1.一种碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法，其中，所述石墨板位于颗粒状原料的上方，用于过滤碳化硅蒸汽中的碳颗粒,其特征在于，所述涂层的制备方法包括如下步骤：
1)制备TaCl5正丁醇溶液；
2)将多孔石墨板浸入上述溶液内，使多孔石墨板空隙表面完全被饱和溶液浸润；
3)将浸润后的多孔石墨板烘干；
4)将步骤3)制备好的多孔石墨板放入真空炉内，进行升温煅烧，从而使浸润到多孔石墨表面的TaCl5与多孔石墨发生反应，生成TaC层；
5)重复步骤1)-4)的过程，多孔石墨表面形成致密的TaC涂层；
6)将步骤5)制备好的多孔石墨板放入真空炉内，煅烧5-10小时，从而使原有的Ta在石墨体系内全部转化为TaC晶粒，并且和原有的TaC晶粒在高温下逐步长大，并进一步致密化。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4)中，升温到1000℃煅烧2小时。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，重复步骤1)-4)的过程3-5次。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤6)中，采用石墨坩埚及保温材料，在500-10000Pa的压力、2000℃温度下煅烧5-10小时。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，TaCl5正丁醇溶液浓度达到饱和浓度70%-95%。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括步骤7)：将具有致密TaC涂层的多孔石墨板覆盖在碳化硅颗粒状原料表面，将原料与籽晶隔离后进行晶体生长。