专利名称：：化合物、电荷传输材料和有机电致发光元件的制作方法
技术领域：
：本发明涉及新的电荷传输材料和新化合物复进行电氧化或还原时也稳定的电荷传输材料料且具有高效率和长寿命的有机电致发光元件。
背景技术：
：作为薄膜型电致发光(EL)元件，包括掺杂Mn或稀土元素(Eu，Ce,Tb或Sm)的发光中心的II-VI族化合物如ZnS、CaS或SrS的无机材料已习以为常。然而由该无机材料制备的EL元件涉及如下问题1)它们要求逆电流驱动(50-1000Hz);2)它们要求高驱动电压(1-200V);3)通过使用它们难以实现全色显示(特别是蓝色困难)；和4)它们要求昂贵的外周装置驱动电路。然而，近年来，为解决上述问题，已开始开发使用有机薄膜的EL元件。特别地，为增强发光效率，通过开发其中提供包括芳香二胺的空穴传输层和包括8-羟基喹啉的铝配合物的发光层的有机电致发光元件，对电极的种类进行优化，目的在于改进自电极注入载流子的效率。(参见，非专利文献l:Appl.Phys.Lett.,51，913,1987),与使用例如蒽单晶的常规EL元件相比，已极大地改进了发光效率。还提出使用8-羟基喹啉的铝配合物作为主体材料并对其掺杂激光用荧光染料如香豆素(参见，非专利文献2:J.Appl.Phys.，65,3610,1989),由此改进发光效率并进行发射光波长的转化。于是，基本上获得实际可使用的性能。,更特别涉及甚至当反,和4吏用该电荷传输材除了使用上述低分子材料的电致发光元件外，已开发了使用高分子材料如聚(对亚苯基亚乙烯基)、聚[2-曱氧基-5-(2-乙基己氧基)-l，4-亚苯基亚乙烯基]或聚(3-烷基噻吩)作为发光层的电致发光元件，和其中将低分子量发光材料和电子迁移元素与高分子材料如聚乙烯咔唑混合的元件。为提高元件的发光效率，已试验使用磷光代替荧光。与使用荧光(单重态)的常规元件相比，使用磷光(即利用自三重激发态发射光)的元件预期显示3倍以上的改进效率。为此目的，过去研究了形成包括香豆素衍生物或二苯酮衍生物的发光层(参见非专利文献3:51thOyoButsurigakukaiRengoKoenkai，28a-PB-7,1990)。然而，获得特别低的亮度。在这之后，作为利用三重态的一种尝试，已研究了使用铕配合物，但这一尝试未导致实现高发光率。最近，已报道通过使用下面给出的铂配合物(T-1)可高效率发射红光(非专利文献4:Nature,395，151，1998)。这样，通过将下面给出的铱配合物(T-2)掺入发光层中显著改进发绿光(非专利文献5:App.Phys.Lett.，75,4,1999)。为将有机电致发光元件用于显示元件如平板显示器中，必须在驱动时确保足够的稳定性以及改进发光元件的发光效率。然而，使用上面的文献中描述的发磷光分子(T-2)的有机电致发光元件呈现事实上不足的驱动稳定性，尽管它呈现高发光效率(参见非专利文献6:Jpn.J,Appl.Phys.,38，L1502,1999)。因此，在现有状况下，难以实现呈现高效率的显示元件。作为新的材料体系，专利文献1(JP-A-2003-123983)提出了由如下然而，这些化合物具有其中相应吡啶环中的氮原子可相互共轭的结构，因此它们呈现相当小的氧化还原势差。通常，为制备发射蓝色荧光或绿色至蓝色磷光的有机电致发光元件，要求使用具有特别大氧化还原势差的发光染料，并且为以高效率提供和聚焦电荷，要求包围该染料的材料(发光层中的主体材料和构成与发光层相邻的层的电荷传输材料)具有比染料大的氧化还原势差。因此，认为将专利文献1中描述的吡啶基化合物施于蓝色荧光发光元件或磷光发光元件。同样，由于吡咬基化合物在吡啶环上为活性点的2-、4-或6位具有氢原子，因此它们涉及电化学稳定性的问题。因此，为使用它们作为电致发光元件中电荷传输材料，必须对它们进行进一步改进。此外，在发光元件为金属配合物的情况下，当长时间施加电场时，将具有强配位能力的单元如双吡啶基的化合物引入发光层或造成配位体交换。非专利文献7(Collect.Czech.Chem.Commun.(vol.57)(1992))提出下式表示的荧光材料该文献提出主要使用上述化合物作为发射蓝光的荧光染料，但没有公开其它具体应用。此外，在已报道的有机电致发光元件中，通过电荷传输层和电子传输层组合基本上可获得发光。发光的原理是自阳极注入的空穴迁移两层之间的界面附近再次结合，由此激发空穴传输层和/或电子传输层。通常，在空穴传输层与电子传输层之间设置发光层，由此改进发光效率。此外，在某些情况，与阴极一面上的发光层的界面接触设置空穴阻挡层，目的在于促进在发光层中产生激子，由此增强发光效率和发光颜色的纯度。特别地，在其中将基于三芳基胺的化合物用于空穴注入/传输层和铝配合物用于电子注入/传输层的元件中，空穴的迁移率趋于超过电子迁移率，导致空穴通过阴极一侧，而无助于发光。特别是在使用其中发光层的氧化势大且电子传输层使用常用的Alq3(8-羟喹啉的铝配合物)的元件时，对于其中空穴难以限制在发光层内的发蓝光元件或发磷光元件，特别需要空穴阻挡层。对于空穴阻挡层，专利文献2(JP-A-2-195683)描述了例如提供具有比发光层大的电离势的空穴阻挡层，作为其一个例子，提出使用三(5，7-二氯-8-羟基喹啉合)铝。此外，专利文献3(JP-A-9-87616)提出使用硅杂环戊二烯。然而，这些未能提供足够的驱动稳定性。作为破坏驱动的原因，已指出因空穴阻挡材料的低玻璃转化温度(Tg)和空穴阻挡材料被注入的电子或空穴还原或氧化的电化学印刷导致的热降低。在使用以高效率发射磷光的铱配合物作为发光染料的元件中，通铝(III)双(2-曱基-8-喹啉合)4-苯基酚盐)或SAlq(铝(m)双(2-曱基-8-会啉合)三苯基曱硅烷醇盐)，在一定程度上获得长寿命(参见非专利文献8:Appl.Phys.Lett.,vol.81,p.162(2002))。然而，上述化合物的不足空穴阻挡性能已造成元件的不足发光效率问题和电子传输层材料的氧化劣化问题，原因在于部分空穴通过空穴阻挡材料至电子传输层。基于上述问题，必须实现发光层中的电荷和掺杂剂的高发光效率的快速组合，由此给予空穴阻挡材料本身抗电氧化和还原的足够耐久性。因此，对于用于制备高效率发光的稳定元件和这种材料的元件结构的材料，还需要进一步改进和研究。JP隱A画2003画123987JP-A-2-195683JP-A-9-87616Appl.Phys.Lett.,vol.51,p.913，1987[非专利文献2]J.Appl.Phys.，vol.65,p.3610,1989[非专利文献3]The51thOyoButsuri画gakkaiRengoKoennkai，28a國PB國7，1990Nature,vol.395，p.151,1998Appl.Phys.Lett.,vol.75,p.4,1999[非专利文献6]Jpn.J.Phys"vol.38,LI502,1999[非专利文献7]Collect.Czech.Chem.Commun.(Vol.57)(1992)[非专利文献8]Appl.Phys.Lett"vo181，p.162，200
发明内容在上述情况下，本发明人提供具有优良电子传输稳定性、优良抗电氧化还原耐久性和宽氧化-还原势差的电荷传输材料，并提供具有高发光效率和具有高驱动稳定性的有机电致发光元件。还提供具有高无定形、优良耐热性和优良溶解度的化合物。即，本发明在于包括一种化合物的电荷传输材料和使用该电荷传输材料的有机电致发光元件，所述化合物在其分子内具有在2-、4-和6-位取代的两个或多个吡啶环，这些环基本上相互不共轭(条件是吡啶环3-和5-位可被取代)。此外，本发明在于下式(n)表示的化合物，该化合物在优化几何形状时不形成平面结构，和下式(II)表示的化合物，该化合物在优化几何形状时形成平面结构，其中p为0:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>术语"在优化几何时不形成平面结构的化合物"是指该化合物具有不能形成基本上单个平面结构作为分子的优化几何形状的结构。该结构起到抑制分子之间的兀-7l堆叠相互作用，并提供优良的无定形性、溶解度和升华性能。此外，与溶解状态(其中分散分子)相比，当成型为作为分子聚集体的薄膜时，这种结构的化合物可抑制最大吸收波长和最大荧光波长增加的现象。再及，认识到该化合物可抑制三重激能级降低的现象或电氧化-还原差降低的现象。因此，该化合物为可聚积很大的能量(例如光、电或热能)并可释放该聚焦能量(例如光、电或热能)的化合物。此外，术语"在优化几何形状时形成平面结构的化合物"是指该化-成的结构,其中p表示0的化合物，即包括4-吡啶基的化合物显示特别高的耐重复氧化耐久性。特别地，其中吡啶环通过间亚苯基相互连接并且相应的吡啶环的氮原子上的非共轭电子对不能相互直接共轭和其中共轭结构存在与间亚苯基环和吡啶环之间的化合物，显示很大的氧化-还原势差和特别优良的可逆性。无定形性和在有机溶剂中的溶解度可通过破坏吡啶环的对称性改进。这种对称性起到在化合物成型为薄膜时提供稳定成膜性能而不结晶。当吡啶环通过1，3,5-取代亚苯基(衍生自苯环)相互连接时，相应吡啶环的氮原子上的非共轭电子对不能直接相互共轭，而共轭结构存在于1，3，5-取代亚笨基和吡啶环之间，这样具有该结构的化合物显示很大氧化-还原势差和优良的可逆性。此外，存在的具有电子传输性能的三个或多个杂环起到进一步改进化合物的电子传输稳定性和耐热性的作用。该化合物具有优良的无定形性和在有机溶剂中的优良溶解度，并因此在成膜时呈现良好的成膜性能而不结晶。该化合物的高玻璃转化温度(Tg)起到提供优良的耐热性和优良的耐久性的作用。使用本发明电荷传输材料的有机电致发光元件可以高发光度和高效率发射光，显示改进的元件稳定性。本发明的电荷传输材料可用作发光材料、主体材料、电子注入材料、电子传输材料或空穴阻挡材料，取决于基于其优良耐热性、成膜性、电荷传输稳定性和发光性的元件的层结构。用于o:计算机或作为壁挂)、在交通工具°上的显示元件、用于蜂窝电话的显示器、使用作为平光发射体特征的光源(例如用于复印机的光源或用于液晶显示器或仪表的背面光源)、显示板或指标灯，这样元件的技术价值增大。由于本发明的化合物具有很优良的氧化还原稳定性，因此适合将该化合物用于静电复印光感受器以及有机电致发光元件中。此外，本发明的化合物除了本发明的电荷传输材料具有的高性能外，还具有优良的无定形性、溶解度、耐热性和耐久性。因此它可用于发光材料、太阳能电池的材料、电池材料(如电解质溶液、电极、隔膜或稳流器)、医用材料、用于漆的材料、用于涂布的材料、用于有机半导体的材料、用于化妆用品的材料、用于抗静电材料的材料和用于热电元件以及用于电荷传输材料的材料。图1为显示有机电致发光元件的一个例子的横截面示意图。图2为显示有机电致发光元件的另一例子的横截面示意图。图3为显示有机电致发光元件的再一例子的横截面示意图。