本发明涉及陶瓷领域，具体地说，涉及一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺。
背景技术：
现有的瓷砖制备过程中，可以分为一次烧制和二次烧制工艺。
一次烧制的工艺由于坯体排氮排气效果差，导致釉面品质和坯体品质难于控制。
作为改进，业内大多采用二次烧制工艺，通过二次烧制工艺来保证釉面品质。但是二次烧制存在的问题也是不容忽视的，具体来说，能耗高、效率低、尺寸经过二次烧制后不容易控制、较低的尺寸精度要求对产品进行磨边。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺，该工艺制备得到的内墙砖尺寸变形率低、釉面品质恒定不受坯体影响。
本发明提供的技术方案为：一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺，所述的内墙砖通过将原料球磨、压坯、干燥、布釉和一次烧制后得到；
其中，所述的原料包括如下组分：
sio264-65％；al2o316.5-17.5％；fe2o31.2-1.5；cao+mgo6.5-7.5％；k2o+na2o2.0-2.5％；烧失量5-8％；
优选地，述的原料包括如下组分：
sio264-65％；al2o317-17.5％；fe2o31.2-1.5；cao+mgo6.5-7.5％；k2o+na2o2.0-2.5％；烧失量7-8％；
所述的烧制过程中，温度为1140-1150℃；烧制时间为75-80min。
在上述的基于一次烧的内墙砖的制备工艺中，所述的压坯的压力为18000-20000kn，所述的压坯时间为6.5-8次/min。
在上述的基于一次烧的内墙砖的制备工艺中，所述的干燥的温度为120-150℃，所述的干燥时间为65-75min。
在上述的基于一次烧的内墙砖的制备工艺中，所述的烧制过程中，温度更为优选为1145℃；烧制时间更为优选为75min
有益效果：
本发明通过一次烧制工艺制备得到了符合标准的内墙砖产品，其边长尺寸偏差为0.5-0.8mm，厚度偏差为±0.2mm；产品精度控制效果好，无需磨边。表面平整度为0.4mm(相对于基准面，上凸或下凹距离)；断裂模数为25-30mpa；莫氏硬度4。
具体实施方式
下面结合具体实施方式，对本发明的技术方案作进一步的详细说明，但不构成对本发明的任何限制。
实施例一
一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺，所述的内墙砖通过将原料球磨、压坯、干燥、布釉和一次烧制后得到；
其中，所述的原料包括如下组分：
sio264.5％；al2o317％；fe2o31.3；cao+mgo7％；k2o+na2o2.2％；烧失量8％；
所述的烧制过程中，温度为1145℃；烧制时间为75-80min。
所述的压坯的压力为19000kn，所述的压坯频率为7次/min。
所述的干燥的温度为130℃，所述的干燥时间为70min。
实施例二
一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺，所述的内墙砖通过将原料球磨、压坯、干燥、布釉和一次烧制后得到；
其中，所述的原料包括如下组分：
sio265％；al2o317.5％；fe2o31.2；cao+mgo6.5％；k2o+na2o2％；烧失量7.8％；
所述的烧制过程中，温度为1150℃；烧制时间为80min。
所述的压坯的压力为20000kn，所述的压坯频率为8次/min。
所述的干燥的温度为150℃，所述的干燥时间为65min。
实施例三
一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺，所述的内墙砖通过将原料球磨、压坯、干燥、布釉和一次烧制后得到；
其中，所述的原料包括如下组分：
sio264％；al2o317.5％；fe2o31.5；cao+mgo7.5％；k2o+na2o2.5％；烧失量7％；
所述的烧制过程中，温度为1150℃；烧制时间为80min。
所述的压坯的压力为20000kn，所述的压坯频率为8次/min。
所述的干燥的温度为150℃，所述的干燥时间为65min。
测试结果
实施例1-3的边长尺寸偏差为0.5-0.8mm，厚度偏差为±0.2mm；产品精度控制效果好，无需磨边。表面平整度为0.4mm(相对于基准面，上凸或下凹距离)；断裂模数为25-30mpa；莫氏硬度4。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其它的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。