专利名称：锡烷和氘锡烷的合成的制作方法
锡院和m锡院的合成发明背景
本发明涉及用于锡烷(SnH4)和氘锡烷(SnD4)由卤化锡和还原剂分别如氢化铝锂和氘化铝锂制备的改进方法。锡烷和氘锡烷传统上通过使气相、净液相或分散在溶剂中的卤化锡分别与固体形式或分散在溶剂中的还原剂氢化铝锂(LiAlH4)或氘化铝锂(LiAlD4)反应制备。氯化锡与这些还原剂之间的反应是放热的并且反应的产物，锡烷和氘锡烷是自燃的，并且反应混合物可以爆炸性地爆燃。这些程序可以导致低产率和/或杂质的产生，并且需要提纯步骤。A.D.Norman 等，无机合成(Inorganic Syntheses),第 11 卷，1968,第 170 页，通过氯化锡的醚合物浆液至相同溶剂中LiAlH4或LiAlD4的浆液在_70°C的受控加入制备SnH4和SnD4。将反应混合物保持在-60至-70°C。该过程产生约30%的锡烷产率并且对于氘锡烷为约25%。需要额外的提纯步骤以将锡烷和氘锡烷从醚溶剂移除。A.E.Finholt等，J.Chem.Soc，1947，69，2692，通过将氯化锡在真空中蒸馏至连接至真空体系的反应容器中，并且在液氮浴中凝固制备SnH4。在将气态氮倒入至装置之后，力口A LiAlH4在二乙醚中的溶液。在不搅拌的情况下允许混合物升温。反应在约_30°C激烈地进行。以十分钟间隔将挥发性物质从反应区移除。将从而移除的混合物立即冷凝并且凝固在液氮浴中。将挥发性物质分馏数次。SnH4的产率为20.4%。H.J.Emeleus 和 S.F.A.Kettle, J.Chem.Soc.1958, 2444-2448,经由 Finholt 等所述的方法的改进制备SnH4。将氯化锡-二乙醚加合物的醚浆液转移至反应容器中并且在液氮中冻结。随后将LiAlHJ^醚溶液加入并冻结。通入抑制锡烷分解的含有0.1 %氧的氮流并且将反应容器升温至_78°C直至醚成为液体，并且之后升温至-63.5°C直至溶液为棕色。允许温度逐渐地(I小时)增加至_20°C，并且之后完成锡烷的析出。作者声称在典型的试验中他们从具有氯化锡和10克的LiAlH4的22.3克的醚加合物回收6.7克的锡烷，我们可以算出其为约78%产率。需要锡烷从二乙醚的进一步提纯。G.ff.Schaeffer 等，J.Am.Chem.Soc.(1954)，76 (4)，1203，经由 0.6N 盐酸溶液中的氯化锡(II)的硼氢化钠还原在高至84%的产率的情况下制备了锡烷。这是具有高达84%的产率的高效锡烷合成。然而，随着锡的浓度增加至高于每mL的溶液Img的锡，产率急剧地降低，使得大批制备无法实施。在每mL的溶液3mg的锡，锡烷的产率为37%，并且在每mL的溶液4mg，产率为25%。此外，据信少量的硼氢化物杂质可能存在于锡烷中，使得它不适合作为将要在微电子材料中使用的材料。将粗产物通过经由保持在_112°C的阱的分馏提纯。Reifenberg 等 US3, 867，463 ;US3, 708，549 和(3) US3, 654，367 描述了通过使四氯化锡、四溴化锡或四碘化锡在含有约0.1 %氧的氮氛的存在下与LiAlH4反应制备锡烷。卤化锡与LiAlH4反应并且可以在或不在惰性稀释剂溶剂中进行。开始温度优选接近-200°C并且缓慢地升高至-70°C。合适的溶剂或稀释剂可以包括脂族烃、芳族烃和醚。上述可以含有羧酸酯、羧酸酰胺和腈基作为取代基。合适的溶剂是二乙醚和四氢呋喃。将卤化锡与LiAlH4在低温组合并缓慢地升温以产生锡烷。每个专利引用相同的用于锡烷制备的实例。这些专利的实施例1描述在没有溶剂的情况下四氯化锡用LiAlH4的还原，并且报告约87%