此外，对于附图中的标号，l表示基板，2表示阳极，3表示阳极緩沖层，4表示空穴传输层，5表示发光层，6表示空穴阻挡层，7表示电子传输层和8表示阴极。具体实施例方式下面给出的对本发明构成的描述介绍了本发明的实施方案(典型的实施例)但不限制本发明。本发明涉及包括一种化合物的电荷传输材料，所述化合物在其分子内具有在2-、4-和6-位取代的两个或多个吡吱环，这些环基本上相互不共轭。这些吡啶环可在其3-和5-位#1取代。本发明的电荷传输材料特别电稳定，因为在其分子内包含在2-、4-和6-位取代的吡啶环。因此，本发明的电荷传输材料用于有机电致发光元件或其类似物可提供改进的稳定性。此外，由于在分子内的吡咬环如在下面描述的不相互共辄，因此难以降低氧化-还原势差。这里使用的术语"在分子内的吡啶环不相互共轭"具有针对下面的连接器Q该化合物满足在分子内具有2个或多个吡啶环。然而，吡啶环数优选为8或更少，因为升华性能或溶解度趋于牺牲且化合物的纯化变得困难。该电荷传输材料的分子量通常为4,000或更小，优选3，000或更小，更优选2,000或更小，通常为200或更大，优选300或更大，更优选400或更大。当分子量超过上限时，可导致严重降低的升华性能，这在将真空沉积法用于制备发光元件时会带来麻烦，或可导致在有机溶剂中的溶解度降低，使得在合成步骤中形成的不纯物的量增加时难以进行高纯化(除去造成劣化的物质)。另一方面，当分子量低于下限时，导致玻璃转化温度降低、熔点降低、气化温度降低和成膜性能降低，这严重损害耐热性。空穴阻挡性能，其在本发明电荷传输材料用于例如有机电致发光元件的空穴阻挡和电子传输层时为一个重要特性，趋于被分子内的二芳基胺部分损害。因此，考虑到空穴阻挡性能，因此，优选不存在二芳基胺部分。此外，尽管不如二芳基胺部分严重，但优选避免芳氧化物和芳硫化物部分，因为它们具有强的空穴传输稳定性，因此降低空穴阻挡性能。这里使用的术语"二芳基氨部分"本发明中是指其中至少两个任意芳香环(在本说明书中，芳烃和芳香杂环在某些情况下统称为"芳香环")作为取代基存在于氮原子上的胺部分，其例子包括二苯基胺部分、苯基萘胺部分和三苯基胺部分。还包括其中取代基相互连接形成环的那些。例如，可列举呼唑部分、N-苯基啼唑部分和N-苯基吲咮部分(条件是不包括其中氮原子通过双键连接至取代基的那些部分(例如吖啶和吩。秦))。它们都为具有强空穴传输性能的部分。本发明中，芳氧化物部分是指其中至少一个芳香环作为取代基存在于氧原子上的氧化物部分，其例子包括苯氧化物部分和二苯基氧化物部分。还包括其中取代基相互连接形成环的那些。其例子包括苯并呋喃部分、氧芴部分和二苯并[1,4]二噁英部分。它们都为具有强空穴传输能力的部分。本发明中，芳基硫化物部分是指其中至少一个芳香环作为取代基存在于硫原子上的疏化物部分，其例子包括苯基硫化物部分和二苯基硫化物部分。还包括其中取代基相互连接形成环的那些。其例子包括苯并噻吩部分、硫药部分和噻蒽部分。它们都为具有强传输能力的部分。然而，当使用本发明的电荷传输材料作为构成发光层的主体(host)材料时，认为合适的是，电荷传输材料包括同时具有电子传输性能和空穴传输性能的化合物。在此情况下，空穴传输取代基是必须的。因此优选在化合物的分子内存在作为能够赋予空穴传输性能的取代基的二芳基部分或呼唑环。特别地，为与在本发明中用作电荷传输材料的化合物的主部分的吡啶环的电子传输性能平衡，优选存在至少一个呻唑环，更优选2个或更多的^唑环，优选6个或更少的^唑环，优选4个或更少的啼唑环，特别优选3个或更少的咔唑环。咔唑环可在分子内相互共辄。但分子内的吡咬环优选不与呼唑环共轭。本发明的电荷传输材料优选为在分子内含2至8个选自非必要取代的2-吡咬基和非必要取代的4-吡咬取代基的吡咬基的化合物的电荷传输材料，其中所有吡咬基连接至连结物Q,且基本上不通过连接体Q相互共扼。然而，当化合物在分子内具有多个2-吡咬基时，取代基2-吡啶基可以相互相同或不同。同样，在化合物在分子内具有多个4-吡。定基的情况下，取代基4-吡啶基可以相互相同或不同。此外，分子中所含的所有吡啶环的2-、4-和6-位连接至连接体Q或任意取代基上。在本发明的电荷传输材料中，连接体0为2-至8-价连接体并且无特殊限制，"只要分子中的所有吡p定基连接至连接体Q，并且吡咬基中的任何两个基本上不通过连接体共扼"即可。其中吡咬基通过连接体Q共价的情况例如为其中分子中2个或多个吡啶基通过直接键、<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>或通过这些基团组合构成的部分结构(其中Gt至G3各自独立地表示氢原子或任意的取代基，或构成芳香烃环或芳香杂环的部分)相互连接的情况。即上述情况不适于本发明。然而，即使当2或多个吡咬基团通过含上述结构的连接体Q连接时，其中连接体Q和通过连接体Q相互连接的和2个或多个吡p定基不能存在于同一平面上的结构(例如，其中连接体Q为连接两个吡啶基的邻亚苯基的情况)相应于其中"(吡啶基)基本上不通过连接体Q相互共轭"的情况，因此包括在本发明中。(Q)这种连接体的例子包括以下描述的式(I)中的-ZrQo-Z广、-Z厂Q(rZ2-和-Z2-Qo-Zr,然而完全不受此限制。对于本发明的电荷传输材，认为包含在化合物分子中的吡啶环之间的共轭将降低化合物的氧化-还原势差或改进在吡啶环上的空穴接受能力，如此促进氧化劣化。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>其中&、R3、R5和Rg各自独立地表示氢原子或任意的取代基，R2、R4、R6和R各自独立地表示任意的取代基，Z!表示直接键或具有能够共轭环A的电子的二价连接体，Z2表示直接—睫或具有能够共，该连接体基本上不可能使选自分子中所含的环A和环B的任何两个成员相互共轭，m表示0至8的整数，n表示0至8的整lt,m和n之和为2至8的整数。此外，当m和/或n为2或更大时，分子中所含的多个R!至R8可以相互相同或不同，和分子中所含的多个Z!和Z2可以相互相同或不同。在式(I)中，选自分子内所含的环A和环B的任何2个吡啶基不通过一Z广Qo-Z广、-ZrQo-Zr或一Z2-Qo-Z2-相互共轭。(Z，Z2)对于式(I)中的Zi和Z2，可使用直接键或具有可共轭电子并将连接体Qo连接至环A或环B的任一连接体。具体地，可列举非必要地具有取代基的链烯基(衍生自链烯烃)；非必要地具有取代基的链炔基(衍生自链炔)；非必要地具有取代基的芳烃基；非必要地具有取代基的芳香杂环基；和包括这些基团中相互连接的两个或多个基团的基团。其具体例子包括相应于以下作为至R8的例子描述的单价基团的那些二价基团。此外，这些基团可具有取代基的例子包括相对于R^至Rs描述的相同基团。考虑到抗电还原的耐久性，Z,和Z2各自优选表示直接键、非必要取代的链烯基、非必要取代的链炔基或非必要取代的芳香烃基，并且考虑到获得高的三重激发态能级和4艮大的氧化-还原势差，特别优选直接键或非必要取代的芳香烃基。各Z!和Z2的分子量优选为400或更小，更优选250或更小，包括取代基的分子量。连接体Zi或Z2的更优选的例子说明如下。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>在各上述结构中，U和Ls各自独立地表示烷基、芳烃基或烷基取代的芳烃基。其'具体例子包括含约1至约6个碳原子的烷基如曱基、乙基、异丙基或叔丁基；含约6至约18个碳原子的芳烃基如苯基、萘基和芴基；和碳原子总数约7至约30个碳原子的烷基取代芳烃基如曱苯基、mesityl基和2,6-二曱苯基。此外，所有上述结构除L6和Ls之外还可具有一个取代基。然而，则会导致很小的氧化-还原势差。因此，优选选取具有很小的给电子性能和很小的吸电子性能并且难以使分子内共轭长度延长的基团作为取代基。作为这种基团的一个具体的例子，还列举烷基、芳烃基和烷基取代的芳烃基，其具体例子包括与上述对L6和Ls说明的相同基团。此外，对于在分子内具有2个或多个上述结构的化合物，该分子中所含的2个或多个U至L8可以相互相同或不同。其中，考虑到获得足够大的氧化-还原势差并考虑到优良的反复抗电氧化还原的耐久性，在上述结构中，优选Z-1(直接键)、Z-2至21、28、29、31至35、48至52和56至60，更优选Z-l(直接键)、Z-2、3、4、5、8、10、12、15、16、17、19、28、29、31、33、34、52和56至58，进一步更优选Z-1(直接键)、Z-2、5、8、12、19、28和29,最优选Z-l(直接键)、Z-2和19。(Qo)连接体Qo表示(m+n)-价连接体，该连接体基本上不可能使选自分子中所含的环A和环B的任何两个相互共轭。具体地，可列举非必要地具有取代基的链烷基(衍生自链烷)；非必要地具有取代基的链烯基(衍生自链烯烃)；非必要地具有取代基的链炔基(衍生自链炔)；画NRa隱(其中Ra表示任意取代基)、隱O國、画CO画、-COO画、画SO-、-S02-;非必要地具有取代基的酰胺基；非必要地具有取代基的曱硅烷基；非必要地具有取代基的硼烷基；非必要地具有取代基的膦酰基(phosphino);非必要地具有取代基的芳烃基；非必要地具有取代基的芳香杂环基；和包括这些基团中相互连接的两个或多个基团的基团。其中，考虑到足够增大氧化-还原势差和抗反复电氧化还原耐久性，优选非必要地具有取代基的链烷基、-NRa-、非必要地具有取代基的曱硅烷基、非必要地具有取代基的芳烃基和非必要地具有取代基的芳香杂环基作为Qo。此外，由于预期高电子传输性能和高空穴阻挡性能，更优选列举非必要地具有取代基的芳烃基和亚吡吱基(衍生自吡啶的二价基团)，其中特别优选非必要地具有取代基的芳烃基。包括取代基的Qo的分子量优选为400或更小，更优选250或更小。此外，当Qo表示亚吡啶基时，该化合物优选具有抑制吡啶环之间共轭的基团作为Z,和/或Z2。其具体例子包括相应于将在下面作为R！至R8的例子描述的单价基团的(m+n)-价基团。它们可具有并且优选的取代基的例子与下面针对为R,至Rs描述的那些相同。Ra的例子还包括与下面作为Ri至Rs描述的相同的基团，并且同样适用于其优选的例子。連接体Qq的例子将在下面描述，然而丝毫不受此限制。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>Q一58Q—59Q—60Q—61在各上述结构中，Lu)和Lu各自独立地表示烷基、芳烃基或烷基取代的芳烃基。其具体例子包括含约1至约6个碳原子的烷基如曱基、乙基、异丙基和叔丁基；含约6至约18个碳原子的芳烃基如苯基、萘基和芴基；和碳原子总数约7至约30个碳原子的烷基取代芳烃基如曱苯基、mesityl基和2，6-二曱苯基。此外，所有上述结构除L1Q和Lu之外还可具有一个取代基。然而，若取代基对连接该结构的吡啶环或其类似物的电子状态产生强影响，则会导致很小的氧化-还原势差。因此，优选选取具有很小的给电子性能和很小的吸电子性能并且难以使分子内共轭长度延长的基团作为取代基。