1.一种多晶硅棒，其通过西门子法培育得到，其中，基于下式，利用绘制成由X射线衍射得到的2θ-sin2Ψ线图的点的最小二乘近似直线的斜率(Δ(2θ)/Δ(sin2Ψ))评价的残余应力(σ)为+20MPa以下，
σ(MPa)＝K·[Δ(2θ)/Δ(sin2Ψ)]
K＝-(E/2(1+ν))·cotθ0·π/180
Ψ：试样面法线与晶格面法线所成的角度(deg.)
θ：衍射角(deg.)
K：应力常数(MPa/deg.)
E：杨氏模量(MPa)
ν：泊松比
θ0：无应变状态下的布拉格角(deg.)。
2.如权利要求1所述的多晶硅棒，其中，所述多晶硅棒在750℃～900℃的温度范围内被实施了用于应力除去的热处理。
3.如权利要求2所述的多晶硅棒，其中，所述热处理后的多晶硅棒保持有所述热处理前的结晶粒径分布和热扩散率。
4.一种多晶硅棒的制造方法，其具备如下工序：在通过西门子法培育出多晶硅棒后，将该多晶硅棒在750℃～900℃的范围的温度下进行热处理而进行应力除去。
5.如权利要求4所述的多晶硅棒的制造方法，其中，在培育出所述多晶硅棒的炉内实施所述热处理。
6.如权利要求4所述的多晶硅棒的制造方法，其中，在培育出所述多晶硅棒的炉外实施所述热处理。
7.一种单晶硅，其以由权利要求1～3中任一项所述的多晶硅棒得到的多晶硅作为原料进行培育而得到。