一种晶体材料、其制备方法及包含其的非线性光学晶体与流程

技术特征：

1.一种晶体材料，其特征在于，具有如式I或式II所示的化学式：

[A₂M₄Q₇]_n 式I

[AM₃Q₅]_n 式II

式I和式II中，A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。

2.根据权利要求1所述的晶体材料，其特征在于，所述具有如式I所示化学式的晶体材料的结构属于正交晶系；

所述具有如式II所示化学式的晶体材料的结构属于三方晶系。

3.根据权利要求1所述的晶体材料，其特征在于，所述晶体材料是化学式为式I-1的晶体材料、化学式为式II-1的晶体材料、化学式为式II-2的晶体材料中的一种；

Na₂In₄SSe₆ 式I-1

化学式为式I-1的晶体材料，属于正交晶系的Pca2₁空间群，晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝4；

NaGaIn₂Se₅ 式II-1

化学式为式II-1的晶体材料，属于三方晶系的R32空间群，晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝120°，Z＝6；

NaIn₃Se₅ 式II-2

化学式为式II-2的晶体材料，属于三方晶系的P3₂空间群，晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝120°，Z＝6。

4.制备权利要求1至3任一项所述晶体材料的方法，其特征在于，至少包含以下步骤：将含有A所代表的元素、M所代表的元素和Q所代表的元素的原料置于真空条件下采用高温固相法制备得到所述晶体材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述晶体材料是化学式为式I的晶体材料，所述原料中A所代表的元素、M所代表的元素和Q所代表的元素的摩尔比为：

A：M：Q＝2：4：7～15；

或所述晶体材料是化学式为式II的晶体材料，所述原料中A所代表的元素、M所代表的元素和Q所代表的元素的摩尔比为：

A：M：Q＝1：3：5～10。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述原料由A₂Q、M单质和Q单质混合得到。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述高温固相法为将原料置于真空条件下，加热至600℃～950℃保持不少于48小时后，降温冷却即得所述晶体材料；

优选地，所述高温固相法为将原料置于真空条件下，加热至700℃～950℃保持48小时～96小时后，降温冷却即得所述晶体材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述降温冷却为先以1～5℃/h的降温速率降至200℃～400℃后，再关闭加热冷却至室温。

9.一种非线性光学晶体材料，其特征在于，含有权利要求1至3任一项所述的晶体材料、根据权利要求4至8任一项所述方法制备得到的晶体材料中的至少一种。

10.权利要求9所述非线性光学晶体材料在激光器中的应用。