溅射靶及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种瓣射祀及其制造方法，详细而言，设及一种改善了瓣射特性的含 有氧化锋的瓣射祀及其制造方法。
【背景技术】
[0002] WAZO(ZnO-AbOs)薄膜为代表的透明导电膜具有较高的导电性和优异的透光性， 并且作为液晶显示器或太阳电池用的薄膜而被使用。此外，在液晶显示装置化CD)、电致发 光显示装置化U W及场致发射显示器(F抓)等各种显示装置中，W IGZOQns化-Gas^-ZnO) 薄膜为代表的半导体膜作为向显示元件施加驱动电压而使显示装置驱动的开关元件而被 用于薄膜晶体管(TFT)中。如此，作为构成元素而包含锋的薄膜被使用于多个领域中。
[0003] 作为制作运些薄膜的方法而存在喷涂法、浸溃法、真空蒸锻法、瓣射法等，但由于 在制造成本、生产率、大面积均匀性、膜质、膜的特性(导电率、透光性等)方面瓣射法比较优 异，因此瓣射法成为目前生产技术的主流。
[0004] 对于运些瓣射中所使用的祀，则正在寻求抑制电弧或结块的发生等改善瓣射特性 的技术。从抑制电弧或结块的发生的观点出发，已知祀为高密度或祀的分割数量较少、即构 成祀的分割祀材的数量较少为好。但是，对于作为祀的构成元素的金属元素对于瓣射特性 所造成的影响则为未知。
[0005] 在专利文献1中，记载了为了在IZO(In2〇3-化0)祀中提升祀的强度而添加金属锋的 方法。
[0006] 在专利文献2中，记载了在氧化锋系瓣射祀中为了降低其电阻而添加金属锋的方 法。
[0007] 在先技术文献 [000引专利文献
[0009] 专利文献1:日本特开2009-144226号公报
[0010] 专利文献2:日本特开2008-115453号公报
【发明内容】
[0011] 发明所要解决的课题
[0012] 本发明的目的在于，提供一种在瓣射过程中电弧或结块的发生较少的含有氧化锋 的瓣射祀。
[0013] 用于解决课题的方法
[0014] 本发明人发现，通过将含有氧化锋的瓣射祀中作为原料而使用的氧化锋所含有的 金属性锋设为固定量W下，从而能够获得电弧或结块较少的优异的祀，由此完成了本发明。
[0015] 旨P，本发明为，使用金属性锋的含量为10化pmW下的氧化锋原料而被制造出的含 有氧化锋的瓣射祀，优选为，使用金属性锋的含量为IOppmW下的氧化锋原料而被制造出的 含有氧化锋的瓣射祀。
[0016] 作为所述瓣射祀，例如，可列举出由锋与侣的氧化物组成的AZO(侣锋氧化物)制或 由锋、铜、嫁的氧化物组成的IGZO (铜嫁锋氧化物)制。
[0017] 此外，本发明为，包括使氧化锋原料的金属性锋的含量减少的工序、W及使用在所 述工序中获得的金属性锋的含量为I(K)PPmW下的氧化锋原料来制造瓣射祀的工序的瓣射 祀的制造方法。
[0018] 在所述制造方法中，优选为，使所述氧化锋原料的金属性锋的含量减少的工序为 对氧化锋原料进行热处理的工序。
[0019]发明效果
[0020]本发明的瓣射祀为含有氧化锋的瓣射祀，并且在瓣射过程中电弧或结块的发生较 少。本发明的瓣射祀的制造方法能够有效地制造出含有氧化锋并且在瓣射过程中电弧或结 块的发生较少的瓣射祀。
【具体实施方式】 [0021 ]瓣射祀
[0022] 本发明的瓣射祀为使用金属性锋的含量为I(K)PPmW下的氧化锋原料而被制造出 的含有氧化锋的瓣射祀。
[0023] 所述氧化锋原料通常为氧化锋粉末。本发明的瓣射祀通常使用氧化锋粉末而被制 造出。本发明的瓣射祀的具体的制造方法将在后文中进行叙述。
[0024] 在氧化锋原料中，金属性锋的含量为10化pmW下，优选为IOppmW下，进一步优选 为化9111^下。此处卵1]1是指质量卵111(991]1讯）。