的产率。我们在重现这些方法的实验室经历产生低产率并且周期性地导致失控、不受控的反应，这导致了试剂的爆燃以及，在一些情况下，爆震。发明概述本发明涉及关于用于锡烷和氘锡烷由卤化锡和还原剂的直接合成的方法的改进。本文描述的分批合成以高产率和纯度产生锡烷或氘锡烷。该方法还以避免产物归因于热生成和/或卤化锡的局部过量浓度的降解并避免爆震和爆燃的方式控制放热反应和试剂的混合。本发明涉及一种合成锡烷或氘锡烷的方法，所述方法包括:将卤化锡溶解在冷却的溶剂中以形成低温溶液；形成还原剂和溶剂的混合物；将溶剂混合物中的还原剂冷却到约0°C至约溶剂的熔点；
·
向溶剂中的还原剂缓慢地加入卤化锡溶液，同时在加入的过程中将卤化锡溶液在真空下继续冷却，从而形成反应混合物；以及形成反应产物；在卤化锡溶液的加入的过程中将反应产物从反应混合物移除；在将所有的卤化锡溶液加入并且反应产物的形成完成之后，继续移除反应产物；和将反应产物收集在一个或多个冷阱中；其中所述还原剂选自氢化铝锂或氘化铝锂并且所述一个或多个冷阱的温度低于反应产物的沸点。产物的收集可以借助于从最后一个冷阱的出口抽真空。收集也可以通过允许反应产物从反应容器流至一个或多个冷阱进行。发明详述本发明涉及一种合成锡烷或氘锡烷的方法，所述方法包括:将卤化锡溶解在冷却的溶剂中以形成低温溶液；形成还原剂和溶剂的混合物；冷却还原剂溶剂混合物；向溶剂中的还原剂缓慢地加入卤化锡溶液，同时在加入的过程中继续冷却卤化锡溶液和还原剂混合物，从而形成反应混合物；形成反应产物；在卤化锡溶液的加入的过程中将反应产物从反应混合物移除；在将全部卤化锡溶液加入并且反应产物的形成完成之后，继续移除反应产物；和将反应产物收集在一个或多个冷阱中；其中所述还原剂选自氢化铝锂或氘化铝锂；并且其中所述冷阱的至少一个的温度低于反应产物的沸点。一种合成锡烷或氘锡烷的优选方法，所述方法包括:将卤化锡溶解在冷却的溶剂中以形成低温溶液；形成还原剂和溶剂的混合物；
将还原剂冷却到约0°C至约溶剂的熔点；将卤化锡溶液在真空下缓慢地加入至还原剂混合物；从而形成反应混合物和锡烷或氘锡烷；以及在将卤化锡溶液加入至溶剂中的还原剂的过程中冷却卤化锡溶液和还原剂混合物；在卤化锡溶液的加入的过程中，将反应产物从反应混合物移除；在将所有的卤化锡溶液加入并且反应产物的形成完成之后继续移除反应产物；将反应产物收集在一个或多个冷阱中；并且其中还原剂选自氢化铝锂或氘化铝锂，并且将至少一个或多个冷阱的温度冷却至低于反应产物的沸点，并且在卤化锡至还原剂的加入的过程以及直至反应完成之前搅拌反应混合物。卤化锡产物的收集可以借助于从最后一个冷阱的出口抽真空。收集也可以通过允许反应产物从反应容器流动至一个或多个冷阱进行。当LiAlH4是还原剂时，产物是锡烷。当LiAlD4是还原剂时，广物是氣锡烧。冷阱可以是静态真空阱或流通(动态真空)阱。优选地冷阱的一个或多个在约-190°C并且更优选在液氮浴温度。当使用多于一个冷阱时，最后一个冷阱具有低于产物的沸点的温度，优选在约_190°C以下。当使用多于一个冷阱时，将最后一个阱之前的阱设定在捕捉具有比锡烷或氘锡烷的沸点更高沸点的任何化学品的温度。优选地一个或多个阱将具有约-60°C至约_80°C的温度，以捕获任意更高沸点物质如溶剂。