一种用于晶体生长的铱锅的制作方法

本实用新型涉及晶体生长技术领域，尤其涉及一种用于晶体生长的铱锅。

背景技术：

钒酸钇属四方晶系，通常用熔体提拉法生长单晶，晶体是在铱锅内生长，一般的铱锅通过采用浇铸法整体制作而成，但是这类铱锅如图4所示，在铱锅底部必然存在一定高度的浇铸凸台22，在晶体生长过程中，晶体炉内的温场会因此浇铸凸台22产生微观波动，从而影响晶体炉内温场控制精度，而且一般的铱锅保温效果差，内部热量容易散失，这样会造成晶体生长质量的不稳定及不可控性。

技术实现要素：

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种用于晶体生长的铱锅。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种用于晶体生长的铱锅，其特征在于：包括锅体，锅体包括底座，底座上侧配合连接圆管，在锅体外侧设有保护外壳，在锅体与保护外壳之间的夹层中填充保温层，在锅体内侧设有防粘层。

优选地，在所述锅体上侧活动连接铱锅盖，铱锅盖中心设有通孔。

优选地，在所述铱锅盖上方两侧对称设有把手。

优选地，在所述圆管或底座外侧设有环形凹槽，在环形凹槽内设有测温环。

优选地，所述保温层为氧化锆层。

优选地，所述保护外壳为金属外壳。

本实用新型的优点在于：本实用新型采用分体式的铱锅，底部无浇铸凸台，外侧设有保温层和保护壳，减少铱的泄露，本铱锅保温性能高，不会散发铱锅内能量，能够精确控制晶体炉内的温场，使晶体的生长稳定。

附图说明

图1是本实用新型的基本结构示意图；

图2是锅体的结构示意图；

图3是铱锅盖的基本示意图

图4是现有的铱锅结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1、图2和图3所示，本实用新型提供的一种用于晶体生长的铱锅，其特征在于：包括锅体1，锅体1包括底座11，底座11为碗状结构。底座11上侧焊接圆管12，在圆管12或底座11外侧设有环形凹槽13，在环形凹槽13内设有测温环，测温环采用现有技术，本实施例中优选在圆管12外壁设置环形凹槽13。

在锅体1外侧设有保护外壳3，保护外壳3为铸铁、碳钢或者不锈钢制作而成的。在锅体1与保护外壳3之间的夹层中填充保温层2，保温层2为氧化锆填充而成。在锅体1内侧设有防粘层4，防粘层4为聚四氟乙烯或CM-C型材料喷涂而成。

在锅体1上侧活动连接铱锅盖5，铱锅盖5中心设有通孔5.1，通孔5.1为晶体炉腔内提升杆和长成后的晶体让位孔，铱锅盖5上方两侧对称设有把手5.2，把手5.2方便操作人员取下铱锅盖5。