技术特征：
技术总结
本发明提供一种在石英坩埚中制备硅熔融体的方法，所述方法包括：将钡掺杂的硅片与多晶硅原料放入石英坩埚中进行熔合形成熔融体，在熔融的过程中，所述钡作为促进剂使得所述石英坩埚与熔融体接触的界面形成不透明的二氧化硅层，以降低熔融体以及后续生长的硅晶锭中的杂质浓度。本发明采用多晶硅与钡掺杂的硅晶片熔化而形成熔融物质混合，能在与熔融体接触的石英坩埚的底部及侧壁上形成不透明的二氧化硅层。在晶体生长过程中，形成于坩埚内表面上不透明的二氧化硅层可以降低熔融体以及已经生长的晶体杂质水平。另外，本发明通过离子注的方式入对硅片进行钡掺杂，可以简便且精确地控制钡离子的掺杂量，大大的拓展了本发明的实用性。
技术研发人员：肖德元;张汝京;颜黄实;曹共柏
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2016.07.12
技术公布日：2018.01.19