这些阱或收集器所保持的温度依赖于任意给定溶剂的物理性质`。本发明的卤化锡选自由氟化锡、氯化锡、溴化锡和碘化锡组成的组。卤化锡优选选自由氯化锡、溴化锡和碘化锡组成的组。最优选卤化锡是氯化锡。本发明的溶剂是多齿溶剂，其在约-10°C是液体，在其中卤化锡可溶并且LiAlH4和LiAlD4至少部分地可溶。部分溶解性定义为约0.1克以上的还原剂将溶解在一升的溶剂中。优选约I克以上的还原剂将溶解在一升的溶剂中，并且更优选约3克以上的还原剂将溶解在一升的溶剂中。优选的溶剂是聚-醚、甘醇二甲醚(乙二醇二甲醚)、丁基甘醇二甲醚、二丙二醇二甲醚(proglyme)和冠醚。优选的乙二醇二甲醚选自由以下各项组成的组:单甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚、四甘醇二甲醚和丁基甘醇二甲醚。二甘醇二甲醚是优选的乙二醇醚。据信这些溶剂与卤化锡形成路易斯酸碱配合物，其稳定化卤化锡并且优化卤化锡与还原剂之间的反应。本文描述的批次合成以高产率和高纯度产生锡烷或氘锡烷。该方法还以避免产物因为高热降解的方式控制放热反应并且还避免爆震和爆燃。本发明的方法包括在约0°C至溶剂的熔点的低温将卤化锡溶解在溶剂中以形成溶液。溶剂保持在其液体状态。优选将卤化锡溶解在具有约0°c至约-64°c的温度的溶剂中以形成溶液。将卤化锡溶液在真空下加入至溶剂中的还原剂以形成反应混合物。备选地，该反应可以在环境压力下在惰性气氛下运行。还原剂以化学计量比至相对氢化(还原)所有要加入的卤化锡所需的还原剂的量过量约50摩尔％存在。优选地还原剂以化学计量比至相对氢化(还原)所有要加入的卤化锡所需的还原剂的量过量约30摩尔％存在。优选地，将反应混合物在卤化锡至还原剂的加入的过程中搅拌，并且继续搅拌直至反应完成并且锡烷或氘锡烷不再由反应混合物产生。使卤化锡溶液至还原剂的加入缓慢地进行以避免反应混合物的过度加热，并且也避免卤化锡相对于还原剂的局部过量。优选地，将卤化锡溶液在一段时间内均匀地加入。典型地，将卤化锡溶液以均匀速率或以大约均匀的增量加入，以避免过量加热或卤化锡的局部过量。在本文所报告的批次大小中，该加入可以花费约30分钟至一小时或两小时以上。当间隔地加入时，间隔为相隔约0.1分钟至约10分钟。优选间隔为相隔约0.1至约5分钟。本领域技术人员可以调节加入的速率以避免反应混合物的过度加热并避免反应混合物中局部过量的卤化锡。当反应在真空下运行时，系统中的真空为约I托至约100托。优选将卤化锡溶液在加入至还原剂的过程中冷却到约0°C至约-40°c。更优选将卤化锡溶液在加入至还原剂的过程中冷却到约-30°C至约-40°C。优选的是，通过使反应器中的气体物种暴露至一个或多个在静态或动态真空下冷却至低于锡烷或氘锡烷的沸点的温度的阱，将锡烷或氘锡烷当其形成时立即移除。将还原剂冷却到约(TC至约溶剂的熔点，并且溶剂必须不凝固。优选在卤化锡溶液的加入过程中将还原剂冷却到约0°C至约-70°c。更优选，在卤化锡溶液的加入过程中将还原剂冷却至约-60°C至约-70°C。加入至还原剂的卤化锡形成反应混合物。锡烷和氘锡烷当卤化锡与还原剂混合时形成。用于卤化锡与还原剂之间的反应优选的反应温度为约_70°C至约室温。优选地反应在低温开始并且在将全部的卤化锡加入至还原剂之后允许反应容器的温度升高。初始反应温度为优选约_70°C至约0°C，并且更优选约-60°C至约-10°C。