本实用新型属于石墨烯领域，尤其涉及一种生长石墨烯的装置，具体而言是一种使用CVD方法生长石墨烯的装置。
背景技术：
CVD方法生长的石墨烯质量高，层数可控，杂质少，因此越来越受到人们的重视。目前利用CVD方法生长石墨烯的炉体结构一般为管式炉结构，而在工业生产大面积规模化生产中，也普遍采用管式炉结构。将管式炉的结构放大，外置加热丝，管式炉石英管最大可以做到500mm。在管式炉中放置上金属生长基底，将金属基底升温，通入甲烷、乙烯、乙炔等碳源气体或者直接用固体碳源，再通入氢气作为还原气氛，氩气等惰性气体作为载气，在高温下，金属将碳源气体或固体裂解，最后在金属表面形成石墨烯。
为了提高生产效率，目前工业上将生长基底用层层叠加的方式于耐高温材料加工的架子上，耐高温材料为石英板、刚玉板等。这种方式导致生长气流容易出现不均匀并使得生长不均匀的情况，这是因为气流进入生长腔体后，具有一定的动能并且容易随着最短路径进入抽气系统。由于工业化生长的基底面积较大，气流在金属基底表面还容易形成涡流，因而导致石墨烯的生长面内不均匀。目前为了使气流均匀采用的最普遍的方案是利用长距离的气流运输，使得气流在低真空环境下自然扩散均匀，但这也导致了石英管炉体的空间利用率不高。另一个方法是尽量使生长基底每一层之间距离足够大，但相应的，也导致了石墨烯的生产效率降低。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于解决现有技术中存在的上述问题，提供一种生长石墨烯的装置，本实用新型能使各层生长基底之间的气流均匀分布，解决了石墨烯生长过程中各层生长基底之间气流均一性差的问题。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
一种生长石墨烯的装置，其特征在于：包括反应腔、进气机构和真空抽气机构，所述反应腔内固定设置有用于将反应腔分为生长室和匀气室的匀气筛，所述生长室内固定设置有层层叠加的生长基底，所述进气机构和真空抽气机构均通过电磁阀与匀气室连通。
所述匀气室的数量为两个，所述生长室位于两个匀气室之间，所述进气机构通过电磁阀与其中一个匀气室连通，所述真空抽气机构通过电磁阀与另一个匀气室连通。
所述匀气室的数量为两个，所述生长室位于两个匀气室之间，所述进气机构分别通过两个电磁阀与两个匀气室连通，所述真空抽气机构分别通过两个电磁阀与两个匀气室连通。
所述进气机构包括气体室、混气室和管道，所述混气室通过管道连接在气体室和匀气室之间，所述电磁阀位于混气室与匀气室之间。
所述真空抽气机构包括真空泵、针阀和管道，所述针阀通过管道连接在真空泵与匀气室之间，所述电磁阀位于针阀与匀气室之间。
所述匀气室内固定设置有气流挡板。
所述气流档板为弧形板。
所述生长室内相邻两层生长基底之间的间距为5mm。
采用本实用新型的优点在于：
一、本实用新型中，通过匀气室能够避免气流直线通过反应腔，使得气流能够在匀气室经自动扩散后再从匀气筛进入反应腔，最后再通过另一匀气室抽走，实现了气流均衡进入反应腔和平缓抽气。与现有技术相比，本实用新型能使生长室各层生长基底之间的气流均匀分布，解决了石墨烯生长过程中各层生长基底之间气流均一性差的问题，最终使制得的石墨烯的性能质量更好。
二、本实用新型中，进气机构分别通过两个电磁阀与两个匀气室连通的结构和真空抽气机构分别通过两个电磁阀与两个匀气室连通结构，能够在生长过程中随时将进气位置和抽气位置进行对调，从而使得生长基底上的石墨烯更加均匀。另外，通过电磁阀控制还能够实现进气与抽气的快速换位。
三、本实用新型中，通过针阀随时能够实时调节抽气量的大小，造成气流扰动消除低压生长过程中可能产生的湍流，使得气流更加平缓和均匀。
四、本实用新型中，通过设置在匀气室内的弧形气流挡板，能够减小反应腔内气流的动能，避免其直线通过反应腔。
五、本实用新型中，生长室内相邻两层生长基底之间的间距为5mm，该结构使得相邻两生长基底之间的距离能够放到最近距离，各层之间的气流分布也均匀，使得可以将生长基底的距离放到最近距离，提高了生长效率。同时，石墨烯的性能也得到了提升，特别是面内生长均匀性的提高。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图中标号为：1、反应腔，2、匀气筛，3、生长室，4、匀气室，5、生长基底，6、真空泵，7、针阀，8、气体室，9、混气室，10、气流挡板。
具体实施方式
