一端面12a。另外，第二框架12例如是殷钢或者殷钢合金等磁性金属部件，具有尺寸为内包上述金属掩模11的多个贯通孔13的尺寸的开口 15，外形呈容纳于上述第一框架7的开口 8内的尺寸的框状，并且例如厚度为30mm?50mm左右。并且，在上述第二框架12的另一端面12b侧设置有向与上述开口 15侧相反的一侧伸出的凸缘16，上述第一框架7的另一端面7b通过螺纹件17(参照图1)装卸自如地固定于该凸缘16。在该情况下，在第一框架7固定于第二框架12的上述凸缘16的状态下，以产生上述缝隙9的方式决定第一框架7、第二框架12以及凸缘16的各自厚度。此外，在图2(b)中，附图标记18为用于供螺纹件17插通的孔。
[0029]接下来，对使用了像这样构成的成膜掩模I的成膜进行说明。此外，以下说明中，对成膜装置是图4所示那样的溅射装置的情况进行说明。
[0030]首先，通过螺纹件17固定并组装第一掩模2的第一框架7与第二掩模3的第二框架12，从而准备成膜掩模I。
[0031]接下来，以第一掩模2为被成膜基板(以下简称为“基板22”)侧的方式在设于溅射装置的真空腔室19内的掩模支架20安装成膜掩模I。另外，在构成为能够在与设置于基板支架21的基板22的面平行地沿箭头A、B方向往复移动的靶支架23，安装有作为成膜材料的例如圆柱状的氧化铟锡(以下称为“IT0(Indium Tin Oxide)”)的靶24，且使该靶24的圆柱轴相对于上述移动方向交叉。
[0032]若成膜掩模I的安装结束，则在关闭了气体导入阀25的状态下，打开排出阀26，真空腔室19内的空气被排出，并抽真空直至成为预先决定的规定的真空度。
[0033]若真空腔室19内的真空度达到规定的值，则用闸阀27进行分隔，并利用省略图示的基板装载机构将由透明玻璃构成的基板22从保持为大致相同的真空度的省略图示的前室(图4中，以与真空腔室19邻接的方式设置于里侧。)搬运出，并将基板22设置于基板支架
21。之后，上述基板装载机构退避到上述前室，闸阀27被关闭。
[0034]接下来，掩模支架20沿图4中的箭头C方向移动，而将成膜掩模I设置于基板22上。具体而言，如图5(a)所示，第一掩模2的树脂掩模5设置于基板22的成膜面上。此时，如图6(a)所示，在树脂掩模5与金属掩模11之间确保了规定的缝隙9。之后，如图5(b)所示，内置于基板支架21的磁铁28的磁力发挥作用，从而第二掩模3的金属掩模11被吸引，该金属掩模11弹性挠曲而按压树脂掩模5，从而树脂掩模5紧贴地固定于基板22的成膜面。同时，如图6(b)所示，金属掩模11紧贴于树脂掩模5的表面。
[0035]接着，打开气体导入阀25并调节排出阀26，向真空腔室19内导入氩(Ar)气体等惰性气体直至达到预先决定的规定值。
[0036]若真空腔室19内的气压达到上述规定值，则对靶支架23赋予高电压，而如图7所示，在靶24与基板22之间生成等离子体29。而且，边使靶24以其圆柱轴为中心旋转边使其沿图7所示的箭头A、B方向往复移动来执行溅射。此外，具体而言，在正式溅射开始前的一定时间(预溅射时间)，在靶24与基板22之间插入有省略图示的闸门，阻止溅射粒子附着于基板22。
[0037]执行预先决定的规定时间的溅射，若在基板22上堆积一定厚度的ITO导电膜，则上述闸门关闭，溅射结束。而且，相对于靶支架23进行的高电压的赋予被解除，从而如图8(a)所示，等离子体29的生成停止。此时，如图9(a)所示，ITO导电膜30堆积于开口图案4内的基板22的面、开口图案4的侧壁、树脂掩模5的开口图案4周缘部、贯通孔13的侧壁以及金属掩模11的革E24侧的表面。
[0038]接下来，如图8(b)所示，若内置于基板支架21的磁铁28的磁力对金属掩模11的吸引作用被除去，则如图9(b)所示，金属掩模11利用其弹性复原力而返回到原有状态。由此，堆积于树脂掩模5的ITO导电膜30与金属掩模11分开。另外，同时，金属掩模11对树脂掩模5的基板22的成膜面施加的按压力被释放，因此树脂掩模5从基板22的成膜面剥离。如此，在透明的玻璃的基板22形成触摸面板基板32，该触摸面板基板32如图10所示地形成有ITO导电膜30的多个电极31 (薄膜图案)。
[0039]接下来，使掩模支架20沿图4所示的箭头D方向移动，而使成膜掩模I从基板22分离，并且真空腔室19内的惰性气体被排出。而且，对真空腔室19与上述前室进行分隔的闸阀27被打开，而由上述基板装载机构将触摸面板基板32从真空腔室19内向上述前室搬出，另一方面，从上述前室搬入新的基板22，并将其设置于基板支架21。
