1.一种高质量cspbbr3纳米晶的无载流合成方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)搭建无载流液滴反应器，包括注射器和与其固定的注射器推进器、聚合物管道、加热装置及冷却收集装置，其中，所述聚合物管道一端与注射器连接、另一端与冷却收集装置连接，且管道中段完全置于加热装置中；
(2)分别配置pbbr2前驱液和cs前驱液；
(3)将配置好的cs前驱液与微量金属羰基化合物注入到pbbr2前驱液中，混合搅拌得到反应物溶液、装入注射器，反应物溶液经注射器推进器推入聚合物管道，然后流经加热装置进行成核反应，制得的cspbbr3纳米晶悬浊液流入冷却收集装置；
(4)将收集到的cspbbr3纳米晶悬浊液离心，取下层沉淀，即为cspbbr3纳米晶，加入分散液中分散保存。
2.根据权利要求1所述的高质量cspbbr3纳米晶的无载流合成方法，其特征在于，步骤(1)中，所述聚合物管道中段盘圈置于加热装置中。
3.根据权利要求1所述的高质量cspbbr3纳米晶的无载流合成方法，其特征在于，步骤(2)中，所述pbbr2前驱液的配制方法为：将pbbr2粉末与1-十八烯、有机酸、及有机胺或有机膦混合，混合液抽真空的同时搅拌加热至120～140℃、使pbbr2完全溶解，然后通入氩气冷却至室温；其中，所述有机酸、有机胺或有机膦、1-十八烯的体积比为1:1～2:5～20。
4.根据权利要求1所述的高质量cspbbr3纳米晶的无载流合成方法，其特征在于，步骤(2)中，所述cs前驱液的配制方法为：将铯盐粉末与1-十八烯，有机酸混合，混合液抽真空的同时搅拌加热至120～140℃、使铯盐完全溶解，然后通入氩气冷却至室温；其中，所述有机酸与1-十八烯的体积比为1～5:20。
5.根据权利要求1所述的高质量cspbbr3纳米晶的无载流合成方法，其特征在于，步骤(3)中，两种前驱液的用量满足如下比例关系：铯离子与pbbr2的摩尔比为1:2～3。
6.根据权利要求1所述的高质量cspbbr3纳米晶的无载流合成方法，其特征在于，步骤(3)中，所述金属羰基化合物为羰基铁、羰基钨、羰基镍、羰基钴。
7.根据权利要求1所述的高质量cspbbr3纳米晶的无载流合成方法，其特征在于，步骤(3)中，所述金属羰基化合物与两种前驱液总体积之比为1～3:1000。
8.根据权利要求1所述的高质量cspbbr3纳米晶的无载流合成方法，其特征在于，步骤(3)中，所述加热装置的加热温度为140～180℃，控制反应物溶液在加热装置内的停留时间为20～40分钟。
9.根据权利要8所述的高质量cspbbr3纳米晶的无载流合成方法，其特征在于，所述聚合物管道的内径为1～4mm，置于加热装置中的管段长度为1.5～3m；步骤(3)中控制所述注射器推进器的推进速度为80～500μl/min。
10.根据权利要求1所述的高质量cspbbr3纳米晶的无载流合成方法，其特征在于，步骤(4)中，所述离心转速为6000～11000rpm，离心时间为3～10分钟；所述分散液为环己烷。