实施例1
一种生长石墨烯的装置，包括反应腔1、进气机构和真空抽气机构，所述反应腔1内固定设置有用于将反应腔1分为生长室3和匀气室4的匀气筛2，所述生长室3内固定设置有层层叠加的生长基底5，所述匀气室4的数量为两个，且两个匀气室4相对称，所述生长室3位于两个匀气室4之间，所述进气机构通过电磁阀与其中一个匀气室4连通，所述真空抽气机构通过电磁阀与另一个匀气室4连通。
本实施例中，所述进气机构包括气体室8、混气室9和管道，所述混气室9通过管道连接在气体室8和匀气室4之间，所述电磁阀位于混气室9与匀气室4之间。所述真空抽气机构包括真空泵6、针阀7和管道，所述针阀7通过管道连接在真空泵6与匀气室4之间，所述电磁阀位于针阀7与匀气室4之间。
本实施例中，所述气体室8中的主要气体为碳源气体（包括甲烷、乙炔、乙烷、乙烯等含碳气体）、高纯氢气、高纯氩气、高纯氮气等。所述混气室9的主要功能是将上述反应气体做均匀混合。所述匀气筛2为耐高温材料，对氢气、甲烷等气体无反应活性，在高温下不变形无损伤；所述匀气筛2筛孔均匀分布于匀气筛2上。所述针阀7为可随时自动调节管径大小阀门，通过调节管径大小控制真空系统抽速，达到影响生长气压使气流扰动消除低压生长过程可能产生的湍流的目的。
本实施例中，所述生长室3内的生长基底5一层一层的放置于石英板上，相邻两层生长基底5之间的间距为5mm。
实施例2
一种生长石墨烯的装置，包括反应腔1、进气机构和真空抽气机构，所述反应腔1内固定设置有用于将反应腔1分为生长室3和匀气室4的匀气筛2，所述生长室3内固定设置有层层叠加的生长基底5，所述匀气室4的数量为两个，所述生长室3位于两个匀气室4之间，所述进气机构分别通过两个电磁阀与两个匀气室4连通，所述真空抽气机构分别通过两个电磁阀与两个匀气室4连通。
本实施例中，所述进气机构包括气体室8、混气室9和管道，所述混气室9通过管道连接在气体室8和匀气室4之间，所述电磁阀位于混气室9与匀气室4之间。由于进气机构分别通过两个电磁阀与两个匀气室4连通，因此，电磁阀位于混气室9与匀气室4之间的具体结构为：其中一个电磁阀设置在混气室9与其中一个匀气室4之间，另一个电磁阀设置在混气室9与另一个匀气室4之间，两个电磁阀分别控制混气室9与两个匀气室4之间的通断。
本实施例中，所述真空抽气机构包括真空泵6、针阀7和管道，所述针阀7通过管道连接在真空泵6与匀气室4之间，所述电磁阀位于针阀7与匀气室4之间。由于真空抽气机构分别通过两个电磁阀与两个匀气室4连通，因此，电磁阀位于针阀7与匀气室4之间的具体结构为：其中一个电磁阀设置在针阀7与其中一个匀气室4之间，另一个电磁阀设置在针阀7与另一个匀气室4之间，两个电磁阀分别控制针阀7与两个匀气室4之间的通断。
本实施例中，所述的电磁阀通过工控软件控制，通过前期设置，可程序化自动改变进气方向和抽气方向，使气流流向变化，气流均一性更佳。
实施例3
一种生长石墨烯的装置，包括反应腔1、进气机构和真空抽气机构，所述反应腔1内固定设置有用于将反应腔1分为生长室3和匀气室4的匀气筛2，所述生长室3内固定设置有层层叠加的生长基底5，所述匀气室4的数量为两个，所述生长室3位于两个匀气室4之间，所述进气机构分别通过两个电磁阀与两个匀气室4连通，所述真空抽气机构分别通过两个电磁阀与两个匀气室4连通。其中，所述进气机构包括气体室8、混气室9和管道，所述混气室9通过管道连接在气体室8和匀气室4之间，所述电磁阀位于混气室9与匀气室4之间。所述真空抽气机构包括真空泵6、针阀7和管道，所述针阀7通过管道连接在真空泵6与匀气室4之间，所述电磁阀位于针阀7与匀气室4之间。
本实施例中，所述匀气室4内固定设置有气流挡板10，所述气流档板为弧形板。其中，所述气流挡板10为以耐高温材料，置于匀气室4的进气口和抽气口处，且其凹面朝向进气口和抽气口，反应气体进入高速气流撞击到挡板上被改变方向失去动能，反应气体在低压下自由扩散至反应室。
本实施例的工作原理为：进气机构从其中一个匀气室4中通入甲烷、氢气等气体，而从另外一个匀气室4里抽真空。气流经混气室9混合均匀后，通过电磁阀进入匀气室4，在匀气室4入口处有气流挡板10，气流挡板10的作用是减小气流动能，避免其直线通入反应室。进入匀气室4的气体在匀气室4经自动扩散后从匀气筛2的筛孔中均匀进入反应室。再进入另外一个的匀气室4由真空抽气机构抽走。匀气筛2上均匀的分布若干小孔，使得气体进入反应室均匀且每层生长基底5都有气流通过。