作为这种基团的一个具体的例子，还列举烷基、芳烃基和烷基取代的芳烃基，其具体例子包括与上述对L^和Ln说明的相同基团。此外，对于在分子内具有2个或多个上述结构的化合物，该分子中所含的2个或多个Lh)和L可以相互相同或不同。其中，考虑到获得足够大的氧化-还原势差、实现优良的抗电氧化还原的优良耐久性和获得，优选Q-1至4、7至13、19至23、29、34至43,45和51至61，更优选Q-l、8至13、19、20、21、23、34,35至42、45和55至61，进一步更优选Q-l、8至12、20、21、23、34、35、45、58和61，最优选Q-1、11、12、23和35。(A至R8)式(I)中的RpR3、R5和Rs各自独立地表示氢原子或任意的取代基，R2、R4、Re和R7各自独立地表示任意取代基。用作R,至Rs的任意取代基的具体例子包括非必要地具有一个取代基的烷基(优选含1至8个碳原子的直链或支化烷基；如曱基、乙基、正丙基、2-丙基、正丁基、异丁基或叔丁基)；非必要地具有一个取代基的链烯基(优选含2至9个碳原子的链烯基；如乙烯基、烯丙基或l-丁烯基)；非必要地具有一个取代基的链炔基(含2至9个碳原子的链炔基；如乙炔基或丙炔基)；非必要地具有一个取代基的芳烷基(优选含7至15个碳原子的芳烷基；如节基)；非必要地具有一个取代基的氨基(优选具有含1至8个烷基并非必要地具有一个取代基的烷氨基(如曱氨基、二亚氨基或二千氨基)，具有含6至12个碳原子并且非必要地具有一个取代基的芳烃基(如苯氨基、二苯氨基或二曱笨氨基)，非必要地具有取代基的具有5-或6-元方程杂环的杂芳香氨基(例如吡啶氨基、噻酚氨基或二噻酚基氨基)，具有含2至10个碳原子的酰基且非必要地具有取代基的酰氨基(例如乙酰氨基或苯曱酰氨基)，非必要地具有取代基的烷氧基(优选具有1至8个碳原子且非必要地具有取代基的烷氧基；例如曱氧基、乙氧基或丁氧基)，非必要地具有一个取代基芳氧基(具有优选含6至12个碳原子的芳烃基；例如苯氧基、1-萘氧基或2-萘氧基)，非必要地具有取代基的杂芳氧基(优选具有5-或6-元芳香杂环基；例如吡啶氧基或噻酚氧基)，非必要地具有取代基的酰基(优选含2至IO个碳原子且非必要地具有取代基的酰基；例如曱酰基、乙酰基或苯曱酰基)，非必要地具有取代基的烷氧羰基(优选含2至10个碳原子且非必要地具有取代基的烷氧羰基；例如家养羰基或乙氧羰基)，非必要地具有取代基的芳氧羰基(优选含7至13个碳原子且非必要地具有取代基的芳氧羰基；如苯氧基羰基)，非必要地具有取代基的烷基羰氧基(优选含2至IO个碳原子且非必要地具有取代基的烷羰氧基；如乙酰氧基)，卣原子(特别是氟原子或氯原子)，羧基，氰基，羟基，巯基，非必要地具有取代基的烷疏基(优选含1至8个碳原子的烷硫基；如曱硫基或乙硫基)，非必要地具有取代基的芳硫基(优选含6在12个碳原子的芳硫基；例如苯基或l-萘硫基)，非必要地具有一个取代基的磺酰基(例如曱磺酰基或曱苯磺酰基)，非必要地具有一个取代基的曱硅烷基(例如三曱基曱硅烷基或三苯基曱硅烷基)，非必要地具有一个取代基的硼烷基(例如二dimesitylboryl)，非必要地具有一个取代基的膦酰基(如二苯基膦酰基)，非必要地具有一个取代基的芳烃基(例如^f汙生自5-或6-元单环或含2至5个稠合环的一价环，如苯环、萘环、蒽环、菲环、二萘嵌苯环、并四苯环、芘环、苯并芘环、chrysene环、苯并[9，10]菲环或荧蒽)和非必要地具有取代基的芳香杂环(例如衍生自5-或6-元单环或含2至4个稠合环的稠合环的单价基团，如呋喃环、苯并呋喃环、p塞酚环、苯并蓬酚环、p比咯环、p比峻环、咪哇环、噁二哇环、p引咮环、呼峻环、吡略并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噢酚并吡咯环、p塞酚并遂酚环、呔喃并吡咯环、吹喃并吹喃环、p塞酚并吹喃环、苯并异噁峻环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三溱环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、苯并咪唑环、嘧啶环或会唑淋环)。包括其取代基的各R,至R8的分子量优选为400或更小，更优选250或更小。(R!至Rs的取代基)这些基团可具有的取代基无特殊限制，只要这些取代基不损害本发明电荷传输材料的性能即可，但其优选的实施例包括烷基、芳烃基和烷基取代的芳烃基。其具体例子包括含约1至约6个碳原子的烷基如曱基、乙基、异丙基或叔丁基；含约6至约18个碳原子的芳烃基如苯基、萘基或芴基；和碳原子总数约7至约30个碳原子的烷基取代芳烃基如甲苯基、mesityl基或2,6-二甲苯基。R2、R4、R6和R7可为任一上述基团，但考虑到改进抗电氧化和还原的耐久性和耐热性，它们优选为芳香基(本发明中，芳烃基和芳香杂环基在某些情况下统称为"芳香基")。其中R4至Rs各自表示芳香环的具体例子说明如下。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>在各上述结构中，Li至L3各自独立地表示烷基、芳烃基或烷基取代的芳烃基，L4和Ls各自独立地表示氢原子、烷基、芳烃基或烷基取代的芳烃基。烷基、芳烃基和烷基取代的芳烃基包括含约1至约6个碳原子的烷基如曱基、乙基、异丙基或叔丁基；含约6至约18个碳原子的芳烃基如苯基、萘基或芴基；和碳原子总数约7至约30个碳原子的烷基取代芳烃基如曱苯基、mesityl基或2，6-二曱苯基。此外，所有上述结构除L!至Ls之外还可具有一个取代基。然而，若取代基对连接该结构的吡啶环或其类似物的电子状态产生强影响，则会导致很小的氧化-还原势差。因此，优选选取具有很小的给电子性能和很小的吸电子性能并且难以使分子内共轭长度延长的基团作为取代基。作为这种基团的一个具体的例子，还列举烷基、芳烃基和烷基取代的芳烃基。此外，对于在分子内具有2个或多个上述结构的化合物，分子中所含的2个或多个Li至Ls可以相互相同或不同。在上述说明性结构中，考虑到获得足够大的氧化-还原势差，优选R陽l至6、10至13、33、34、38、45和48,更优选R-l至6和48,最优选R-1、4至6和48。Rj、R3、R5和R8优选非必要地具有取代基的烷基或非必要地具有取代基的芳烃基(特别是含约6至约12个碳原子的芳烃基，考虑到避免限制降低发光效率的分子振动，更优选氢原子或芳烃基，考虑到赋予很大的氧化势或长寿命(优良的耐抗氧化还原性)，其中特别优选氢原子或苯基。上式(I)表示的化合物的最大特性是它在分子内在其中它们不能相互共轭的位置具有两个或多个吡啶环。这样起到实现优良的电子传输性能和宽氧化-还原势差的作用。另一方面，若吡啶环数太大，则导致这样的强碱性当该化合物加入发光层或与其相邻的层时，因长时间施加电场产生配体交换的可能性。基于此观点，表示连接至Q。的Z!个数和连接至Zi的环A的个数的m与表示连接至Qo的Z2个数和连接至Z2的环B的个数的n之和优选为2至8，更优选2至6，进一步更优选2至4，最优选2至3。此外，m为0至8、优选0至4的整数。此外，n为0至8、优选0至4的整数。考虑到增大氧化-还原势差和抗反复氧化和还原的耐久性，m优选为0或1,n为1或更大的整数。考虑到增大氧化-还原势差，优选2-吡啶基(即环A)。因此，优选其中n为O的情况。考虑到抗反复氧化和还原的耐久性，优选4-吡啶基(即环B)。即优选其中m为O的情况。此外，通过使用具有相同电化学性能的仅吡啶环构成本发明的电荷传输材料，可增大氧化-还原势差并可抑制因电应力聚焦导致的电损害进展，这就是其中n或m为O的情况。然而，当其中需要在通过使用湿成膜法形成本发明有机化合物的薄膜时需要改进溶解度的情况下，一种有效的方式是有意使用具有不同取代基的吡啶环(即m和n同时为1或更大的整数)。此外，在其中n或m为0和化合物4又具有环A和环B之一和其中环A或环B上的取代基(Ri至R4或Rs至Rs)对于相应的环不同的情式，同样有效的是合适地选取取代基，由此使具有稍微不同电化学特性的取代吡啶环共存于分子内。此外，将本发明的电荷传输材料用于有机电致发光元件-l)中作为构成发光层的主体材料的情况下，需要该材料具有合适优良的空穴传输特性和合适优良的电子传输特性。因此，优选在分子内具有给电子取代基的那些(例如烷基、氨基或烷氧基)，其中特别优选含芳香氨基的那些。为具有芳香氨基，优选如上所述的芳香氨基，即二芳基胺部分。然而，在此情况下，这是其中吡啶环和给电子杂原子基本上不能相互共轭的结构。它们之间的共轭使产生分子内的极化现象明显，导致氧化-还原势差降低或三重激发态能级降低。此外，在含铱配合物代表的金属配合物作为掺杂剂的体系中，通常某些掺杂剂本身可接受和传输空穴。因此，在某些该体系中，不必有意赋予主体材料空穴传输性能。在此情况下，相对优选使用如下面作为2)描述的被认为增强电子传输性能的结构。在2)用作电子传输材料和/或空穴阻挡材料的情况下，需要降低空穴传输性能并增强电子传输性能。因此，优选在分子内不具有给电子取代基(如烷基、氨基、烷氧基、芳氧基、烷硫基或芳硫基)的那些，更优选不具有含二芳胺部分的那些。(Qo的取代基)式(I)中的连接体Qo可被任意取代基取代。取代基的例子包括与前面对至R8描述的相同的那些。为赋予式(I)的化合物适当宽的氧化-还原势差，优选Qo为未取代的或被烃基取代的，考虑到限制分子振动，Qo更优选为未被取代的(氢原子)或被曱基或苯基取代的，最优选为未被取代的Q0。上式(I)表示的化合物的分子量通常为4,000或更小，优选3,000或更小，更优选2,000或更小，通常为200或更大，优选300或更大，更优选400或更大。当分子量超过上限时，可导致严重降^^的升华性能，这在将真空沉积法用于制备发光元件时会带来麻烦，当分子量低于下限时，导致玻璃转化温度降低、熔点降低和气化温度降低，这严重损害耐热性。本发明电荷传输材料的优选的具体例子为下面给出的，然而，这些例子并不限制本发明。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage49</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage52</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage54</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage55</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage57</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage58</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage59</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage60</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage61</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage62</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage63</formula>结构选取起始材料采用已知方法合成。