1.一种单层二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于具体步骤为：
（1）将硫代钼酸铵在惰性气体保护下于300-1200℃保温1-10h，冷却至室温得到待剥离的2H相二硫化钼块体；
（2）将步骤（1）得到的二硫化钼块体置于小分子溶剂中，超声剥离10-72h，再将得到的悬浮液置于离心机中分离沉淀后得到二硫化钼纳米片悬浮液；
（3）将步骤（2）得到的二硫化钼纳米片悬浮液置于离心管中，再超声1-10h，然后置于离心机中分离沉淀物后得到对应溶剂的2H相单层二硫化钼纳米片悬浮液，其中二硫化钼纳米片的厚度小于1nm。
2.根据权利要求1所述的单层二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述惰性气体为氮气或氩气。
3.根据权利要求1所述的单层二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述离心机的转速为1000r/min，步骤（3）中所述离心机的转速为4000-20000r/min。
4.根据权利要求1所述的单层二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述小分子溶剂为水、甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、丙酮、N-甲基吡咯烷酮或N-甲基甲酰胺。