本发明涉及一种高稳定性电子陶瓷材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。
背景技术：
电子陶瓷或称电子工业用陶瓷，它在化学成分、微观结构和机电性能上，均与一般的电力用陶瓷有着本质的区别。这些区别是电子工业对电子陶瓷所提出的一系列特殊技术要求而形成的，其中最重要的是须具有高的机械强度，耐高温高湿，抗辐射，介质常数在很宽的范围内变化，介质损耗角正切值小，电容量温度系数可以调整(或电容量变化率可调整)，抗电强度和绝缘电阻值高，以及老化性能优异等。
电子陶瓷材料的发展，同物理化学、应用物理学、硅酸盐物理化学、固体物理学、光学、电学、声学、无线电电子学等的发展密切相关，它们相互促进，从而在电子技术的飞跃发展中，使电子陶瓷也相应地取得了很大进展。
中高压陶瓷电容器、超高压陶瓷电容器是用量大、重要性高的一类材料，性能要求高，存在温度稳定性差，一些要求苛刻的场合无法使用。
技术实现要素：
本发明针对现有技术存在的不足，提供一种高稳定性电子陶瓷材料及其制备方法，以解决现有陶瓷电容器稳定性不好的问题。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种高稳定性电子陶瓷材料，按重量份包括以下成分：纳米二氧化钛40-50份、纳米二氧化硅20-28份、纳米氧化锆4-8份、纳米氧化镁5-15份、二氧化锰14-25份、氧化铜10-18份、三氧化二铁40-50份、氟硅酸钠1-5份、分散剂1-5份、抗氧化剂2-5份。
本发明进一步设置为，按重量份包括以下成分：纳米二氧化钛20-35份、纳米二氧化硅22-26份、纳米氧化锆4-8份、纳米氧化镁6-12份、二氧化锰16-22份、氧化铜11-15份、三氧化二铁42-46份、氟硅酸钠3-5份、分散剂2-4份、抗氧化剂3-5份。
本发明进一步设置为，按重量份包括以下成分：纳米二氧化钛28-32份、纳米二氧化硅23-25份、纳米氧化锆5-7份、纳米氧化镁9-11份、二氧化锰19-21份、氧化铜12-14份、三氧化二铁42-44份、氟硅酸钠4-5份、分散剂3-4份、抗氧化剂3-4份。
本发明进一步设置为，所述电子陶瓷材料还包括三氧化二铝4-12份。
本发明进一步设置为，所述电子陶瓷材料还包括氟化钙4-10份。
本发明进一步设置为，所述分散剂为十二烷基磺酸钠或聚丙烯酰胺。
本发明进一步设置为，所述抗氧化剂为抗氧剂168、抗氧剂1010、抗氧剂B215或抗氧剂1056中的一种或多种。
本发明还提供了高稳定性电子陶瓷材料的制备方法，步骤包括：
(1)将纳米二氧化钛、纳米二氧化硅、纳米氧化锆、纳米氧化镁加入混合机中混合，得到物料A；
(2)在80-100℃条件下将二氧化锰、氧化铜、分散剂、抗氧化剂混合搅拌30-50min，得到物料B；
(3)物料A加入物料B中，搅拌，逐渐加入三氧化二铁和氟硅酸钠。
本发明具有以下有益效果：温度稳定性好，性能稳定，安全性高。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种高稳定性电子陶瓷材料，按重量份包括以下成分：纳米二氧化钛40份、纳米二氧化硅28份、纳米氧化锆5份、纳米氧化镁13份、二氧化锰19份、氧化铜18份、三氧化二铁50份、氟硅酸钠2份、十二烷基磺酸钠5份、抗氧剂168 4份。
实施例2
一种高稳定性电子陶瓷材料，按重量份包括以下成分：纳米二氧化钛43份、纳米二氧化硅20份、纳米氧化锆6份、纳米氧化镁15份、二氧化锰14份、氧化铜10份、三氧化二铁40份、氟硅酸钠5份、十二烷基磺酸钠3份、抗氧剂1010 5份、三氧化二铝4份、氟化钙4份。
实施例3
一种高稳定性电子陶瓷材料，按重量份包括以下成分：纳米二氧化钛47份、纳米二氧化硅23份、纳米氧化锆4份、纳米氧化镁5份、二氧化锰25份、氧化铜12份、三氧化二铁43份、氟硅酸钠3份、聚丙烯酰胺2份、抗氧剂B215 2份、三氧化二铝12份、氟化钙7份。
实施例4
一种高稳定性电子陶瓷材料，按重量份包括以下成分：纳米二氧化钛50份、纳米二氧化硅26份、纳米氧化锆8份、纳米氧化镁9份、二氧化锰22份、氧化铜15份、三氧化二铁46份、氟硅酸钠1份、聚丙烯酰胺1份、抗氧剂1056 3份、三氧化二铝10份、氟化钙10份。
实施例5
本发明中高稳定性电子陶瓷材料的制备方法，步骤包括：
(1)将纳米二氧化钛、纳米二氧化硅、纳米氧化锆、纳米氧化镁加入混合机中混合，得到物料A；
(2)在80-100℃条件下将二氧化锰、氧化铜、分散剂、抗氧化剂混合搅拌30-50min，得到物料B；
(3)物料A加入物料B中，搅拌，逐渐加入三氧化二铁和氟硅酸钠。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。