在将所有的卤化锡加入至反应容器之后，可以将反应混合物的温度保持恒定或者允许其缓慢地升高至室温。温度升高至约20°C的环境室温的速率不是关键的，并且可以通过受控的加热或通过将反应容器从冷浴移除并且允许温度升高至环境温度获得。优选的是连续搅拌反应混合物直至反应完成并且不再产生锡烷或氘锡烷。将反应中形成的锡烷(或氘锡烷)连续地或以约0.1分钟至约10分钟的间隔从反应混合物移除。优选该间隔在整个加入步骤中为相隔约I分钟至约5分钟。更优选该间隔为相隔约5分钟。连续移除是优选的。将锡烷(或氘锡烷)在低于产物的沸点的温度收集在一个或多个冷阱中。优选地，将意图收集产物的冷阱浸溃在液氮中。将任何排出的氢或氘气通过使其穿过冷阱至真空泵连续地移除，或者如果使用静态阱通过周期性地排空系统移除。典型的产率在70-89% (基于卤化锡)的范围内并且经由气体样品的FTIR光谱分析未观察到卤化氢杂质。多齿溶剂的使用是有用的，因为它们具有相对高的沸点，这允许锡烷或氘锡烷当它们在反应过程中形成之时的便利的提纯和分离。据信多齿溶剂对卤化锡展现稳定化效果，并且抑制在现有技术中描述的更传统的批次合成中发现的不稳定的中间体的形成。此外，当将卤化锡在与还原剂接触之前溶解在多齿溶剂中时，抑制了不稳定的中间体如导致元素锡的迅速凝聚的Sn(II)氧化态的形成。优选的多齿溶剂是甘醇二甲醚，并且优选的甘醇二甲醚是二甘醇二甲醚。实施例1本发明的批次合成:将氯化锡( 8.20g，31.5mmol)在0°C溶解在30mL的无水二甘醇二甲醚中。之后将该溶液加入至具有冷却套的60mL加液漏斗。向500mL，3颈(24/40接口 )圆底烧瓶装入3.60g(85.9mmol)的氘化铝锂(LiAlD4)，以及PTFE涂布的磁力搅拌子。之后使LiAlD4粉末在大约IOOmL的无水二甘醇二甲醚中形成浆液并且将加液漏斗连接至烧瓶。将加液漏斗冷却到-30°C至_40°C并且贯穿整个加入保持在该温度范围。在反应过程中将底部烧瓶冷却至-65°C至_72°C。将每种组分通过使用异丙醇中的干冰浆液冷却。将反应装置连接至硼硅酸盐玻璃Schlenk歧管系统并且将环境氮在真空中移除至大约5托的最终压力。将反应装置连接至一系列在开放至下游的真空泵的液氮中冷却至-196°C的双U阱。将氯化锡在大约40分钟的过程内逐滴加入。持续监控内部反应器压力并且将挥发物在U阱中周期性地冷凝以使得压力不超过30托。在加入完成之后将底部冷浴移除，并且在将气体连续地移除的情况下允许缓慢地升温至大约-1o°c。将大部分产物收集在第一阱中并且分馏冷凝至冷却到-78°C和-196°C的两个阱中。-78°C阱含有数滴的二甘醇二甲醚，而_196°C阱含有3.56§的51104(28.1mmol，基于作为限制试剂的氯化锡89%产率)。归因于其与SnD4比较更低的沸点收集_196°C阱的“尖”以便检查任意HCl杂质。获得样品“尖”的FTIR气体分析，其显示没有HCl以及SnD4的预期光谱。(样品的“尖”通过移除液氮并且允许SnD4熔化并液化，收集其中最初15托的 气体获得)。实施例2本发明的批次合成:向容纳有PTFE涂布的磁力搅拌棒的500mL3颈圆底烧瓶装入1.93g的氘化铝锂(34.5毫摩尔；50摩尔％过量)和200mL的无水二甘醇二甲醚。将冷指形冷凝器和含有溶解在25mL的无水二甘醇二甲醚中的6.0g的氯化锡(23.0毫摩尔)的60mL加液漏斗连接至反应烧瓶。将烧瓶和具有冷却杯的加液漏斗分别冷却至_60°C和_45°C。