[0025] 能够使用于祀的原料中的氧化锋粉末W使高纯度的金属锋处于高溫而挥发并使 该锋蒸气与空气中的氧反应的方式而被制造出。运时，根据反应条件，未反应的金属性锋会 残留在氧化锋粉末中。在使用含有较多的金属性锋的氧化锋原料而被制作出的祀中，分散 有金属性锋的含量较多的部位。此外可认为，运些部位与其他部分相比氧含量较少。当祀中 存在氧含量较少的部位时，仅该部位局部性地与周围相比电阻值不同，因此无法实现均匀 的瓣射。由此可认为，电弧或结块变得容易发生。另一方面，由于在使用金属性锋的含量较 少的氧化锋原料而被制造出的瓣射祀中，金属性锋的含量较多的部位较少，且氧含量较少 的部位也变少，因此局部性地电阻不同的部位会减少，其结果能够使瓣射中的电弧或结块 的发生减少，进而可实现均匀的瓣射。本发明人独自发现了 W上的见解，由此完成了本发 明。
[0026] 氧化锋原料的金属性锋的含量越少，则电弧或结块的发生越减少。当氧化锋原料 的金属性锋的含量在I(K)PPmW下时，实际上可充分地减少电弧或结块的发生。
[0027] 本发明的瓣射祀优选为陶瓷制瓣射祀。只要是包含氧化锋的材料，则陶瓷的种类 或组成比等无特别的限制，例如可列举出氧化侣-氧化锋(AZO)、氧化铜-氧化嫁-氧化锋 (IGZO)等。
[0028] 所述陶瓷制瓣射祀由氧化锋原料与制作该陶瓷所需的其他的金属氧化物原料而 制造出。例如，在AZO制瓣射祀的情况下，该祀通常由氧化锋粉末和氧化侣粉末而制造出。在 IGZO制瓣射祀的情况下，该祀通常由氧化锋粉末、氧化铜粉末和氧化嫁粉末而制造出。在运 些原料中，存在含有金属性锋的可能性的只有氧化锋原料，其他原料中实质上不会含有金 属性锋。
[0029] 在本发明的瓣射祀为AZO制瓣射祀的情况下，通常Al的含量WAl2〇3量换算而为质 量百分比0.1 %~10%，化的含量W化0量换算而为质量百分比90%~99.9%。当Al W及Zn 的含量在所述范围内时，则存在祀成为低电阻的优点。
[0030] 在本发明的瓣射祀为IGZO制瓣射祀的情况下，例如，In的含量Wln2〇3量换算而为 质量百分比43.7%~44.7%、Ga的含量WGa2〇3量换算而为质量百分比29.2%~30.6%，剩 余部分为ZnOW及不可避免的杂质。当In、Ga W及Zn的含量在所述范围内时，存在通过瓣射 而能够获得良好的TFT(薄膜晶体管:Thin Firm Transistor)特性的优点。
[0031] 作为本发明的瓣射祀的形状，可列举出板状W及圆筒形状等。
[0032] 本发明的瓣射祀可通过常用方法并使用低融点焊料接合到基材上而用于瓣射。
[0033] 如前文所述，本发明的瓣射祀在瓣射过程中电弧或结块的发生较少。另外，瓣射过 程中的电弧的发生和结块的发生是并行(parallel)关系，从而如果结块的发生较少则能够 评价为电弧的发生也较少。
[0034] 瓣射祀的制造方法
[0035] 所述瓣射祀能够根据现有已知的制造方法而进行制造。即，能够W使原料粉末成 形并对所获得的成形体进行烧成的方式而制造出。作为成形法，例如能够使用接下来所介 绍的铸造方法。然而，作为成形法，可使用将对原料进行干燥、造粒后的物质进行单轴压而 获得成形体的方法，或通过CIP成形(Cold Isos化tic Pressing!；冷等静压成形））而成形的 方法等。在此，作为一个示例，对使用铸造法而制造出平板状的陶瓷制瓣射祀的方法进行说 明。该制造方法对于圆筒状祀也能够适用。
[0036] 该制造方法为包括工序1、工序2、工序3、工序4的制造方法，其中，所述工序1为，将 含有陶瓷原料粉末W及有机添加物的浆料注入模具中，接着进行排水而成形，从而制作出 成形体的工序;所述工序2为，对所述成形体进行干燥的工序;所述工序3为，对所述被干燥 后的成形体进行烧成而获得烧成体的工序;所述工序4