技术特征：
技术总结
本发明涉及一种持续供料的SiC单晶生长系统，主要包括：生长炉、坩埚和传动装置，其中，所述坩埚包括：上坩埚和下坩埚，其中，所述上坩埚固定于炉腔的上部，在所述上坩埚内的顶部固定有籽晶；所述下坩埚位于炉腔的下部，在所述下坩埚内设有SiC粉料，且多个所述下坩埚分别设置于所述传动装置上，通过所述传动装置将所述多个下坩埚交替上升至炉腔的上部与所述上坩埚连接，进行所述SiC粉料的持续替换。本发明把坩埚分离为上下两个部分，上部固定籽晶，下部装粉料，晶体生长到一定阶段后，利用传动装置下部碳化消耗过的粉料替换成新粉料，在晶体生长过程中粉料可以不断替换，实现了晶体的不断生长和C包裹物的减少。
技术研发人员：刘新辉;杨昆;路亚娟;牛晓龙;郑清超
受保护的技术使用者：河北同光晶体有限公司
技术研发日：2017.12.28
技术公布日：2018.04.24