将冷指形冷凝器用干冰/异丙醇雪浴在_78°C冷却，以将溶剂保持在反应烧瓶中。之后将顶部空间氮在真空中移除至大约I托的反应器压力。之后将氯化锡以大约150mg SnCl4/分钟的速率在40分钟的过程内连续地滴加至氘化铝锂/ 二甘醇二甲醚混合物。在SnCl4的加入过程中使反应烧瓶开放至在液氮中冷却的玻璃阱用于所形成的挥发性气体(氘和氘锡烷气体)的连续移除。贯穿反应监控烧瓶中的压力并且使其在任意给定时间不超过5托。之后在氯化锡的加入完成之后在残留的氘锡烷和可忽略量的氘气体的连续移除的情况下，允许烧瓶升温至室温。产生总计2.51g的SnD4 (19.8毫摩尔；基于SnCl4为86%产率)。将一部分的氘锡烷气体经由气相FTIR光谱仪使用具有ZnSe板的10_cm气体池分析。FTIR光谱显示SnD4排他性地存在。实施例3非本发明的氘锡烷由氯化锡(净)与LiAlD4在二甘醇二甲醚中的制备:向容纳有PTFE涂布的磁力搅拌棒的1000mL3颈圆底烧瓶装入12.90g的氘化铝锂(288毫摩尔；50摩尔％过量)和500mL的无水二甘醇二甲醚。将冷指形冷凝器和含有50.0g的氯化锡(192毫摩尔)的60mL加液漏斗连接至反应烧瓶。将烧瓶冷却至_55°C并且将顶部空间氮在真空中移除至大约I托的反应器压力。之后将氯化锡在75分钟的过程中(大约700mg/分钟的速率)在将所形成的挥发性气体(氘和氘锡烷气体)周期性移除的情况下加入至氘化铝锂/ 二甘醇二甲醚混合物。将冷指形冷凝器用干冰/异丙醇雪浴在_78°C冷却，以将溶剂保持在反应烧瓶中。将挥发性产物收集在一系列冷却至_196°C的2U阱。在氯化锡的加入过程中形成显著量的氘气，将其送至真空泵，并且在整个反应过程中监控烧瓶中的压力。不允许反应装置的内部压力在任何给定时间超过50托。将氯化锡以大约3分钟间隔的增量加入，之后将氘锡烷冷凝。通过关闭至加液漏斗的隔离阀将余下的氯化锡与收集的氘锡烷隔离。之后，在氯化锡的加入完成之后在残留氘锡烷和氘气的连续移除的情况下允许烧瓶升温至室温。产生总计3.52g的SnD4(27.8毫摩尔；基于SnC14为14%产率)。将氘锡烷气体的一部分经由气相FTI光谱仪使用具有ZnSe板的10-cm气体池分析。FTIR光谱显示氯化氢杂质以及归因于SnD4的吸收带的存在。使用该方法的重复批次合成显示产物产率相当地不同，并且很少达到15%。使用该方法4-10%的产率是更普通的。在不首先将氯化锡溶解在多齿溶剂如二甘醇二甲醚中的情况下加入氯化锡导致差的产率。实施例4非本发明的氘锡烷由氯化锡(净)与LiAlD4在二乙醚中的制备。向容纳有PTFE涂布的磁力搅拌棒的250mL3颈，圆底烧瓶装入3.8g的LiAlD4 (90.6毫摩尔)和125mL的无水二乙醚。烧瓶配备有冷指形冷凝器和含有19.6g的SnCl4 (75.2毫摩尔)的加液漏斗。使用粉末化的干冰/异丙醇雪浴将烧瓶和冷指形冷凝器冷却至_78°C，并将顶部空间氮在真空中移除至大约I托的最终压力。在40分钟的过程中，在通过使反应器暴露至一系列在液氮中冷却的三U阱周期性收集所产生的挥发性气体的情况下，加入氯化锡。在收集SnD4和不凝氘气的移除之前，允许内部反应器压力增加至大约100托。在每种情况下在恢复SnCl4加入之前将压力降低至大约10托。之后，在完成SnCl4加入之后将冷浴从反应烧瓶移除，并且在所产生的挥发性气体的连续移除的情况下允许烧瓶升温至大约-10°C。