例如，A)在使用Z-(CHO)作为起始材料的情况下可采用如下方法l)通过强酸如硫酸存在下在乙酸、醇、硝基苯、氯苯、二氯苯或环己烷的单一溶剂中或在其混合溶剂中在室温下搅拌1当量醛和0.5至2当量乙炔化物1至10小时或将其在强碱如氢氧化钠存在下在醇和/或含水溶剂中在加热下搅拌i至io小时，由此获得中间体(-CH-CR-CO-),并将其在加热条件下在氧存在下作用到酰基吡啶総盐和乙酸铵上的合成方法，如Angew.Chem.Int.Ed.Engl.(1962),Synthesis(1976)，1-24,J.HeterocyclicChem.(1977)14，147,Collect.Czech.Chem.Commun.57(1992)2，385-392andCS-262585中描述的。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage65</formula>2)将醛与乙炔化物在氧化剂如三氟化硼或高氯酸存在下在加热条件下在曱苯溶剂中生产吡喃鐵盐、并将该反应产品与氨在水或醇溶剂中反应的方法如LiebigsAnn.Chem.(1974)，1415-1422，J.Org.Chem.38(2002)6,830-832andJP-A-2000-186066中描述的。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage65</formula>3)由乙酸铵、醛和乙炔化物在乙酸、醇、硝基苯、曱苯、氯苯、二氯苯或环己烷的单一溶剂中或在其混合溶剂中在室温下的一步合成方法，如J.Am.Chem.Soc.(1952)74,200中描述的。NH4OAc->>Acid4)通过将醛和2当量乙炔化物在强碱如氢氧化钠存在下在无溶剂存在下使用研钵研磨由此生产中间体(二酮)，然后将其在加热下作用到乙酸、醇、硝基苯、曱苯、氯苯、二氯苯或环己烷的单一溶剂或在其混合溶剂上的合成方法，如Chem.Commun.(Cambridge)(2000)22,2199-2200中描述的。。T卞bBaseNH4OAC-^~Acid5)由醛和亚乙基乙烯基胺的一步合成方法，如J.Org.Chem.(1988)，53,5960中描述的。CF3C02HFlV乂N、乂R'R1B)使用在2-、4-和6-位的至少一个位置被囟原子如氯、溴或碘取代的吡啶环能够使卣元素转换至任意取代基。例如，可列举通过在钯催化剂存在下在加热条件下作用溴化锌或硼酸的合成方法，如Org丄ett.3(2001)26,4263-4265中描述的。+R*~ZnCIPd卿a)afc1c)除此之外，在引入各种取代基或形成连接体z时，可根据需要使用任何已知技术。例如，当Z为直接键时，列举1)通过使用低聚甲醛作为醛和芳香酰基化物作为乙炔化物，用卣化试剂如N-溴代丁二酰亚胺卣化吡啶环的-位获得由化物产品，将卣原子转化为-B(OH》基、-ZnCl基或-MgBr基，并将该产品与囟化物产品偶联来合成在其2-和6-位具有芳香基吡啶的方法；2)将卣化物产品用正丁基锂转化为其锂产品，将其用N,N-二曱基基的吡啶，然后将该产品用乙炔化物反应合成第二个吡啶环的方法；和3)将上面步骤B)中的作为起始物描述的2,6-二氯-4-碘吡啶在碱存在下使用铜催化剂如铜粉在150至250°C下搅拌由此合成2,6，2，,6，-四氯-[4，4，]联苯，并将其按照与上面B中描述的相同方式处理的方法。此外，对于在合成时使用的醛(Ra-CHO),可适当使用通常可获得的试剂，但若必要，可容易按照如下方法合成1)一种将烷基锂如丁基锂或强碱如氢化钠、三乙基胺、叔丁醇钾或氢化钠(优选烷基锂如丁基锂)作用于例如卤化物(Ra-X)或具有活泼氢(Ra-H)的烃化合物、然后将该产品用N，N-二甲基甲酰胺处理的方法(Organic&BiomolecularChemistry(2003)1，7，1157-1170orTetrahedronLett.42(2001)37,6589-6592);2)将-C02R基(其中R表示氢原子、氯原子、烷基、芳香基或氨基)用铝氬化锂或硼氬化钠还原生产醇，然后用氯曱酸吡啶鎗、二氧化锰、碘酰苯曱酸或过二硫酸盐、2，3-二氯-5，6-二氰基-1,4-苯醌氧化形成一CHO产品的方法(J.Med.Chem.(1990)33，2408-2412;Angew.Chem.,Int.Ed.40(2001)23,4395-4397;J.Am.Chem.Soc.(2002)124,10,2245-58;J.Am.Chem.Soc.(1993)115，9,3752-3759;J.Chem.Res"Synop.(2001)7,274-276;Synthesis(2001)15,2273-2276;Bull.KoreanChem.Soc.20(1999)11,1373-1374;Arzneim.Forsch.47(1997)1，13-18;J.Org.Chem.63(1998)16，5658-5661;J.Chem.Soc.Sec.C;Organic(1968)6，630-632);3)将-C02R基(其中R表示氢原子、氯原子、烷基、芳香基或氨基)用三(二烷基氨基)铝氢化锂或三(二烷基氨基)铝氢化钠一步还原转化为—CHO的方法(Bull.KoreanChem.Soc.，13(1992)6，670-676;Bull.KoreanChem.Soc.,12(1991)1,7陽8;Org.Prep.Proced.Int.24(1992)3,335-337》4)将-C02R基(其中R表示氢原子、氯原子、垸基、芳香基或氨基)一步还原转化为-CHO的方法(Chem.Ber.(1959)92，2532-2542;WO00/12457;Bull.Chem.Soc.Jpn.(2001)74，1803-1815);5)将-CN基用三(二烷基氨基)铝氢化锂一步还原转化为-CHO的方法(Bull.KoreanChem.Soc.,13(1992)6,670-676);6)将邻碘酰基苯曱酸、Dess-Martin全石典烷(periodinane)或乙酰氧基碘酰基苯曱酸作用于Ar-CH3基(其中Ar表示芳香基)变为Ar-CHO的方法(J.Am.Chem.Soc.(2002)124，10，2245-58);7)将Ar-CH3基(其中Ar表示芳香基)借助Ar-CH2Br或Ar-CH2OAcO转化为Ar-CH2OH，并将该产品用氯曱酸吡啶鎿、二氧化锰或碘酰苯甲酸转化为-CHO的方法(J.Org.Chem.(1993)58,3582-3585);8)通过将Vilsmeier试剂作用于l-乙基-l-芳基烯丙基醇上合成芳基羧基醛的方法(IndialJournalofChemistry(1988)27B,213-216);9)通过将Vilsmeier试剂作用于1,4-环己二烯上合成芳基羧基醛的方法(Synthesis(1987),197-199;Synthesis(1985),779-781);10)通过用溴或N-溴代丁二酰亚胺溴化Ar-CH3基将Ar-CH3基(其中Ar表示芳香基)转化为Ar-CHO由此生产Ar-CH2Br,然后在其上作用2-硝基丙烷碳阴离子试剂或六亚曱基四胺的方法(Collect.Czech.Chem.Commim.(1996)61，1464-1472;Chem.Eur.J.(1996)2，12，1585-1595;J.Chem.Research(S)，(1999)210-211);11)由多次曱基鎗盐(例如六次曱基鑰盐)获得芳基醛(例如1,3,5-三曱酰基苯)的方法(Collect.Czech.Chem.Co薩un.(1965)30，53-60);12)通过三曱酰基曱烷自缩合形成1，3,5-三曱酰基苯的方法(Collect.Czech.Chem.Commun.(1962)27，2464-2467);和13)通过用二烷基胺将(其中Ar表示芳香环基)转化为ArCHO的方法(BulletindeLaSocieteChmiqueDeFrance(1966)9,2966-2971)。作为在合成化合物时使用的酮(Re-CO-CH2-Rb))，可适当使用通常可获得的试剂，但若必要，可容易按照如下方法进行合成1)通过用各种烷基化试剂(如烷基锂、二甲基疏酸或二曱亚砜)处理R、C02R基团(其中R表示氢原子、氯原子、烷基、芳香环基或氨基)将其转化为Re-CO-CH2Rb的方法(J.Am.Chem.Soc.(1959)，81,935-939;J.Am.Chem.Soc.(1961)83,4668-;TetrahedronLett.(1967)1073-;J.Chem.Soc.,PerkinTrans.1(1977)680;JP-5-5062039);和2)在路易斯酸如氯化铝存在下合成作用酰基化试剂如酰氯的方法(特别流行Friedel-Crafts反应)。本发明的的化合物可通过从反应产品中，按照常规方式根据需要通过过滤或萃取和随后经诸如重结晶或柱色谱技术的浓缩和純化获3曰侍。当连接体Zi和Z2、Qo和R!至R8为杂环时，还可通过如下方法合成最终产品由通常可获得的试剂或通过使用文献HeterokanNoKagaku-IyakuhinNoKiso(2002,Kimieda,etal"Kagakudojin-sha)andHeterocyclicChemistry(4thed.，2000,J.A.JouleandK.Mills,BlackwellScienceCo.)中描述或引用的合成方法制备其前体，并将所得前体进行上述合成工艺或4安照文献PalladiuminHeterocyclicChemistry:AguidefortheSyntheticChemist(2nded.，2002,JieJackLiandGordonW.Gribble:PergamonCo.)andSenikinzokuGaHirakuYukigousei-SonoTasaiNaHannokeishikiToSaishinNoSeika(1997，JiroTsuji，Kagakudojin-sha)中描述或引用的进行偶联反应。当本发明的电荷传输材料用于有机电致发光元件时，使用发磷光的染料的有机金属配合物作为发光层中的掺杂剂提供特别优良的发光效率和驱动寿命。