技术总结
本发明的碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法，包括如下步骤：1)制备TaCl5正丁醇溶液；2)将多孔石墨板浸入上述溶液内，使多孔石墨板空隙表面完全被饱和溶液浸润；3)将浸润后的多孔石墨板烘干；4)将步骤3)制备好的多孔石墨板放入真空炉内，进行升温煅烧；5)重复步骤1)‑4)的过程，多孔石墨表面形成致密的TaC涂层；6)将步骤5)制备好的多孔石墨板放入真空炉内，煅烧5‑10小时；由于TaC镀层在高温下可以抗碳化硅蒸汽、硅蒸汽腐蚀，因此避免多孔石墨材料在碳化硅生长气氛下粉化，能在晶体生长全周期内起到更好的过滤原料中碳微粒的作用，从而进一步减少晶体内碳包裹物密度。
技术研发人员：高宇;杨继胜;杨昆;郑清超
受保护的技术使用者：河北同光晶体有限公司
文档号码：201611125970
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.05.31