体，它由两个扁圆柱体组成阶梯状圆盘，两个扁圆柱体同轴铸造为一体，上部扁圆柱体的直径大于下部扁圆柱体的直径，上部扁圆柱体的直径小于化渣包内壁的直径，放置于化渣包底部，被石墨碳砖压实固定，下部扁圆柱体与导电底水箱直接接触，在上部扁圆柱体的圆周上均布有多个垂直于上部扁圆柱体平面的吊装孔，在下部扁圆柱体的圆周均布有多个排气孔，多个排气孔垂直穿过下部扁圆柱体和上部扁圆柱体平面。

上述导电稳定的化渣包导电体，所述导电体由CuT2材质铸造而成，在上部扁圆柱体圆周上的吊装孔为3-6个，在下部扁圆柱体圆周上的排气孔为4-7个，吊装孔与导电体中心轴线的距离为900-1100mm，排气孔与导电体中心轴线的距离为350-450mm，在导电体中心轴线处有一个排气孔。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型由原来的分体结构改为整体结构，有效地避免了分体结构的导电体紧固螺栓受热预紧不均导致的两个部件接触面高温氧化现象，消除了由于导电不良造成导电体损坏的根本原因；吊装孔和排气孔便于化渣作业时排气，防止导电体因高温受热而发生变形。

本实用新型结构简单、构思新颖、实用性强，渣料在包内起弧时，导电稳定、起弧可靠，可以避免化渣包底部导电体打火，延长了化渣包底部导电体的使用寿命。据统计，每年可以节约备件和维修费用21.8万元。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是图1的俯视图。

图中标记如下：上部扁圆柱体1、下部扁圆柱体2、吊装孔3、排气孔4。

具体实施方式

图中显示，本实用新型是两个扁圆柱体组成阶梯状圆盘，两个扁圆柱体同轴铸造为一体，由CuT2材质铸造而成。导电体采用整体结构，可以从根本上避免了分体结构的导电体紧固螺栓受热预紧不均导致的两个部件接触面高温氧化现象，解决了因导电不良造成导电体损坏的问题。

图中显示，上部扁圆柱体1的直径大于下部扁圆柱体2的直径，上部扁圆柱体1的直径小于化渣包内壁的直径，放置于化渣包底部，被石墨碳砖压实固定，下部扁圆柱体2与导电底水箱直接接触。

图中显示，在上部扁圆柱体1的圆周上均布有3-6个垂直于上部扁圆柱体1平面的吊装孔3，吊装孔3与导电体中心轴线的距离为900-1100mm。

图中显示，在下部扁圆柱体2的圆周均布有4-7个排气孔4，在导电体中心轴线处有一个排气孔4，排气孔4垂直穿过下部扁圆柱2和上部扁圆柱体1平面，排气孔4与导电体中心轴线的距离为350-450mm。

吊装孔3和排气孔4便于化渣作业时排气，防止导电体因高温受热而发生变形。

本实用新型结构简单、构思新颖、实用性强、导电稳定可靠，有效保障了生产顺序和备件成本费用节约。原来的分体式导电体使用5炉次左右，需要在上线生产前紧固螺栓，使用10炉次左右需要下线解体修磨两个铜板接触面，更换预紧螺栓。本实用新型克服了分体导电体的缺点，导电体新品15.8万，修复一件1.2万，按照年损坏1件导电体，修复5件导电体计算，年节约15.8万+6万=21.8万元。

本实用新型的一个实施例如下：

上部扁圆柱体1为￠1280mmx50mm；

下部扁圆柱体2为￠650mmx140mm；

吊装孔3为三个，直径24mm，距离导电体中心轴线为1000mm；

排气孔4为五个，直径20mm，四个在圆周，距离导电体中心轴线为400mm，一个在导电体中心轴线上。