当有机金属配合物为其中2-芳基吡咬基配体和金属元素通过碳-金属CT碱和氮-金属配位键相互连接时，这一效果特别明显。因此，该有机金属配合物优选具有2-芳基吡咬基配体。对于中心金属，生成其发光机理涉及至少电荷自配体轨道转移至金属原子轨道的配合物的金属是优选的,的层(空穴阻挡层和/或电子传输层)相同的层时,具有2-芳基吡咬基配体的电荷传输材料的物化类似性、电化学类似性和三重激发态能级类似性发挥其效果，并由此带来掺杂剂上电荷再次偶联的改进效果、能量自基体分子转移至掺杂剂的改进效果、和发光层与空穴阻挡层之间的激发减活化几率p争低的效果。本发明的电荷传输材料具有如此高的电荷传输性能，以至于它可有利地用作静电复印感光器、有机电致发光元件、光电转化元件、有机太阳能电池和有机整流元件中的电荷传输材料。特别地，因其优良的电子传输性能，因此适合用作电荷传输化合物。时间稳定运行(发光)的有机电致发光元件，因此它适合作为有机电致发光元件的材料。下面，描述本发明的有机电致发光元件。本发明的有机电致发光元件具有阳极、阴极和设置在两个电极之间的有机发光层(以下在某些情况下仅称为"发光层")，并且特征在于它具有含本发明电荷传输材料的层。本发明元件足够的是至少具有阳极、阴极和设置在两个电极之间的发光层。由于本发明的电荷传输材料具有宽光学谱带间距并具有合适的电子传输性能，因此将该材料用于与发光层的阴极接触设置的层(以下称为"空穴阻挡层")特别有效。此外，本发明的电荷传输材料可用于构成有机电致发光元件的任何层。特别地，如前面描述的，优选用于有机发光层(以下有些情况下仅称为"发光层，，)和设置在发光层与阴极之间的电子传输层。为有效使用用作本发明电荷传输材料的化合物特性，优选将该化合物用作不必与发光层接触设置的空穴阻挡层的材料。此外将与发光层的阴极界面接触的层通常称为空穴阻挡层。此外，在用作发光层的材料，特别是用作主体材料的情况下，可获得显示高发光效率的有机电致发光元件，因此这种情况是优选的。70特别地，当将本发明的电荷传输材料用于发光层时，将电子适当注入发光层时，由于该材料具有衍生自吡啶环的适当LUMO能级，导致与自空穴传输层注入的空穴的有效组合。因此，这种发光层可用作不具有空穴阻挡层的有机电致发光元件的发光层。此外，本发明的电荷传输材料可用于多层中，特别优选将其同时用于发光层和空穴阻挡层中。将本发明的电荷传输材料同时用于发光层和空穴阻挡层中起到进一步延长元件寿命的作用。还可以将本发明的多种电荷传输材料用于相应层中，或将其与除本发明电荷传输材料外的其它电荷传输材料组合使用。当本发明的电荷传输材料引入两层或多层中时，这些材料可以相互相同或不同。此外，在本发明的有机电致发光元件中，将阴极与发光层之间的层称为"电子传输层"，并且当存在两层或多层时，将与阴极接触的层称为"电子注入层"，将其它层统称为"电子传输层"。在阴极与发光层之间的层中，将与发光层接触的层在某些情况下特别称为"空穴阻挡层"。以下，参考附图，以其中本发明的电荷传输材料包含于空穴阻挡层中的情况作为例子详细描述本发明有机电致发光元件的一个实施方案。图1为显示本发明中使用的一般有机电致发光元件的结构的横截面示意图，其中l表示基板，2表示阳极，4表示空穴输送层，5表示发光层，6表示空穴阻挡层和8表示阴极。基板l起到有机电致发光元件中支撑物的作用，并使用石英或玻璃板、金属板或金属箔，或塑料膜或片材。特别地，优选玻璃板和透明合成树脂如聚酯、聚曱基丙烯酸曱酯、聚碳酸酯或聚砜的板或薄膜。当使用合成树脂基板时，必须注意气体阻挡性能。若气体阻挡性能太小，则由于外面的空气通过基板会损害有机电致发光元件，因此很小的气体阻挡性能不是优选的。因此，一种优选的方法是在合成树脂基板的至少一面上设置致密二氧化硅薄膜，由此确保足够的气体阻挡性能。在基板1上设置阳极2。阳极2起到将空穴注入空穴传输层4的作用。阳极2通常由金属如铝、金、银、镍、钯或铂，金属氧化物如氧化铟和/或氧化锡，金属自化物如碘化铜，炭黑，或导电高聚物如聚(3-曱基噻吩)、聚吡咯或聚苯胺构成。阳极2通常通过'践射法或真空沉积法形成。当由金属如银的细颗粒、碘化铜的细颗粒或导电高分子聚合物的细颗粒形成阳极2时，也可通过分散于合适的粘结剂树脂溶液中并将该分散体涂布于基板1上形成。此外，在由导电高聚物形成阳极2时，还可在基板1上经电解聚合直接形成聚合的薄膜，或通过在基板1上涂布导电高聚物形成阳极2(App.Phys.Lett"vol.60，p.2711，1992)。阳极2通常为单层结构，但根据需要它也可具有叠层结构。阳极2的厚度根据所需的透明度而变化。当要求一定透明度时，将可见光的透光度调节至通常60%或更大，优选80%或更大。在此情况下，厚度通常为5nm或更厚，优选10nm或更大，且通常为l，OOOnm或更小，优选500nm或更小。在阳极可不透明的情况下，阳极2的厚度是任意的，并且根据需要可由金属形成，由此起到基板l的作用。在图l所示的结构元件中，在阳极2上设置空穴传输层4。对于空穴输送层的材料，要求该材料显示自阳极的高空穴注入效率并高效传输注入的空穴。为满足这些要求，要求材料具有很小的电离势，显示对可见光的高透明度、显示很大的空穴迁移率、具有优良的稳定性并且很难产生不纯物(该不纯物在生产或使用时起俘获作用)。此外，由于空穴传输层与发光层5接触，因此要求该材料不因淬灭自发光层发射的光或因形成激基复合物降低发光效率。除了上述一般要求外，考虑到用于交通工具上显示器，要求该元件具有一定耐热性。因此，需要具有玻璃转化温度Tg85。C或更高的材料。这种空穴传输材料的例子包括含两个或多个叔胺的芳香二胺，其中氮原子被两个或多个稠合芳香环取代，例如4,4，-双[N-(l-萘基)-N-苯氨基]联苯(JP-A-5-234681);具有星型爆发结构的芳香胺化合物如4,4，,4，，-三(l-萘苯氨基)三苯基胺(J.Lumin"vol.72-74，p.985，1997);包括三苯基胺的四聚体的芳香胺化合物(Chem.Commun.,p.2175,1996);螺旋化合物如2，2，,7,7，-四-(二苯氨基)-9,9，-螺双芴(Synth.Metals,vol.91，p.209,1997)。这些化合物可单独使用，或根据需要将其多种混合使用。除了上述化合物外，对于用于空穴传输层4的材料，可列举聚乙烯咔唑、聚乙烯三苯基胺(JP-A-7-53953)和含四苯基联苯胺的聚亚芳基醚砜(Polym.Adv.Tech.，vol.7，p.33,1996)。空穴传输层4可通过湿成膜法如通常的涂布法(如喷涂法、印刷法、旋涂法、浸涂法或模头涂布法)或变化的印刷法(例如喷墨法或筛网法)或干成膜法如真空沉积法形成。对于涂布方法，将一种、两种或多种空穴传输材料和若需要粘结剂树脂或添加剂如不起空穴捕集器作用的涂布性能改进剂溶于适当的溶剂中制备涂布溶液，将该溶液按照旋涂方法或类似方法涂于阳极2上，接着干燥形成空穴传输层4。粘结剂树脂的例子包括聚碳酸酯、聚芳酯和聚酯。当大量加入时，粘结剂树脂将降低空穴迁移率，因此其量优选小，其中通常优选50wt。/。或更低。对于真空沉积法，将空穴传输材料放入安装在真空容器内的坩埚内，并且在借助合适的真空泵将真空容器抽真空度至约1()4pa后，将坩埚加热使空穴传输材料蒸发并在其上以形成阳极2并面向坩埚放置的基板1上形成空穴传输层4。空穴传输层4的厚度通常为5nm或更厚，优选10nm或更厚，通300nm或更小，优选100nm或更小。为均匀形成这种薄膜，一般经常使用真空沉积法。在图1所示的元件中，发光层5设置在空穴传输层4上。发光层5由发光化合物形成，该化合物在供能电极之间的空间通过自阳极注入并已迁移通过空穴传输层的空穴与自阴极注入并已迁移通过空穴阻挡层6的电子再次结合强烈激发时发射强光。用于发光层的发光化合物要求其为显示稳定薄膜形式、显示固态高发光(荧光或磷光)量子收率并可高效传输空穴和/或电子的化合物。此外，该化合物要求其电化学和化学稳定并且在生产或使用时很难生成起捕集器作用的不纯物。作为满足这些要求并形成能够发射荧光的有机发光层的材料，列举金属配合物如8-羟基喹啉锂配合物(JP-A-59-194393)、10羟基苯并[h]壹啉的金属配合物(JP-A-6-322362)、双苯乙烯基苯衍生物73基亚芳基衍生物(JP-A-2-247278)、(2-羟苯基)苯并噻唑的金属配合物(JP-A-8-315983)和silole衍生物。用于发光层的这些材料通常通过真空沉积法层压至空穴传输层上。在上述空穴传输材料中，能够发光的芳香胺基化合物也可用作发光层的材料。此外，本发明的电荷传输材料也可用作发光层的材料。在此情况下，优选选择和使用具有电离势比本发明的电荷传输材料大0.1eV或更多的上述例举的已知材料作为用于空穴阻挡层6或电子传输层7的材料。此外，在本发明的有机电致发光元件中，本发明的电子传输材料可同时用于有机发光层(也简称为"发光层")和与有机发光层的阴极侧界面接触的层，并且考虑到驱动寿命，特别优选这种元件。与阴极侧界面接触的层在很多情况下为空穴阻挡层。当发光层不含掺杂剂时，从本发明规定的电荷传输材料中选取电离势差为0.1eV或更大的材料并将其用于发光层就足够了，当空穴包含掺杂剂时，从本发明规定的电荷传输材料中选取具有电离势比该掺杂剂大0.1eV或更多的化合物并将其用于各发光层和空穴阻挡层就足够了。出于改进元件的发光效率和改变发射光的颜色的目的，已用激光用荧光染料如香豆素对8-羟基喹啉铝配合物的主体材料进行掺杂(J.Appl.Phys.,vol.65,p.3610,1989)。该掺杂技术也可用于发光层5，并且作为掺杂材料，还可使用除香豆素之外的荧光染料。发蓝光的荧光染料的例子包括二萘嵌苯、芘、蒽、香豆素和其衍生物。发绿光的荧光染料的例子包括喹吖啶酮衍生物和香豆素衍生物。发黄光的荧光染料的例子包括红荧烯和perimidone衍生物。发红光的焚光染料的例子包括DCM-基化合物、苯并吡喃衍生物、若丹明衍生物、苯并p塞p屯衍生物和偶氮苯并遙叱衍生物。除了上述用于掺杂的荧光染料外，在LaserKenkyu,vol.8，p.694,p.803,p.958(1980)andibid.,vol.9，p.85(1981)中列举的荧光染料可根据主体材料的种类用作发光层的掺杂材料。上述用于主体材料的荧光染料的量优选为l(T3%重量或更大，更优选0.1%重量或更大，优选10%重量或更小，更优选3%重量或更小。当该量低于下限时，掺杂剂可能无助于改进元件的发光效率，当该量超过上限时，可能导致光淬灭，由此可能导致发光效率降低。另一方面，显示发磷光的发光层通常通过加入磷光掺杂剂和主体材料形成。磷光掺杂剂的例子包括含选自属于元素周期表7至ll族的金属的金属，并且优选使用具有T1(最低激发三重态能级)高于金属配合物的电荷传输有机化合物作为主体材料。含选自属于元素周期表7至11族的金属的金属的磷光有机金属配合物中的金属的优选例子包括钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂和金。