1.一种生长石墨烯的装置，其特征在于：包括反应腔（1）、进气机构和真空抽气机构，所述反应腔（1）内固定设置有用于将反应腔（1）分为生长室（3）和匀气室（4）的匀气筛（2），所述生长室（3）内固定设置有层层叠加的生长基底（5），所述进气机构和真空抽气机构均通过电磁阀与匀气室（4）连通。
2.如权利要求1所述的一种生长石墨烯的装置，其特征在于：所述匀气室（4）的数量为两个，所述生长室（3）位于两个匀气室（4）之间，所述进气机构通过电磁阀与其中一个匀气室（4）连通，所述真空抽气机构通过电磁阀与另一个匀气室（4）连通。
3.如权利要求1所述的一种生长石墨烯的装置，其特征在于：所述匀气室（4）的数量为两个，所述生长室（3）位于两个匀气室（4）之间，所述进气机构分别通过两个电磁阀与两个匀气室（4）连通，所述真空抽气机构分别通过两个电磁阀与两个匀气室（4）连通。
4.如权利要求1—3中任一项所述的一种生长石墨烯的装置，其特征在于：所述进气机构包括气体室（8）、混气室（9）和管道，所述混气室（9）通过管道连接在气体室（8）和匀气室（4）之间，所述电磁阀位于混气室（9）与匀气室（4）之间。
5.如权利要求1—3中任一项所述的一种生长石墨烯的装置，其特征在于：所述真空抽气机构包括真空泵（6）、针阀（7）和管道，所述针阀（7）通过管道连接在真空泵（6）与匀气室（4）之间，所述电磁阀位于针阀（7）与匀气室（4）之间。
6.如权利要求1—3中任一项所述的一种生长石墨烯的装置，其特征在于：所述匀气室（4）内固定设置有气流挡板（10）。
7.如权利要求6所述的一种生长石墨烯的装置，其特征在于：所述气流档板为弧形板。
8.如权利要求1所述的一种生长石墨烯的装置，其特征在于：所述生长室（3）内相邻两层生长基底（5）之间的间距为5mm。