1.一种低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
由含硅原料经化学气相沉积制得第一二氧化硅疏松体，其中，所述第一二氧化硅疏松体内具有气孔和羟基；
对所述第一二氧化硅疏松体通入脱羟基气流，并在脱羟基温度下，使所述脱羟基气流对第一二氧化硅疏松体脱羟基后，获得第二二氧化硅疏松体；
对所述第二二氧化硅疏松体在烧结温度下进行烧结，冷却后，获得石英玻璃成品。
2.根据权利要求1所述的低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，
所述脱羟基气流包括脱羟基气体，所述脱羟基气体包括氯气Cl2、二氯化氧硫SOCl2中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，
所述脱羟基气体的流量为0.1～50L/min。
4.根据权利要求2所述的低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，
所述脱羟基气流还包括载料气体，所述载料气体包括氮气N2、氩气Ar、氦气He中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，
所述由含硅原料经化学气相沉积制得第一二氧化硅疏松体，具体为：
将所述含硅原料在500～1200℃的燃烧火焰中，反应生成二氧化硅颗粒，使所述二氧化硅颗粒沉积形成所述第一二氧化硅疏松体。
6.根据权利要求5所述的低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，
所述燃烧火焰以氢气、甲烷、乙炔中的至少一种为燃料气体，氧气或空气为助燃气体相互燃烧形成。
7.根据权利要求1所述的低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，
所述对所述第二二氧化硅疏松体在烧结温度下进行烧结，具体为：
将所述第二二氧化硅疏松体置于烧结空间内，对所述烧结空间抽真空至负压环境，对位于烧结空间内的第二二氧化硅疏松体进行烧结，使所述第二二氧化硅疏松体中气孔在所述负压环境下排出，并将二氧化硅疏松体烧结为透明化的石英玻璃。
8.根据权利要求7所述的低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，
所述对所述烧结空间抽真空至负压环境，之后，还包括：
从所述烧结空间的进气口通入烧结气体气流，对所述烧结空间的出气口进行抽真空，使从所述进气口通入的气流流经所述第二二氧化硅疏松体后从所述出气口抽出，并使所述烧结空间保持负压环境。
9.根据权利要求1所述的低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，
所述对所述第一二氧化硅疏松体通入脱羟基气流，并在脱羟基温度下，使所述脱羟基气流对第一二氧化硅疏松体脱羟基后，获得第二二氧化硅疏松体，具体为：
将所述第一二氧化硅疏松体置于脱羟基空间内，从脱羟基空间的进气口通入脱羟基气流，从脱羟基空间的出气口抽真空，使所述脱羟基空间处于负压环境和脱羟基温度下，所述脱羟基气流对第一二氧化硅疏松体脱羟基，获得第二二氧化硅疏松体；或，
将所述第一二氧化硅疏松体置于脱羟基空间内，从脱羟基空间的进气口通入脱羟基气流，使所述脱羟基空间处于常压环境和脱羟基温度下，所述脱羟基气流对第一二氧化硅疏松体脱羟基，获得第二二氧化硅疏松体；或
将所述第一二氧化硅疏松体置于脱羟基空间内，从脱羟基空间的进气口通入脱羟基气流，从脱羟基空间的出气口对所述脱羟基空间加压，使所述脱羟基空间处于正压环境和脱羟基温度下，所述脱羟基气流对第一二氧化硅疏松体脱羟基，获得第二二氧化硅疏松体。
10.根据权利要求9所述的低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，
所述负压环境在0.01～500pa。
11.根据权利要求1所述的低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，
所述对所述第一二氧化硅疏松体通入脱羟基气流，并在脱羟基温度下，使所述脱羟基气流对第一二氧化硅疏松体脱羟基后，获得第二二氧化硅疏松体，具体为：
对所述第一二氧化硅疏松体加热至脱羟基温度后，对所述第一二氧化硅疏松体通入脱羟基气流。
12.根据权利要求1所述的低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，
所述脱羟基温度在500～1200℃。
13.根据权利要求1所述的低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，
所述烧结玻璃化温度在1000～1700℃。
14.根据权利要求1所述的低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，
所述含硅原料包括四氯化硅、甲硅烷、乙硅烷、六甲基环三硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、十甲基环五硅氧烷、十二甲基环六硅氧烷、十四甲基环七硅氧烷、十六甲基环八硅氧烷、十八甲基环九硅氧烷或二十甲基环十硅氧烷。
15.根据权利要求1所述的低羟基石英玻璃的制备方法，其特征在于，
所述第一二氧化硅疏松体的气孔率在20～90％。
16.一种石英玻璃，其特征在于，包括：
石英玻璃成品，所述石英玻璃成品采用上述1-15中任一所述的低羟基石英玻璃的制备方法制备而成。
17.根据权利要求16所述的石英玻璃，其特征在于，
所述石英玻璃中羟基的含量在1ppm～50ppm或小于1ppm。