技术总结
本发明公开了一种大单晶双层石墨烯的制备方法。该制备方法包括如下步骤：利用单层石墨烯作为种子层，采用化学气相沉积法在绝缘衬底上生长石墨烯，即在所述绝缘衬底上得到双层石墨烯。本发明使用单层石墨烯作为双层石墨烯生长的种子层，通过化学气相沉积控制双层石墨烯大面积的生长，实现双层石墨烯的堆叠结构控制。利用纳米铜粉等催化剂在高温下蒸出铜微粒，通过载气将铜蒸汽送到反应衬底处，催化裂解碳源，获得的碳原子或原子团通过气流飘到满单层石墨烯的衬底上，在单层石墨烯上外延生长双层石墨烯，提高生长效率，实现“自下而上”堆叠的制备方式。
技术研发人员：陈珊珊;王伟伟;陈香萍
受保护的技术使用者：中国人民大学
技术研发日：2016.08.26
技术公布日：2019.02.26