技术总结
本申请公开了一种晶体材料、其制备方法、包含其的非线性光学晶体材料及其在激光器中的应用。所述晶体材料化学式为[A2M4Q7]n或[AM3Q5]n；A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度商用AgGaS2的7.0倍，激光损伤阈值可达商用AgGaS2(可简写为AGS)的11倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。
技术研发人员：李淑芳;郭国聪;姜小明;徐忠宁;曾卉一
受保护的技术使用者：中国科学院福建物质结构研究所
文档号码：201611108475
技术研发日：2016.12.06
技术公布日：2017.05.31