之后将冷凝的SnD4通过经由使用冷却至-100( 二乙醚溶剂阱)和-196°C (SnD4阱)的双U阱的分馏冷凝(无泵送)移除小量的溶剂提纯。-1oo°c阱含有少量的二乙醚(少于ImL)，并且-196°C阱含有SnD4 (1.43g，11.3毫摩尔，15%产率)。SnD4的典型的分批合成通常产生大约10-12%的较低产率。该实施例证实了由Norman等报道的低产率。实施例5非本发明的氘 锡烷由氯化锡(净)与LiAlD4在没有溶剂的情况下的制备:向容纳有PTFE涂布的磁力搅拌棒的500mL，2颈圆底烧瓶在氮下在手套箱中装入
2.36g的LiAlD4 (56.3毫摩尔)。在真空中将氮从烧瓶移除并且将10.Hg SnCl4(41.3毫摩尔)经由通过将反应烧瓶在液氮(_196°C)中冷却的冷凝加入。之后将液氮浴移除并且允许内含物缓慢地升温至环境温度。在数分钟之后没有反应发生的指示。之后将氯化锡经由冷凝从反应烧瓶移除至另一个玻璃Schlenk管中。(完成这步以便将更多的LiAlD4加入至手套箱中的烧瓶)。将余下的LiAlD4固体用残留的SnCl4润湿。之后将烧瓶封闭至真空源，并且振动以敲落粘附至搅拌棒的固体，以期望材料在真空下的进一步干燥。润湿的固体之后猛烈地爆燃。实施例6非本发明的氘锡烷由氯化锡(净)与LiAlD4在二甘醇二甲醚中使用顶部空间覆盖气体的制备:向具有PTFE涂布的磁力搅拌棒的500mL2颈圆底烧瓶装入3.50g的LiAlD4(83.5毫摩尔)和IOOmL的无水二甘醇二甲醚。之后将烧瓶装上冷却至_78°C的冷指形冷凝器。之后将反应烧瓶经由冷冻脱气并且将反应浆液解冻。之后将氯化锡(10.58，40.3毫摩尔)冷凝至在液氮浴中冷却的反应烧瓶中，之后将体系用由氮中的IOOOppm O2组成的顶部空间覆盖气体升压至I个大气压。将液氮浴移除并且将烧瓶浸溃在_78°C干冰/异丙醇雪浴中。之后允许烧瓶缓慢地升温至大约-1o°c，在该过程中烧瓶的内部压力迅速增加。压力增加的开始出现在大约_60°C并且将挥发物收集在一系列冷却至_196°C的2U阱中。通过使全部气体混合物缓慢地通过U阱，将相当量的不凝气体送至真空泵。通过断开具有开放至下游的真空泵的冷凝序列的相邻的U阱的入口阀，将当烧瓶升温时在反应过程中压力上的积累保持在大约I个大气压。当烧瓶的温度接近-10°C时挥发物被完全移除。该实验未产生回收的SnD4，并且显著量的元素锡留在反应罐中。虽然已经具体给出并参考其优选实施方案描述了本发明，本领域技术人员将明白的是可以在不脱离由所附权利要求涵盖的本发明的范围的情况下可以进行形式和细节上的多种 变更。
权利要求
1.一种合成锡烷或氘锡烷的方法，所述方法包括: 将卤化锡溶解在冷却的溶剂中以形成低温溶液； 形成还原剂和溶剂的混合物； 冷却所述还原剂溶剂混合物； 向溶剂中的所述还原剂缓慢地加入所述卤化锡溶液，同时在加入的过程中继续冷却所述卤化锡溶液和所述还原剂混合物，从而形成反应混合物； 形成反应产物； 在所述卤化锡溶液的加入的过程中，将反应产物从所述反应混合物移除； 在加入全部所述卤化锡溶液并且所述反应产物的形成完成之后，移除反应产物；和 将所述反应产物收集在一个或多个冷阱中； 其中所述还原剂选自氢化铝锂或氘化铝锂，并且所述一个或多个冷阱中的至少一个的温度低于所述反应产物的沸点。
2.权利要求1所述的方法，其中所述还原剂是氢化铝锂并且所述反应产物是锡烷。
3.权利要求1所述的方法，其中所述还原剂是氘化铝锂，并且所述反应产物是氘锡烷。
