背景技术：
：半导体纳米材料由于其独特的物理特性，在各种光电器件上有很广泛的应用前景。直接带隙半导体ZnO，带隙能为3.37 eV，大的结合能为60 meV，具有重要的应用前景，是构造异质结或超晶格的物质，可以获得高性能的激光二极管和光发射二极管装置，因而引起了广泛的关注。各种形貌的ZnO已经被成功的制备出，如：纳米线，纳米带，纳米管，纳米环等等。由于纳米材料具有微小的尺度，不易操作等特点，造成纳米器件的组装成本非常的高。
技术实现要素：
：本实用新型的目的是提供成本较低、可控性好的气相沉积制备单晶Ag掺杂氧化锌六方微米管的装置，本实用新型的目的是这样实现的，它是由管式电阻炉、陶瓷舟、硅片和石英管组成，在管式电阻炉的中间有石英管，石英管的高温区放置有陶瓷舟，石英管较低的温区放有硅片。
所述的陶瓷舟，其内有反应前驱体。
本实用新型的意义是：本装置工艺简单，对设备要求低，可控程度高，是单晶掺杂氧化锌六方微米管制备好装置。
附图说明：图1为气相沉积制备单晶Ag掺杂氧化锌六方微米管的装置示意图，图中1、管式电阻炉 2、陶瓷舟 3、 硅片 4、石英管 5、反应前驱体。
具体实施方式：
实施例1、本实用新型是由管式电阻炉1、陶瓷舟2、硅片3和石英管4组成，在管式电阻炉1的中间有石英管4，石英管4的高温区放置有陶瓷舟2，石英管4较低的温区放置有硅片3。
实施例2、所述的陶瓷舟2，其内有反应前驱体5。