一种新型单坩埚e型电子枪的结构的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及光学设备技术领域，尤其设及一种新型单相蜗e型电子枪的结构。
【背景技术】
[000引 目前，锻膜机已经被广泛应用各个行业，制锻薄膜尤其广泛，其制作的各种薄膜被 应用到各光电系统及光学仪器中，如数码相机、数码摄像机、望远镜、投影机、能量控制、光 通讯、显示技术、干设仪、人造卫星飞弹、半导体激光、微机电系统、信息工业、激光的制作、 各种滤光片、照明工业、传感器、建筑玻璃、汽车工业、装饰品、钱币、眼镜片等等，锻膜机器 已经与人类的生活紧密联系。
[0003] 而在锻膜机所用到的e型电子枪方面，针对高功率、大容量相蜗e型电子枪，相蜗 中屯、与灯丝中屯、的位置是否合适直接影响到电子枪能否正常工作，它受到磁场，偏转，相蜗 两端极靴的影响，必须找到合适的位置才能保障电子枪正常工作，而现有技术缺乏对e型 电子枪该方面结构的研究。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的是提供一种新型单相蜗e型电子枪的结构，该结构的电子枪功率 高、容量大、性能稳定，提高了电子枪的蒸发效率。
[0005] 一种新型单相蜗e型电子枪的结构，所述e型电子枪的相蜗中屯、与灯丝中屯、的位 置由灯丝中屯、与相蜗中屯、的水平距离1、电子轨迹最高点与极靴上端面的距离K电子运动 轨迹半径R共同决定，其中：
[0006] 1 ^且1 = (60% -70%化，L为所述e型电子枪两平板形极靴之间的宽度； h= j，
[0007] 所述R由W下公式获得：
[0008] 巧二3.36^其中U为所述e型电子枪的加速电压，B为磁场强度。
[0009] 所述L根据所述e型电子枪的相蜗容量V来确定，具体包括：
[0010] 首先由公式V=^ ne (a2+b2+ab)，b = a-etan a来确定相蜗外径a,其中b为相蜗内 径，e为相蜗深度，a为相蜗开口角度；
[001U 再由公式L = a+2c+2d来确定L，其中C为相蜗槽间距，d为相蜗壁厚。
[0012] 当相蜗容量V为100ml时，所述L = 110mm。
[001引所述加速电压U固定为10KV，并调解不同的磁场强度W获得多组R。
[0014] 由上述本发明提供的技术方案可W看出，该结构的电子枪功率高、容量大、性能稳 定，提高了电子枪的蒸发效率。
【附图说明】
[0015] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用 的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本 领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可W根据该些附图获得其他 附图。
[0016] 图1为本发明实施例所提供新型单相蜗e型电子枪的结构示意图；
[0017] 图2为本发明实施例所述e型电子枪的相蜗结构示意图；
[001引图3为本发明所举实例灯丝中屯、与相蜗中屯、的位置示意图。
【具体实施方式】
[0019] 下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整 地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本 发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施 例，都属于本发明的保护范围。
[0020] 下面将结合附图对本发明实施例作进一步地详细描述，如图1所示为本发明实施 例所提供新型单相蜗e型电子枪的结构示意图，参考图1 ;e型电子枪在270°偏转角的前 提下偏转轨迹如图1所示，电子束偏转分为两个阶段，由灯丝发射的热电子W-定的加速 度在近似均匀磁场中做半径为R的匀速圆周运动；射出窗口后在180°非均匀磁场下偏转 至相蜗，故该e型电子枪的相蜗中屯、与灯丝中屯、的位置由灯丝中屯、与相蜗中屯、的水平距离 1、电子轨迹最高点与极靴上端面的距离K电子运动轨迹半径R共同决定，其中： L
[0021] , 7且1 = (60%-70%化，其中L为所述e型电子枪两平板形极靴之间的宽 h= j， 度；
[0022] 所述R由W下公式获得：
[77
[002引 巧=3.36^其中U为所述0型电子枪的加速电压，6为磁场强度。
[0024] 在具体实现中，所述L根据所述e型电子枪的相蜗容量V来确定，如图2所示为本 发明实施例所述e型电子枪的相蜗结构示意图，具体来说：
[0025] 首先由公式V=^ 口 e(a=+b2+ab)，b = a-etana来确定相蜗外径a,其中b为相蜗 内径，e为相蜗深度，a为相蜗开口角度；
[0026] 再由公式L = a+2c+2d来确定L，其中C为相蜗槽间距，d为相蜗壁厚。
[0027] 另外，在计算半径R时，可W将加速电压U固定为10KV，并调解不同的磁场强度W 获得多组R，其中磁场强度B与偏转线圈，即线圈电流有关，最终得到一组数据如下表1所 示：
[002引
【主权项】
1. 一种新型单坩埚e型电子枪的结构，其特征在于，所述e型电子枪的坩埚中心与灯丝 中心的位置由灯丝中心与坩埚中心的水平距离1、电子轨迹最高点与极靴上端面的距离K 电子运动轨迹半径R共同决定，其中： h=f且1 = (60% -70% )L，L为所述e型电子枪两平板形极靴之间的宽度； 所述R由以下公式获得： JU /? = 3.36^-其中U为所述e型电子枪的加速电压，B为磁场强度。
2. 根据权利要求1所述新型单坩埚e型电子枪的结构，其特征在于，所述L根据所述e 型电子枪的坩埚容量V来确定，具体包括： 首先由公式V^inek+bf+ab)，b = a_etana来确定i甘埚外径a，其中b为i甘埚内径， e为坩埚深度，α为坩埚开口角度； 再由公式L = a+2c+2d来确定L，其中c为坩埚槽间距，d为坩埚壁厚。
3. 根据权利要求2所述新型单坩埚e型电子枪的结构，其特征在于， 当坩埚容量V为100mL时，所述L = 110mm。
4. 根据权利要求1所述新型单坩埚e型电子枪的结构，其特征在于， 所述加速电压U固定为10KV，并调解不同的磁场强度以获得多组R。
【专利摘要】本发明公开了一种新型单坩埚e型电子枪的结构，所述e型电子枪的坩埚中心与灯丝中心的位置由灯丝中心与坩埚中心的水平距离l、电子轨迹最高点与极靴上端面的距离h、电子运动轨迹半径R共同决定。采用该结构的电子枪功率高、容量大、性能稳定，提高了电子枪的蒸发效率，为用户提供更可靠的设备，既提高工作效率也提高收益。
【IPC分类】C23C14-30
【公开号】CN104630721
【申请号】CN201510092135
【发明人】赵学琴, 张勇
【申请人】北京北仪创新真空技术有限责任公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年2月28日