[0040]下面，与上述相同，在新的基板22上执行成膜，形成新的触摸面板基板32。而且，每当对基板22的成膜结束，金属掩模11便从树脂掩模5分离，因此堆积于树脂掩模5的ITO导电膜30每次都从金属掩模11分开。因此，堆积于树脂掩模5的ITO导电膜30仅为开口图案4的周缘部，在邻接的开口图案4间断开，从而ITO导电膜30的收缩应力断开，从而树脂掩模5的变形被抑制。故而，能够提高由ITO导电膜30构成的电极31的位置精度。另外，同时，因为树脂掩模5的变形被抑制，所以还具有延长树脂掩模5的寿命的优点。
[0041]此外，在上述实施方式中，对第一掩模2以及第二掩模3分别附带框架的情况进行了说明，但本发明并不局限于此，第一掩模2也可以仅为树脂掩模5，第二掩模3也可以仅为金属掩模U。在该情况下，可以在树脂掩模5与金属掩模11之间设置金属隔离物，以使在两者间形成缝隙9。
[0042]另外，在上述实施方式中，对成膜装置为溅射装置的情况进行了说明，但本发明并不局限于此，成膜装置也可以是蒸镀装置。
[0043]并且，在上述实施方式中，对薄膜为ITO导电膜30的情况进行了说明，但本发明并不局限于此，薄膜也可以是有机物质的薄膜、无机物质的薄膜或者金属薄膜中任一个。
[0044]附图标记的说明
[0045]I...成膜掩模;2...第一掩模;3...第二掩模;4...开□图案;5...树脂掩模;7...第一框架;9…缝隙；11...金属掩模；12...第二框架；13...贯通孔;22...基板;28...磁铁;30...透明导电膜;31…电极;32…触摸面板基板。
【主权项】
1.一种成膜掩模，其特征在于，构成为具备: 树脂掩模，其与成膜于基板上的薄膜图案相对应地形成有开口图案；以及磁性金属部件的金属掩模，其形成有尺寸为内包上述开口图案的尺寸的贯通孔，并且上述金属掩模以在与上述树脂掩模之间设置缝隙的方式设置于上述树脂掩模的一面侧。2.根据权利要求1所述的成膜掩模，其特征在于， 上述树脂掩模与上述金属掩模之间的上述缝隙被设定为如下尺寸:若设置于上述基板的背面的磁铁的磁力作用于上述金属掩模，则能够吸引上述金属掩模而使上述金属掩模紧贴于上述树脂掩模，并且若上述磁铁的磁力的作用被除去，则能够利用其弹性复原力使上述金属掩模从上述树脂掩模分离。3.根据权利要求1或者2所述的成膜掩模，其特征在于， 上述金属掩模的上述贯通孔的至少上述树脂掩模侧的开口面积比贯通孔内部的开口面积大。4.根据权利要求1或2所述的成膜掩模，其特征在于， 上述树脂掩模的周缘部固定于第一框架，上述金属掩模的周缘部固定于第二框架， 以在上述树脂掩模与上述金属掩模之间产生上述规定的缝隙的方式，装卸自如地固定有上述第一框架与上述第二框架。5.根据权利要求3所述的成膜掩模，其特征在于， 上述树脂掩模的周缘部固定于第一框架，上述金属掩模的周缘部固定于第二框架， 以在上述树脂掩模与上述金属掩模之间产生上述规定的缝隙的方式，装卸自如地固定有上述第一框架与上述第二框架。6.根据权利要求1或2所述的成膜掩模，其特征在于， 上述薄膜图案是溅射成膜而成的透明导电膜。7.根据权利要求3所述的成膜掩模，其特征在于， 上述薄膜图案是溅射成膜而成的透明导电膜。8.根据权利要求4所述的成膜掩模，其特征在于， 上述薄膜图案是溅射成膜而成的透明导电膜。9.根据权利要求5所述的成膜掩模，其特征在于， 上述薄膜图案是溅射成膜而成的透明导电膜。10.一种触摸面板基板，其特征在于， 使用权利要求1所述的成膜掩模进行溅射成膜，而在透明的玻璃基板上形成有透明导电膜的电极。
【专利摘要】本发明提供成膜掩模以及触摸面板基板。本发明构成为具备树脂掩模(5)与磁性金属部件的金属掩模(11)，其中，所述树脂掩模(5)与成膜于基板上的薄膜图案相对应地形成有开口图案(4)，所述金属掩模(11)形成有尺寸为内包上述开口图案(4)的尺寸的贯通孔(13)，并以在与上述树脂掩模(5)之间设置缝隙(9)的方式设置于上述树脂掩模(5)的一面侧。
【IPC分类】H01B5/14, C23C14/04
【公开号】CN105555991
【申请号】CN201480051077
【发明人】水村通伸
【申请人】株式会社V技术
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2014年9月18日
【公告号】WO2015041296A1