作为这些有机金属配合物，优选列举下式(X)或(VI)表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage75</formula>其中M表示金属，q表示金属的价数，L和L，各自表示双齿配体，j表示0或1或2:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage75</formula>其中M表示金属，T表示碳或氮，当T表示氮时，R^和R"不存在，当T表示碳时，1194和1195各自表示氢原子、卣原子、烷基、芳烷基、链烯基、氰基、氨基、酰基、烷氧基羰基、羧基、烷氧基、烷氨基、芳烷基氨基、囟烷基、羟基、芳氧基、或可具有取代基的芳烃基或芳香杂环基，R^和R"各自表示氢原子、卣原子、烷基、芳烷基、链烯基、氰基、氨基、酰基、烷氧基羰基、羧基、烷氧基、烷氨基、芳烷氨基、卣烷基、羟基、芳氧基或芳烃基或可具有取代基的芳香杂环基，并可相互连接形成环。式(X)中的双齿配体L和L，各自表示具有如下部分结构的配体其中环A1，，和环A1，各自独立地表示芳烃基或芳香杂环基，其可具有取代基，环A2和环A2，各自表示含氮芳香杂环基，其可具有一个取代基，R，、R，，和R"，各自表示卣原子、烷基、链烯基、烷氧基羰基、曱氧基、烷氧基、芳氧基、二烷氨基、二芳氨基、咔唑基、酰基、卤烷基或氰基。作为式(X)表示的更优选的化合物，可列举下式(Va)、(Vb)和(Vc)表示的化合物其中1V^表示金属，w表示金属的价态，环A1"表示可具有取代基的芳烃基，环A2表示可具有取代基的含氮芳香杂环基；其中MS表示金属，w表示金属的价态，环A1"表示可具有取代基的芳烃基或芳香杂环基，环A2表示可具有取代基的含氮芳香杂环基；其中mG表示金属，w表示金属的价态,j表示0、1或2,环Al"和环Al，各自独立地表示可具有取代基的芳烃基或芳香杂环基，环A2，表示可具有取代基的含氮芳香杂环基。式(Va)、(Vb)和(Vc)表示的化合物的环Al和环Al，的优选例子包括苯基、联苯基、萘基、蒽基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、p比咬基、喹啉基、异会啉基和啼峻基。环A2和环A2，的优选例子包括吡"先基、嘧咬基、pyrazyl基、triazyl基、苯并p塞唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基和菲基。(Va)、(Vb)和(Vc)表示的化合物的取代基的例子可包括卣原子如氟原子；含1至6个碳原子的烷基如曱基或乙基；含2至6个碳原子的链烯基如乙烯基；含2至6个碳原子的烷氧基羰基如曱氧基羰基或乙氧基羰基；含1至6个碳原子的烷氧基如曱氧基或乙氧基；芳氧基如苯氧基或千氧基；二烷氨基如二曱氨基或二乙氨基；咔唑基；酰基如乙酰基；卣烷基如三氟曱基；和氰基。这些基团可相互连接形成环。此外，环Al"具有的取代基和环A2具有的取代基可相互连接形成一个稠合环，或环Al，具有的取代基和环A2，具有的取代基可相互连接形成一个稠合环。这种稠合环的一个例子是7,8-苯并喹林。环Al"、环Al'、环A2和环A2，中的取代基的更优选的例子包括烷基、烷氧基、芳烃基、氰基、卤原子、卤烷基、二芳氨基和咔唑基。式(Va)和(Vb)中的N^和M5的优选例子包括钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂和金。式(VI)中的M7的优选例子包括钌、铑、钇、银、铼、锇、铱、铂和金，其中特别优选二价金属如铂和钯。上式(X)、(Va)、(Vb)和(Vc)表示的有机金属配合物的具体例子在下面说明。然而这些配合物并不仅限于下面的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage79</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage80</formula>在上式(X)、(Va)、(Vb)和(Vc)表示的有机金属配合物中，优选具有2-芳基吡啶-基配体(2-芳基吡啶、具有任意取代基2-芳基吡。定衍生物或具有形成稠合体系的2-芳基吡啶衍生物)作为配体L和/或L，的那些化合物。上式(VI)表示的有机金属配合物的具体例子在下面给出，然而丝毫不受此限制。曰BMe'扭曰'Et(T-1)(T一IO)(T-")作为用于发磷光的发光层中的主体材料，除了作为用于发荧光的发光层中的主体材料描述的材料(包括本发明的电子传输材料)夕卜，列举呻唑衍生物如z^，-N,N，-di咕唑联苯(WO00〃0655)、三(8-羟基喹啉)铝(US6,303，238)、，2，，2"-(1，3,5-苯曱基)三[1-苯基-111-苯并咪唑](Appl.Phys.Lett"vol.78，p.1622，2001)和聚乙烯呻唑(JP-A-2001-257076)。如上面描述的，本发明的电荷传输材料可用作主体材料。此外，本发明有机电致发光元件中的发光层可包含与主体材料一起的上述荧光染料和磷光掺杂剂。在发光层中包含的用作掺杂剂的有机金属配合物的量优选为0.1%曰lba、N\*.i"、』Nf803、,J-J*"、N，曰曰UI重量或更大，和优选30%重量或更小。当该量低于下限时，配合物可能无助于改进元件的发光效率，而当配合物超过上限时，发生因形成有机金属配合物二聚体而发生浓缩淬灭的可能性，导致发光效率降低。存在这样的趋势显示发磷光的发光层中的磷光掺杂剂的量优选稍大于在使用常规荧光(单重态)的元件的发光层中所含的焚光染料(掺杂剂)的量。此外，当荧光染料与磷光掺杂剂一起包含于发光层中时，荧光染料的量优选为0.05%重量或更大，更优选0.1%重量或更大，并且优选为10%重量或更小，更优选3°/。重量或更小。发光层5的厚度通常为3nm或更厚，优选5nm或更厚，和通常200nm或更薄，优选100nm或更薄。发光层也可按与空穴输送层相同的方式形成。下面描述在发光层的主体材料中掺杂上述荧光染料和/或磷光染料(磷光掺杂剂)的方法。对于涂布，加入上述发光层的主体材料、掺杂染料和若需要不起电子捕集器作用或发射光猝灭剂作用的粘结剂树脂并溶解由此制备涂料溶液，将该溶液通过旋涂或类似方法涂于空穴传输层4，接着干燥形成发光层5。粘结剂树脂的例子包括聚碳酸酯、聚芳基酯和聚酯。当大量加入时，粘结剂树脂降低空穴/电子迁移率，因此很小量的粘结剂是合适量，其中优选50°/。重量或更少。对于真空沉积法，将上述主体材料放入安装在真空容器内的坩埚内，把掺杂染料放入不同的坩埚中，并且借助合适的真空泵将真空容器抽真空度至约1.0xl04托，将坩埚同时加热使空穴传输材料蒸发并在面向坩埚放置的基板上形成层。另一种方法是，可^f吏用相同坩埚蒸发前面按预定比例混合上述材料制备的混合物。当各掺杂剂加入发光层时，该掺杂剂均匀分布在发光层的厚度方向。然而，在厚度方向可具有掺杂剂的浓度分布。例如，掺杂可仅在与空穴传输层的界面附近进行，或相反，可在空穴阻挡层的界面中进行。发光层可按与空穴传输层相同的方式进行，但通常使用真空沉积法。此外，发光层5可包含上面未描述的在不损害本发明性能范围内的其它组分。在图1所示的元件中，将空穴阻挡层6层压在与发光层5的阴极侧界面接触的发光层5上。空穴阻挡层优选由起到防止自空穴传输层迁移的空穴到达阴极并可在面向发光层的方向有效传输自阴极注入的电子的化合物形成。构成空穴阻挡层的材料所需的物理性能包括高电子迁移率和低空穴迁移率。空穴阻挡层6具有将空穴和电子限制在发光层内由此改进发光效率的功能。本实施例中，将本发明的电荷传输材料用于空穴阻挡层。本发明的电荷传输材料可单独或以其多种组合用于空穴阻挡层内。此外，已知的空穴阻挡化合物可在不损害本发明电荷传输材料性能的范围内组合使用。用于本发明的空穴阻挡层的电离势优选大于发光层的电离势(当发光层同时包含主体材料和掺杂剂时，掺杂剂的电离势)0.1eV或更大(更优选空穴阻挡层的电离势大于主体材料电离势0.1eV或更大)。该电离势定义为将在物质的HOMO(最高占据分子轨道)能级下的电子释放至真空能级所需的能量。电离势可直接由光电子光谱测定法或通过基于标准电极校准电化学测量的氧化势直接定义。在使用例如饱和甘汞电极的后一方法中，电离势定义为电离势^氧化势(vs.SCE)+4.3eV(MolecularSemiconductors,Springer-Verlag,1985,p.98)此外，用于本发明的空穴阻挡层的电子亲和势(EF)^L选等于或大于发光层的电子亲和势(当发光层同时包含主体材料和掺杂剂时，主体材料的电子亲和势)。电子亲和势定义为当真空能级中的电子落入LUMO(最低未占据分子轨道)能级以达到稳定而释放的能量，其中与电离势一样，将真空能级作为标准。电子亲和势类似地根据下面的公式通过从上述电离势或从电化学还原势中减去光谱带隙确定电子亲和势二还原势(vs.SCE)+4.3eV因此，用于本发明的空穴阻挡层可用氧化势和还原势按如下表示(空穴阻挡材料的氧化势h(发光材料的氧化势)^).lV;(空穴阻挡材料的还原势》(发光材料的还原势)此外，在具有下面描述的电子传输层的元件种，空穴阻挡层的电子亲和势优选等于或大于电子传输层的电子亲和势。(电子传输材料的还原势)^(空穴阻挡材料的还原势)^(发光材料的还原势)空穴阻挡层6的厚度通常为0.3nm或更厚，更优选0.5nm或更大，但通常为100nm或更小，更优选50nm或更小。空穴阻挡层也按与空穴输送层相同的方式形成，其中通常使用真空沉积方法。阴极8起到将电子经空穴阻挡层6注入发光层5的作用。对于用作阴极8的材料，可使用用于阴极2的那些材料，但为高效注入电子，优选具有低工作函数的金属。因此，使用合适的金属如锡、镁、铟、4丐、铝和银或其合金。其具体例子包括具有低工作函数的合金电极，如镁-银合金、镁-铟合金和铝-锂合金。此外，为改进元素的效率，在阴极与发光层或电子传输层之间的界面内插入LiF、MgF2或Li20的薄绝缘薄膜是特别有效的技术(Appl.Phys.Lett"vol.70，p.152，1997;JP-A隱10-74586;and正EETrans.Electron.Devices,vol.44,p.1245,1997)。阴极8的厚度通常与阳极2的厚度相同。为进一步在其上层压起保护作用的具有低工作函数且在大气中稳定的金属层，包括具有低工作函数的金属起到增强稳定性的作用。为此，使用金属如铝、银、铜、镍、铬、金和铂。为进一步改进元素的发光效率，可在空穴阻挡层6与阴极8之间设置电子传输层7，如图2和3所示。电子传输层7由可以良好效率将自阴极注入的电子传输至供能电极之间的空穴阻挡层6的化合物。