4.权利要求1所述的方法，其中所述卤化锡选自由氟化锡、氯化锡、溴化锡和碘化锡组成的组。
5.权利要求1所述的方法，其中所述还原剂以化学计量的量至比氢化所述卤化锡所需的量过量约50摩尔％存在。
6.权利要求1所述的方法，其中将所述卤化锡在约0°C至溶剂的熔点的温度溶解在所述溶剂中。
7.权利要求1所述的方法，其中将所述还原剂溶剂混合物冷却到约0°C至约所述溶剂的熔点。
8.权利要求1所述的方法，其中将所述卤化锡溶液加入至所述还原剂混合物以形成所述反应混合物是在真空下进行的。
9.权利要求1所述的方法，其中将所述卤化锡在约0°C至约_64°C的温度溶解在溶剂中。
10.权利要求1所述的方法，其中在卤化锡的加入的过程中所述反应混合物的温度为约(TC至约-70°C。
11.权利要求1所述的方法，其中在所述卤化锡至所述还原剂中的加入完成之后使所述反应混合物的温度升高至约20°C。
12.权利要求1所述的方法，其中将所述反应混合物连续地搅拌。
13.权利要求1所述的方法，其中将所述卤化锡溶液以均匀速率加入至溶剂中的所述还原剂，使得加入全部的所述卤化锡溶液历时约30分钟至约I小时。
14.权利要求1所述的方法，其中将所述卤化锡溶液历时约30分钟至约I小时递增地加入至溶剂中的所述还原剂。
15.权利要求1 所述的方法，其中将所述卤化锡溶液历时约30分钟至约I小时以约0.1分钟至约5分钟的间隔递增地加入至溶剂中的所述还原剂。
16.权利要求1所述的方法，其中所述溶剂是多齿溶剂。
17.权利要求1所述的方法，其中所述溶剂选自由以下各项组成的组:单甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚、四甘醇二甲醚、冠醚以及它们的混合物。
18.权利要求1所述的方法，其中所述溶剂是二甘醇二甲醚。
19.权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个冷阱是静态阱。
20.权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个冷阱是流通阱。
21.权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个冷阱中的至少一个具有低于所述反应产物的沸点的温度。
22.权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个冷阱中的至少一个具有约_190°C的温度。
23.权利要求1所述的方法，其中存在多于一个的冷阱，最后一个冷阱的温度为约-190。。。
24.权利要求1所述的方法，其中存在多于一个的冷阱，第一个冷阱的温度为约_60°C至约-80°C。
25.权利要求1所述的方法，其中将所述反应产物连续地或间隔地移除。
26.权利要求1所述的方法，其中将所述反应产物以约5分钟的间隔移除。
27.权利要求1所述的 方法，其中借助于从最后一个冷阱的出口抽吸的真空将所述反应产物移除。
全文摘要
本发明涉及一种用于通过使卤化锡分别与氢化铝锂或氘化铝锂在多齿溶剂中反应制备锡烷和氘锡烷的方法。
文档编号C01B6/02GK103153866SQ201180048872
公开日2013年6月12日 申请日期2011年8月10日 优先权日2010年8月11日
发明者科尔·J·里特三世 申请人:伏太斯有限责任公司