优选为氮化硼陶瓷坩祸或石英坩祸；所述坩祸优选应用于对以下几种晶体的生长:砷化镓、磷化镓、砷化铟和磷化铟中的一种或几种；所述坩祸中，任意两个面相交的位置都有一定角度的倒角，有利于避免坩祸的磕损或擦伤皮肤。本实用新型对所述倒角的角度没有特殊的限制，采用本领域技术人员常规设定的角度即可。
[0030]本实用新型对所述坩祸的大小没有特殊的限制，能够满足实际的生产需求即可。
[0031]本实用新型提供了一种用于晶体生长的坩祸，包括:坩祸壁和坩祸底，所述坩祸底设置有籽晶槽，其特征在于，所述坩祸壁包括坩祸内壁和坩祸外壁，所述坩祸内壁和坩祸外壁具有倾角；所述坩祸内壁的倾角大于所述坩祸外壁的倾角。本实用新型提供的坩祸侧壁上沿薄，下端厚，使得坩祸上沿散热面积减少，降低其向上的传热量，有利于改善坩祸内的热流情况和液流状况，起到稳定晶体生长界面的作用，提高晶体的产品质量。
[0032]另外，本实用新型提供的坩祸结构和操作简单，生长过程中没有任何机械扰动，装置维护方便，使用寿命长，显著的提高了晶体的成晶率，降低了晶体的生长成本。
[0033]实施例1
[0034]使用本实用新型设计的坩祸，坩祸材质为石英玻璃；坩祸内倾角3° ;外倾角1° ;坩祸高10mm ;直径100mm(上沿外径)；坩祸底部放肩角为120°。
[0035]将直径为5mm的(100方向)向砷化镓单晶籽晶放置在籽晶槽内；将砷化镓多晶及氧化硼原料放置在坩祸内，并将坩祸置于单晶炉中，升温化料，采用垂直温度梯度法生长单晶。
[0036]晶体生长过程稳定；晶体直径60mm，等径良好；晶体质量良好，按照GB/T8760的要求测试晶体的位错密度，结果为晶体平均位错密度在3000/cm2左右，局部位错密度在500/cm2以下；按照国标GB/T 4326的要求测试得到的霍耳电阻率彡17 Ω.cm ;迀移率6000cm2/Vs左右；晶体平均成晶率约为80% ;晶体切片抛光后，晶片质量良好，无生长纹。
[0037]实施例2
[0038]实用本实用新型设计的坩祸，坩祸材质为热解氮化硼陶瓷；坩祸内倾角4° ;外倾角1° ;坩祸高80mm ;直径120mm(上沿外径)；坩祸底部放肩角为150°。
[0039]将直径为5mm的(100方向)向磷化铟单晶籽晶放置在籽晶槽内；将磷化铟多晶、氧化硼原料及铁掺杂剂放置在坩祸内，并将坩祸置于单晶炉中，升温化料，采用垂直温度梯度法生长单晶。
[0040]晶体生长过程稳定；晶体直径80mm，等径良好；晶体质量良好，按照GB/T8760的要求测试晶体的位错密度，结果为晶体平均位错密度在4000/cm2左右，局部位错密度在500/cm2以下；按照SJ/T 3244的要求测试得到的载流子浓度〈10 16/cm3;迀移率3000cm 2/Vs左右；晶体平均成晶率约为40% ;晶体切片抛光后，晶片质量良好，无生长纹。
[0041]实施例3
[0042]实用本实用新型设计的坩祸，坩祸材质为热解氮化硼陶瓷；坩祸内倾角3° ;外倾角1° ;坩祸高120mm ;直径80mm(上沿外径)；坩祸底部放肩角为135°。
[0043]将直径为5mm的(100方向)向磷化铟单晶籽晶放置在籽晶槽内；将磷化铟多晶、氧化硼原料及硫掺杂剂放置在坩祸内，并将坩祸置于单晶炉中，升温化料，采用垂直温度梯度法生长单晶。
[0044]晶体生长过程稳定；晶体直径55mm，等径良好；晶体质量良好；按照SJ/T3245的要求，测得的晶体平均位错密度在4000/cm2左右，局部位错密度在500/cm2以下；按照SJ/T3244的要求测试得到的载流子浓度<1016/cm3;迀移率3000cm 2/Vs左右；晶体平均成晶率约为40% ;晶体切片抛光后，晶片质量良好，无生长纹。
[0045]实施例4
[0046]实用本实用新型设计的坩祸，坩祸材质为石英玻璃；坩祸内倾角3° ;外倾角1° ;坩祸高80mm ;直径120mm(上沿外径);坩祸底部放肩角为120°。
[0047]将直径为5mm的(100)向砷化镓单晶籽晶放置在籽晶槽内；将砷化镓多晶及氧化硼原料放置在坩祸内，并将坩祸置于单晶炉中，升温化料，采用垂直温度梯度法生长单晶。
[0048]晶体生长过程稳定；晶体直径80mm，等径良好；晶体质量良好，按照GB/T8760的要求测试的晶体平均位错密度在3000/cm2左右，局部位错密度在500/cm2以下；按照国标GB/T 4326的要求测试得到的霍耳电阻率彡17 Ω.cm ;迀移率6000cm2/Vs左右；晶体平均成晶率约为80% ;晶体切片抛光后，晶片质量良好，无生长纹。
【主权项】
1.一种用于晶体生长的坩祸，包括:坩祸壁和坩祸底，所述坩祸底设置有籽晶槽，其特征在于，所述坩祸壁包括坩祸内壁和坩祸外壁，所述坩祸内壁和坩祸外壁具有倾角； 所述坩祸内壁的倾角大于所述坩祸外壁的倾角。2.根据权利要求1所述的坩祸，其特征在于，所述坩祸内壁的倾角为3°?6。； 所述坩祸外壁的倾角为1°?2°。3.根据权利要求1所述的坩祸，其特征在于，所述坩祸内壁的倾角为3°?4°; 所述坩祸外壁的倾角为1°。4.根据权利要求1所述的坩祸，其特征在于，所述坩祸底为倒圆锥形。5.根据权利要求4所述的坩祸，其特征在于，所述坩祸底的放肩角为120°?150°。6.根据权利要求1所述的坩祸，其特征在于，所述籽晶槽的内径为4?6mm。7.根据权利要求6所述的坩祸，其特征在于，所述籽晶槽的内径为5mm。8.根据权利要求1所述的坩祸，其特征在于，所述坩祸为氮化硼陶瓷坩祸或石英坩祸。
【专利摘要】本实用新型提供了一种用于晶体生长的坩埚，包括：坩埚壁和坩埚底，所述坩埚底设置有籽晶槽，其特征在于，所述坩埚壁包括坩埚内壁和坩埚外壁，所述坩埚内壁和坩埚外壁具有倾角；所述坩埚内壁的倾角大于所述坩埚外壁的倾角。本实用新型提供的坩埚侧壁上沿薄，下端厚，使得坩埚上沿散热面积减少，降低其向上的传热量，有利于改善坩埚内的热流情况和液流状况，起到稳定晶体生长界面的作用，提高晶体的产品质量。
【IPC分类】C30B11/00
【公开号】CN204803434
【申请号】CN201520468904
【发明人】狄聚青, 朱刘, 胡丹
【申请人】清远先导材料有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年7月1日