满足这些要求的材料的例子包括金属配合物如8-羟基喹啉的铝配合物(JP-A-59-194393);10-鞋基苯并[h]喹啉的金属配合物；噁二唑衍生物；二苯乙烯基联苯衍生物；silole衍生物；3-或5-羟基黄酮的金属配合物；苯并噁唑的金属配合物；苯并噻唑的金属配合物；三苯并咪唑基苯(US5，645,948)、查噁啉化合物(JP-A-6-207169);菲咯啉衍生物(JP-A-5-331459);2-叔丁基-9，10-N,N，-二氰基蒽醌二亚胺；n-型氢化无定形碳化硅；n-型硫化锌和n-型硒化锌。优选用碱金属掺杂上述电子传输材料(描述于例如JP-A-10-270171、日本专利申请2000-285656和2000-285657中)，因为它起到改进电子传输性能的作用。电子传输层7通过涂布法或真空沉积法在空穴阻挡层6上形成，由此按与空穴传输层4相同的方式层压。通常使用真空沉积法。此外，本发明的电荷传输材料可用于该电子传输层7中。在此情况下，电子传输层7可通过仅使用本发明的化合物或通过将其与前面描述的各种已知材料组合使用形成。当本发明的电荷传输材料用于电子传输层7时，该电荷传输材料也可用于上述空穴阻挡层6中，或本发明的电荷传输材料可仅用于电子传输层7中，其中其它已知的空穴封闭材料用于空穴阻挡层6中电子传输层6的厚度通常为5nm或更厚，更优选10nm或更厚，且通常200nm或更薄，更优选100nm或更薄。电子传输层7通过涂布法或真空沉积法在空穴阻挡层6上形成，由此按与空穴传输层4相同的方式层压。通常使用真空沉积法。为更多改进注入空穴的效率并改进整个有机层在阳才及上的粘结力，还进行在空穴传输层4与阳极2之间插入阳极緩沖层3(参加图3)。插入阳极緩冲层3起到提供降低元件的初始驱动电压并且同时抑制在以恒定电流连续驱动元件时电压增加的效果。作为对用于阳极緩冲层的材料的要求，要求该材料具有与阳极的良好接触、形成均匀薄膜和热稳定，即具有高熔点和高玻璃转化温度，其中熔点优选为300。C或更高，玻璃转化温度为100。C或更高。此外，要求这些材料具有足够低的电离势以有助于将注入来自阳极的空穴并具有4艮大的空穴迁移率。为此，作为阳极緩冲层3的材料，已报道，有机化合物如卟啉衍生物或酞菁衍生物(JP-A-63-295695)、腙化合物、烷氧基取代的芳香二胺衍生物、对-(9-蒽基)-N,N，-二-对曱苯基苯胺、多亚噻酚亚乙烯或聚-对亚苯基亚乙烯、聚苯胺(Appl.Phys.Lett.，vol.64，p.1245,1994)、聚漆酚(OpticalMaterials,vol.9,p.125，1998)和星型突出芳香三胺(jp_A-4-308688);賊射碳膜(Synth.Met"vol.91,p.73，1997);和金属氧化物如氧化钒、氧化钌和氧化钼(J.Phys.D，vol.29，p.2750,1996)。还可列举含注入和传输的空穴、低分子量有机化合物和电子接受化合物的层(描述于例如JP-A-l1-251067和JP-A-2000-159221中)，包括根据需要掺杂有电子接受化合物的含芳香氨基的非共轭高分子量化合物的层(例如JP-A-l1-135262、JP-A-l1-283750、JP-A-2000-36390、JP-A-2000-150168、JP-A-2001-223084和W097/33193)和含导电聚合物如聚瘗酚的层(JP-A-10-92584)，然而它们并非是限制性的。对于阳极緩沖层的材料，可使用低分子量化合物和高分子量化合物之一。在低分子量化合物中，通常使用卟吩化合物和酞菁化合物。这些化合物可具有中心金属或可无金属。这些化合物的优选例子包括外吩；5,10,15,20-四苯基-21H,23H-卟吩；5,10,15,20-四苯基-21H,23H-卟吩钴(II);5,10，15，20-四苯基-21H，23H-卟吩铜(II);5,10,15，20-四苯基-21H,23H-卟吩锌(II);5，10,15,20-四苯基-21H,23H-卟吩钒(IV)氧化物；5，10，15，20-四(4吡啶基)-21H，23H-吟吩；29H,31H-酞菁；铜(II)酞菁；锌(II)酞菁；钛酞菁氧化物；镁酞菁；铅酞菁；和铜(II)4，4，,4，，，4"，-四氮杂-29H，31H-酞菁。对于阳极援冲层，也可与空穴传输层类似地形成薄膜，在使用无机材料的情况下，可进一步使用溅射方法、电子束沉积法或等离子体CVD法。对于如此形成的阳极緩冲层3的厚度，当使用^f氐分子化合物时，下限通常为约3nm,优选约10nm,而上限通常为约100nm,优选约50nm。当使用聚合物化合物时，加入上述聚合物化合物、电子接受化合物和若需要例如不起空穴捕集器作用的例如粘结剂树脂或添加剂如涂布性能改进剂并将其溶解制备涂布溶液，将该溶液才艮据通用涂布方法如喷涂法、印刷法、旋涂法、浸涂法或模头涂布法或喷墨法涂于阳极2上，接着干燥形成阳极緩沖层3。粘结剂树脂的例子包括聚碳酸酯、聚芳基酯和聚酯。当大量加入时，粘结剂树脂可能降^^空穴迁移率，因此其量优选很小，其中按阳极緩沖层3计50°/。重量或更少通常是优选的。优选按照上述薄膜形成法预先在介质如支撑基板或辊上形成薄膜，并将该介质上的薄膜通过加热或加压转移至阳才及2上，由此形成薄膜。如上所述形成的阳极緩沖层3的薄膜厚度的下限通常为约5nm，优选约10nm，上限通常为约l，OOOnm，优选约500nm。对于本发明有机电致发光元件的层结构，也可使用图1中所示的的反转结构，即其中将阴极8、空穴阻挡层6、发光层5、空穴传输层4和阳极2按此顺序层压在基板上的结构。同时，正如已经描述的，可以在其中至少一基板具有高透明度的两基板之间设置本发明有机电致发光元件。同样，可以按相反顺序层压至图2和3中所示的各层。此外，在图l至3所示的任一结构中，可在不离开本发明精神的范围内提供不同于上述层的其它非必要层，或合适变化如提供具有多层功能的层以简化层结构是可能的。此外，可以使用顶发射结构或使用透明电极如阴极和阳极制备透明元件，或进一步使用其中堆叠图1中所示的多个层结构的层结构(其中将堆叠多个发光单元的结构)。在此情况下，使用例如V20s作为电荷产生层(CGL)取代单元(发光单元)之间的界面层(在其中ITO和Al分别用作阳极和阴极的情况下，阳极和阴极的两层)起到降低单元之间的阻挡的作用，因此考虑到发光效率和驱动电压是更优选的。本发明可适用于其中有机电致发光元件包括单一元件的任一结构，包括已阵列形式设置的元件的结构，和其中阳极和阴极以X-Y矩阵图案布置的结构。按照本发明的有机电致发光元件，通过加入具有特定部分的化合物作为电荷传输材料，可获得具有高发光效率、发射具有高颜色纯度和具有很大改进的驱动稳定性的元件。特别是对于发蓝(荧光)光的元件或发磷光元件(其中因选择合适的材料困难因此形成空穴阻挡层困难)，可获得优良的发光效率、优良的发光纯度和优良的驱动稳定性，因此当用于全色或多色嵌板时该元件可显示优良的性能。接着，对本发明的电荷传输材料，下面描述新的化合物。在本发明的电荷传输材料中，由下式(II)表示的并不形成优化几何平面结构的中P为0)是新的化合物。微k上式中，R、R13、R15和1118各自独立地表示氢原子或任意取代基。R12、R14、R^和Rn各自独立地表示任意取代基。Zu表示直接键或具有能够共轭环A!的电子的二价连接体。Z^表示直接键或具有能够共轭环B,的电子的二价连接体。Qo!表示(p+k)-价芳烃基或芳香杂环基，该基团使选自分子内所含的环Ai和环Bt的基团的任何两个成员的共轭基本上不可能。p表示0至8的整数。k表示0至8的整数。P和k之和为整数2至8。此外，当p和/或k表示2或更大的整数时，分子内所含的多个R至R18可相互相同或不同，分子内所含的多个Z至Z12可相互相同或不同。上式(II)表示的化合物的分子量通常为4,000或更小，优选3,000或更小，更优选2,000或更小，且通常为200或更大，优选300或更大，更优选400或更大。当分子量超过上限时，可能导致严重降低的升华性能，这在将真空沉积法用于制备发光元件时会带来麻烦，或可导致在有机溶剂中的溶解度降低，使得在合成步骤中形成的不纯物的量增加时难以进行高纯化(除去造成劣化的物质)。另一方面，当分子量低于下限时，导致玻璃转化温度降低、熔点降低、气化温度降低和成膜性能降低，这严重损害耐热性。上式(II)表示的化合物的熔点通常为100°C或更高，优选12(TC或更高，通常为60(TC或更低，优选50(TC或更低。当熔点超过上限时，可能导致降低的升华性能和降低的溶解度，因此此熔点不是优选的。当熔点低于下限时，可能导致元件的低耐热性，因此此熔点不是优选的。上式(II)表示的化合物的玻璃转化点通常为50°C或更高，优选60°C或更高。当玻璃转化点低于下限时，可能导致元件的低耐热性，因此该玻璃转化点不是优选的。上式(II)表示的化合物的氧化势通常为+1.3V或更大，优选+1.5或更大，且通常为+2.5V或更小，优选+2.0V或更小。当氧化势超过上限时，可能导致元素的驱动电压升高，因此该氧化势不是优选分，而当氧化势低于下线时，可能导致降低的空穴封闭材料性能和降低的发光效率，因此该氧化势不是优选的。此外，不特别要求电极氧化反应的可逆性，该反应可为可逆的或不可逆的。然而，当应用于使用的传输正电荷时，需要该化合物澄清相对于本发明中描述的可逆性的标准。上式(II)表示的化合物的还原势通常为-1.6至-2.6丫，优选-1.8至-2.4V。当还原势超过上限时，导致降低的电子传输性能，因此该还原势不是优选的，当还原势低于下限时，在电子传输至发光材料(磷光染料)时可能带来麻烦，因此该还原势不是优选的。此外，电极还原反应中的可逆性能是一个重要因素，并且重要的是针对本发明中描述的可逆性能的标准被澄清。(Z,Z12)足够的是，Z为直接键或具有能够共轭环A！的电子的二价连接体，和Zu为直接键或具有能够共轭环B,的电子的二价连接体。特别地，优选可通过部分接受倾向于定域在环At和环Bi上的电荷或通过将电荷进一步传输至其它取代基将电荷合适地离域在分子内的那些。Z和Z12的具体例子与上面在(Zi,Z2)中描述的那些相同。作为用于本发明化合物的Zu和Z!2，考虑到高三重态激发能级和氧化-还原势差，优选直接键或可具有取代基的二价芳烃基，其中特别优选Z-1(直接键)。Z和Z!2可具有的取代基同样与Z，和Z2可具有的上述取代基相同。包括取代基分子量的Zn和Z,2的分子量优选为400或更小，更优选250或更小。(Q(H)足够的是，Q(H为(p+k)-价连接体，该连接体使选自分子内所含的环A,和环B,的任何两个成员相互共轭基本上不可能。特别优选具有通过部分接受倾向于定域在环A!和环B!上的电荷而降低电荷差的性能的那些。其具体例子与上述(Q。)中描述的相同。在这些具体例子中，优选将Q-l和Q-35作为用于本发明化合物中的Q01。Q(n可具有的取代基同样与Qo可具有的取代基相同。包括取代基分子量的QQ1的分子量优选为400或更小，更优选250或更小。(Rii至Ris)R、R13、Ru和Ri8各自独立地表示氢原子或任意的取代基，Ri2、R14、R^和Rn各自独立地表示任意耳又代基.用于R至R^任意取代基与上述(对至R8的取代基)描述的相同，其优选的例子也与那里描述的相同。