技术总结
本发明涉及一种小分子转移石墨烯的方法；用CVD法制备铜箔上生长的石墨烯膜后将其一面用氧等离子体刻蚀掉使得铜箔上剩单面的石墨烯膜，将熔融加热后的石蜡以一定转速旋涂到上述石墨烯膜上，待冷却至室温后用腐蚀液腐蚀掉铜箔，将上述石蜡/石墨烯膜用清水浸润多次后转移到目标基底上，晾干若干小时待石墨烯与基底贴紧后用退火炉退火去除石蜡，得到转移到目标基底的石墨烯膜。所获得的石墨烯膜与用高分子转移的石墨烯膜相比，表面更干净即支持膜去除得更彻底，且保留了石墨烯膜的连续性和优良的导电性。此方法可将石墨烯大规模干净地转移到任意基底。
技术研发人员：封伟;徐莺;沈永涛
受保护的技术使用者：天津大学
文档号码：201610897923
技术研发日：2016.10.14
技术公布日：2017.03.08