用于等离子体增强化学气相沉积的设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于非晶硅薄膜电池PECVD沉积工艺技术领域，具体而言，本实用新型涉及一种用于等离子体增强化学气相沉积的设备。
【背景技术】
[0002]等离子体增强化学气相沉积技术是通过将TC0玻璃基板预热到200°C以上，待玻璃基板温度稳定后，通入反应气体，气体在电场作用下被电离为等离子体，从而在电场的作用下附着在玻璃基板的表面上，进而在玻璃基板表面形成薄膜。现有的等离子增强化学气相沉积的设备多采用真空炉壁电阻式的加热方式对炉膛中玻璃基板进行加热，然而该加热方式通过真空腔室热辐射作用于玻璃基板时对玻璃基板温度影响较慢，并且大流量反应气体通入沉积腔室时为室温，而气体从腔室顶部流至底部受腔室加热温度逐渐变化，因此对玻璃基板顶部与底部温度均匀性有影响，而玻璃基板温度不均匀会造成沉积薄膜厚度及结构不均匀，尤其是在沉积硅锗薄膜及微晶硅薄膜时。
[0003]因此，现有的等离子体增强化学气相沉积的设备有待进一步改进。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种用于等离子体增强化学气相沉积的设备，该设备可以有效提高沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。
[0005]在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种用于等离子体增强化学气相沉积的设备，根据本实用新型的实施例，该设备包括:
[0006]炉体，所述炉体内限定出容纳腔室；
[0007]加热装置，所述加热装置设在所述炉体的侧壁上；
[0008]沉积单元，所述沉积单元位于所述容纳腔室中，所述沉积单元顶部具有气体入口，所述沉积单元内限定出沉积腔室，所述沉积腔室包括多个彼此隔开的子沉积腔室，每一个所述子沉积腔室中具有两个平行间隔设置的玻璃基板，其中，所述玻璃基板中的一个与电极相连，所述玻璃基板中的另一个接地；以及
[0009]气体管道，所述气体管道穿过所述炉体与所述气体入口相连，所述气体管道包括位于所述容纳腔室外的第一管段和位于所述容纳腔室内的第二管段，所述第一管段和/或第二管段上具有预热组件。
[0010]由此，采用本实用新型实施例的用于等离子体增强化学气相沉积的设备可以有效避免大流量反应气体对玻璃基板温度的影响，从而提高玻璃基板温度的均匀性，进而显著提高沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。
[0011]另外，根据本实用新型上述实施例的用于等离子体增强化学气相沉积的设备还可以具有如下附加的技术特征:
[0012]优选地，所述第一管段上具有第一预热组件，所述第一预热组件为电阻丝加热器，所述电阻丝加热器缠绕在所述第一管段上。由此。可以显著提高沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。
[0013]优选地，所述第二管段上具有第二预热组件，所述第二预热组件为电阻丝加热器，所述电阻丝加热器缠绕在所述第二管段上。由此。可以进一步提高沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。
[0014]优选地，所述第一管段上具有第一预热组件，所述第二管段上具有第二预热组件，所述第一预热组件和第二预热组件均为电阻丝加热器，并且所述电阻丝加热器分别独立地缠绕在所述第一管段和第二管段上。由此。可以进一步提高沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。
[0015]优选地，所述第二管段上具有第二预热组件，所述第二预热组件为沿水平反向延伸的U型管。由此。可以进一步提高沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。
[0016]优选地，所述第一管段上具有第一预热组件，所述第二管段上具有第二预热组件，所述第一预热组件为电阻丝加热器，所述电阻丝加热器缠绕在所述第一管段上，所述第二管段为沿水平反向延伸的U型管。由此。可以进一步提高沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。
[0017]优选地，所述加热装置为电阻丝加热器。由此，可以显著提高玻璃基板的加热速率。
[0018]优选地，所述玻璃基板通过卡槽设置在所述子沉积腔室内。
[0019]本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
【附图说明】
[0020]本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中:
[0021]图1是根据本实用新型一个实施例的用于等离子体增强化学气相沉积的设备的结构示意图；
[0022]图2是根据本实用新型又一个实施例的用于等离子体增强化学气相沉积的设备的结构示意图；
[0023]图3是根据本实用新型再一个实施例的用于等离子体增强化学气相沉积的设备的结构示意图；
[0024]图4是根据本实用新型再一个实施例的用于等离子体增强化学气相沉积的设备的结构示意图；
[0025]图5是根据本实用新型再一个实施例的用于等离子体增强化学气相沉积的设备的结构示意图；
[0026]图6是根据本实用新型再一个实施例的用于等离子体增强化学气相沉积的设备的结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
[0028]在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
[0029]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0030]在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
[0031]在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0032]在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种用于等离子体增强化学气相沉积的设备。根据本实用新型的实施例，参考图1，该设备包括炉体100、加热装置200、沉积单元300和气体管道400，其中，炉体100内限定出容纳腔室10，加热装置200设在炉体100的侧壁上，沉积单元300位于容纳腔室10中，沉积单元300顶部具有气体入口 301，沉积单元300内限定出沉积腔室30，沉积腔室30包括多个彼此隔开的子沉积腔室31，每一个子沉积腔室31中具有两个平行间隔设置的玻璃基板32，玻璃基板中的一个与电极(未示出)相连，玻璃基板中的另一个接地，气体管道400穿过炉体100与气体入口 301相连，气体管道400包括位于容纳腔室10外的第一管段41和位于容纳腔室10内的第二管段42，第一管段41和/或第二管段42上具有预热组件43。需要说明的是，每个子沉积腔室31中的玻璃基板并不限于两个，只要能满足薄膜沉积要求即可，并且玻璃基板可以通过卡槽(未示出)固定在沉积腔室内。发明人发现，通过在气体管道上设置预热组件对大流量反应气体进行预热处理，并且使得大流量反应气体可精确控制，使得进入沉积腔室的温度与玻璃基板温度相同，从而使得反应气体进入沉积腔室时不会对玻璃基板温度造成影响，即玻璃基板上温度分布均匀，进而显著提高玻璃基板上沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。
[0033]需要说明的是，炉体100可以为现有技术中可以用于等离子体增强化学气相沉积的任何炉体。
[0034]根据本实用新型的实施例，加热装置200的具体类型并不受特别限制，本