1.一种碳/碳复合材料表面制备碳化硅纳米线多孔层的方法，其特征在于步骤如下：
步骤1：将C/C复合材料打磨抛光后超声清洗并烘干，将料浆溶液涂刷在C/C复合材料表面，并烘干；所述料浆溶液是：体积比为1:1～1:3的无水乙醇和硅溶胶的混合溶液与硅碳混合粉料成为料浆溶液；所述硅碳混合粉料是质量百分比为65～85％的Si粉；15～35％的C粉
步骤2：将涂刷烘干后的C/C复合材料放入高温真空炉1450～1900℃热处理，过程如下：
将涂刷烘干后的C/C复合材料放在石墨坩埚中；
将石墨坩埚放入真空反应炉中，对真空炉进行真空处理；
再通氩气至常压，以5～10℃/min的升温速度将炉温升至1450～1900℃，保温1～3h；
随后关闭电源自然冷却至室温，整个过程通氩气保护，最后在碳/碳复合材料表面制备出SiC纳米线多孔层。
2.根据权利要求1所述碳/碳复合材料表面制备碳化硅纳米线多孔层的方法，其特征在于：所述无水乙醇为分析纯，质量百分含量≥99.8％。
3.根据权利要求1所述碳/碳复合材料表面制备碳化硅纳米线多孔层的方法，其特征在于：所述Si粉的纯度为99.5％、粒度为300目。
4.根据权利要求1所述碳/碳复合材料表面制备碳化硅纳米线多孔层的方法，其特征在于：所述C粉的纯度为99％、粒度为300目。