出气板及进气装置的制作方法

本技术涉及ald镀膜，尤其涉及出气板及进气装置。

背景技术：

1、ald(原子层沉积)技术是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应室并在沉积基体上发生表面化学反应形成薄膜的一种技术，该技术是将物质以单原子膜的形式一层一层地沉积在基体表面。ald的进气装置是ald设备的核心组件之一，会影响沉积效果。

2、进气装置通常用于将不同的气体进行均匀混合，但是有机源气体和氧源气体在高温中会发生反应，产生粉尘，在实际使用过程中，不同的气体在反应室中反应后经过出气孔流出，少量气体横向窜动在出气板的表面也可能产生一定的粉尘，这些粉尘会堆积在出气孔处，导致出气孔堵塞，不仅会降低生产效率，而且还会增加清理难度。

3、因此，亟需一种出气板及进气装置以解决上述问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种出气板及进气装置，该出气板能够避免氧源气体和有机源气体混合产生的粉尘堵塞出气板的出气槽，不仅能够降低出气不畅的隐患，提升硅片的沉积效果，还能够便于清理，降低维保的频次。

2、为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

3、出气板，所述出气板至少开设有第一出气槽和第二出气槽，所述第一出气槽用于输出第一反应源，所述第二出气槽用于输出第二反应源，且所述第一出气槽与所述第二出气槽不同时输出反应源，至少部分所述第一出气槽的外周设置有第一沉积部，至少部分所述第二出气槽的外周设置有第二沉积部。

4、作为一种可选的技术方案，所述第一出气槽与所述第二出气槽均为长孔。

5、作为一种可选的技术方案，所述第一出气槽与所述第二出气槽均设置有多个，多个所述第一出气槽与多个所述第二出气槽平行且间隔设置。

6、作为一种可选的技术方案，所述第一沉积部包括第一沉积槽，所述第一出气槽的两侧均设置有所述第一沉积槽，所述第二沉积部包括第二沉积槽，所述第二出气槽的两侧均设置有所述第二沉积槽。

7、作为一种可选的技术方案，位于所述第一出气槽两侧的两个所述第一沉积槽与所述第一出气槽的距离相等，且位于所述第二出气槽两侧的两个所述第二沉积槽与所述第二出气槽的距离相等。

8、作为一种可选的技术方案，至少所述第二沉积槽靠近所述第二出气槽的一侧的侧壁具有倾斜面。

9、作为一种可选的技术方案，位于所述第二沉积槽两侧的两个所述第二沉积槽的两个所述倾斜面首尾连接形成环形沉积面。

10、作为一种可选的技术方案，所述第一沉积槽与所述第二沉积槽均设置有至少一个加强筋。

11、作为一种可选的技术方案，所述出气板开设有连接孔。

12、本实用新型还采用以下技术方案：

13、进气装置，所述进气装置包括如上述的出气板。

14、本实用新型的有益效果：

15、本实用新型公开一种出气板，该出气板沿气体的输送方向设置于匀流板的下游，出气板开设有第一出气槽和第二出气槽，第一出气槽用于输出第一反应源，第二出气槽用于输出第二反应源，且第一出气槽与第二出气槽不同时输出反应源，至少部分第一出气槽的外周设置有第一沉积部，至少部分第二出气槽的外周设置有第二沉积部。这种出气板不同时输入反应源，设置的第一沉积部能够将残留的第二反应源进行沉积，使得第二反应源与后输入的第一反应源混合产生的粉尘沉积至第一沉积部，而设置的第二沉积部能够将残留的第一反应源进行沉积，使得第一反应源与后输入的第二反应源混合产生的粉尘沉积至第二沉积部，避免粉尘堵塞出气板的出气槽，降低出气不顺的隐患，提高硅片沉积的效果，且便于维护清理，降低维保频次。

16、本实用新型还公开一种进气装置，包括上述的出气板，该出气板能够有效避免出现出气不畅的问题，且能够便于维护清理，降低维保频次。

技术特征：

1.出气板，其特征在于，所述出气板(1)开设有第一出气槽(10)和第二出气槽(20)，所述第一出气槽(10)用于输出第一反应源，所述第二出气槽(20)用于输出第二反应源，且所述第一出气槽(10)与所述第二出气槽(20)不同时输出反应源，至少部分所述第一出气槽(10)的外周设置有第一沉积部，至少部分所述第二出气槽(20)的外周设置有第二沉积部。

2.根据权利要求1所述的出气板，其特征在于，所述第一出气槽(10)与所述第二出气槽(20)均为长孔。

3.根据权利要求2所述的出气板，其特征在于，所述第一出气槽(10)与所述第二出气槽(20)均设置有多个，多个所述第一出气槽(10)与多个所述第二出气槽(20)平行且间隔设置。

4.根据权利要求3所述的出气板，其特征在于，所述第一沉积部包括第一沉积槽(11)，所述第一出气槽(10)的两侧均设置有所述第一沉积槽(11)，所述第二沉积部包括第二沉积槽(21)，所述第二出气槽(20)的两侧均设置有所述第二沉积槽(21)。

5.根据权利要求4所述的出气板，其特征在于，位于所述第一出气槽(10)两侧的两个所述第一沉积槽(11)与所述第一出气槽(10)的距离相等，位于所述第二出气槽(20)两侧的两个所述第二沉积槽(21)与所述第二出气槽(20)的距离相等。

6.根据权利要求5所述的出气板，其特征在于，至少所述第二沉积槽(21)靠近所述第二出气槽(20)的一侧的侧壁具有倾斜面。

7.根据权利要求6所述的出气板，其特征在于，位于所述第二沉积槽(21)两侧的两个所述第二沉积槽(21)的两个所述倾斜面首尾连接形成环形沉积面(23)。

8.根据权利要求4-7任一项所述的出气板，其特征在于，所述第一沉积槽(11)与所述第二沉积槽(21)均设置有至少一个加强筋(24)。

9.根据权利要求1所述的出气板，其特征在于，所述出气板(1)开设有连接孔(30)。

10.进气装置，其特征在于，所述进气装置包括如权利要求1-9任一项所述的出气板(1)。

技术总结
本技术属于ALD镀膜技术领域，公开了出气板及进气装置。该出气板沿气体的输送方向设置于匀流板的下游，出气板开设有第一出气槽和第二出气槽，第一出气槽用于输出第一反应源，第二出气槽用于输出第二反应源，第一出气槽与第二出气槽不同时输出，至少部分第一出气槽的外周设置有第一沉积部，至少部分第二出气槽的外周设置有第二沉积部。第一沉积部能够将残留的第二反应源沉积，使第二反应源与后输入的第一反应源产生的粉尘沉积至第一沉积部，而第二沉积部能够将残留的第一反应源进行沉积，使第一反应源与后输入的第二反应源混合产生的粉尘沉积至第二沉积部，避免粉尘堵塞出气板的出气槽，降低出气不顺的隐患，且便于维护清理，降低维保频次。

技术研发人员：戴佳,朱鹤囡,董雪迪,张武,林佳继
受保护的技术使用者：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
技术研发日：20230425
技术公布日：2024/1/14