Ru至R^的具体例子与上面(R,至Rs)中描述的相同，优选的例子也与其中描述的相同。包括取代基分子量的各Ru至R18的分子量优选为400或更小，更优选250或更小。对上式(II)表示的且不形成优化几何形状的平面结构化合物，考虑到改进抗氧化还原耐久性和改进耐热性，R12、R14、Rw和Rn优选为可具有取代基的芳香烃基或芳香杂环基。(不形成平面结构的情况)在上式(II)表示的化合物中，基本上不形成单一平面结构作为分子的优化几何结构的那些化合物具有这样的分子结构，即其中基本上单一平面的结构不可能作为分子结构。因此，该结构起到抑制分子之间7U-兀堆叠相互作用并提供优良的无定形性、溶解度和升华性能的作用。此外，当形成为分子聚集体的薄膜时，该结构的化合物可抑制与溶液状态(其中将分子分散)相比最大吸收的波长和最大焚光波长增加的现象。进一步地，认为这些化合物可抑制三重激发态能级降低的现象或电氧化-还原势差降低的现象。因此，它们为可贮存很大能量(例如光、电或热能)并有效释放贮存的能量(以光、电或热的形式)的化合物。此外，这些化合物不仅可用作电子传输材料，而且可用作发光材料，太阳能电池的材料、电池(如电解质溶液、电极、隔膜或稳流器)的材料、医用材料、漆料、涂料、有机半导体的材料、化妆品材料、抗静电材料和热电材料。这里使用的术语"化合物的优化几何形状"是指通过使用通用MM2计算法引入本发明化合物的优化几何形状而获得的结构(例如，参加M.J.Dudek&J.W.Ponder,J.Comput.Chem.，16,791-816(1995))。下面描述在优化几何形状中不形成平面结构的化合物，即在优化几何形状中不形成基本上单一平面结构的化合物。为参考实施例进行描述，其中构成该分子的任何两个相邻的芳香环具有大约与2-曱基联苯(D)相同的非平面性能的化合物为不形成平面结构的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage91</formula>更具体地，其中构成分子的任何两个相邻的芳香环之间的平面角严格地为15。或更大、更严格地20。或更大、进一步更严格地30。或更大的化合物可认为不形成平面结构。PH3此外，优选与分子内的至少一个芳环(称为Arl)4建合的任意芳香环(称为Ar2)与任意的取代基(称为Rr)合适地存在于相邻的取代位置上。Rr可与Arl或其它取代基连接形成环。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage92</formula>其例子为下面列举的那些。优选例1)在上式(II)表示的化合物中，考虑到获得优良的抗氧化还原耐久性和不损害优良的电荷传输稳定性，其中包括环Ai和与其连接的Zn的部分A和包括环Bi和与其连接的Zu的部分B中的多个部分基本上处于与连接体Qcn同一平面上的那些化合物是优选的。作为基本上处于与连接体Q(m同一位置的环A！和Bi的例子，可列举如下环环A其中R31和R"至R"各自表示任意芳香基，R"表示氢原子或任意取代基。环中Zu和Z,2的优选例子为下面描述的。优选例2)在上式(II)表示的化合物中，考虑到获得宽氧化-还原势差和高三重激发态能级，其中任意环A"或环B^基本上与Zu(或Z^)和/或连接体Q01不处于同一平面上的那些化合物是优选的。对于"环A"或环B0基本上与Zu(或Zu)和/或连接体QQ1不处于同一平面上的任意环A!(或环B!)的例子，可列举如下环[a,=其中r41、r43、r45和r46各自表示任意芳香基，r42、r44、r47和R"各自表示氢原子或任意取代基。环中Z和Z12的优选例子为如下描述的。(优选例1和2中的Z、Zu和Q01)为构成优选例l)中的结构，Zn和Z!2优选为上面描述的Z-l(直接4建)、Z-3、12、16、19、20至30、37至39、41、42、45、46、48、49、52、53和58至60，更优选Z-1(直接键)、Z-3、12、16、19、20和21,进一步更优选Z-l(直接键)和Z-3，最优选Z-l(直接键)。在优选例2)的情况下，Zn和Z!2优选为Z-l(直接键)、Z-2至21、28、29、31至35、48至52,和56至60,更优选Z-1(直接键)、Z-2、3、4、5、8、10、12、15、16、17、19、28、29、31、33、34、52和56至58，进一步更优选Z-1(直接4建)、Z-2、5、8、12、19、28和29,最优选Z-l(直接键)和Z-2。在优选例l)的情况下，Qcn优选为上面描述的Q-l、23、29、34、35、45和58至61,更优选Q-1、23、29、35、45、58和61，进一步更优选Q-1、35和45，最优选Q-1和35。在优选例2)的情况下，Q(H优选为上面描述的Q-1、2、19、23、29至43、45、51至53和58至61,更优选Q-1、2、19至23、29、33、35至42和45，进一步更优选Q-1、2、19至23、35至42和45，最优选Q隱1、2、23、35。其具体例子为下面描述的，然而丝毫不受此限制。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage96</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage97</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage98</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage99</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage100</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage101</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage102</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage103</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage104</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage105</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage106</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage107</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage108</formula>在上式(n)表示的在优化几何形状时形成平面结构的化合物中，其中p=0的化合物，即包括4-吡啶基地化合物具有特别高的抗重复氧化耐久性。这里，形成化合物处于优化几何形状的平面结构意味着与已针对不形成平面结构的化合物描述的相反。为参考实施例进行描述，其中构成分子的任何两个芳香环具有与联苯(c)相同的平面性能的化合物被认为具有平面结构。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage108</formula>在上式(II)表示的在优化几何形状时形成平面结构和其中p=0的化合物中，下式(m)表示的且其中吡啶环通过间亚苯基相互连接到那些化合物具有^f艮大的氧化-还原势差和特别优良的可逆性，因为吡啶环上的孤对不直接相互共轭并且在间亚苯基与吡咬基团之间形成共轭结构。此外，这些化合物因吡咬环的破坏对称性因此具有优良的无定形性和优良的在有机溶剂中的溶解度。因此，它们在形成薄膜时在不结晶下显示稳定的成膜性能。(rrf)这里，Ri5至F48与上面式(II)中定义的相同。环c可具有一个取代基。此外，式(m)中的两个R,5至两个R^可相互相同或不同。此外，上式(m)表示的化合物的分子量通常为200或更大，优选400或更大，且通常为4,000或更小，优选1,000或更小。若分子量太大，则导致纯化操作容易性降低，而当分子量低于下限时，不能获得稳定的成膜性能，并且因玻璃转化温度和气化温度降低及结晶度升高会导致耐久性不足。上式(III)表示的化合物的玻璃转化温度(Tg)优选为70°C或更高，更优选10(TC或更高。对于上式(m)表示的化合物的氧化-还原势差，相对于标准电极电化学测量的氧化势通常为1.3VvsSCE或更大，还原势为-1.7VvsSCE或更低。氧化势优选为1.5VvsSCE或更大，还原势优选为-1.9VvsSCE或更低。特别优选氧化势为1.7VvsSCE或更大，还原势维-2.0VvsSCE或更低。选p=0和^Q(H为下式(V)表示的苯环衍生的基团的化^物，所述苯环衍生基团的l-、3-和5-位都与Zu或Zu连接(l,3，5-取代亚苯基)。这些化合物具有这样的结构氛原子上的孤对电子不能相互直接共轭并且在1，3,5-取代亚苯基与吡啶环之间形成共轭结构，因此，该化合物具有很大的氧化-还原势差且其可逆性特别优良。此外，通过引入3个具有电子传输性能的杂环更多地改进电子传输性能和耐热性。同时，由于该化合物具有如此优良的无定形性和优良的在有机溶剂中的溶解度，因此其显示在不结晶下的稳定成膜性能，并且因高玻璃转化温度(Tg)具有优良的耐热性和优良的耐久性。在式(IV)中，X和Y各自表示-CH-或-N=。R23和Rm各自独立地表示任意取代基。环E,至E3还可具有除R23至Rm外的一个取代基。式(IV)中的多个R23和R24可以相互相同或不同。该环D可具有一个取代基。(R23和R24)对于R23和R24，可使用对(R!至Rs)列举动那些。1123和1124可具有一个取代基，作为取代基，可使用已作为(R^至R8)的取代基列举的那些。对于R23和R24,考虑到改进抗电氧化还原耐久性和增大氧化-还原势差，优选非必要地具有取代基的芳烃基。其特别优选的例子包括非必要地具有取代基的苯基(当存在取代基时，该取代基优选为烷基，如曱基、苯基或取代芳基如曱苯基或mesityl基)。对于E!至E3可具有的取代基，除了R23和R24外，还可使用上面作为(R!至R8)列举的那些.考虑到不因限制分子振动损害发光效率，优选的是氢原子、烷基和芳基，更优选的是氢原子和可具有取代基的苯基(当存在取代基时，该取代基优选为烷基，如曱基、苯基或取代芳基如曱苯基或mesityl基)。R23和Rm的分子量与Rii至Ri8的那些相同或不同。上式(IV)表示的分子量通常为300或更大，优选400或更大，且通常4,000或更小，优选1,500或更低。当分子量超过上限时，导致操作的容易性降低，而当分子量低于下限时，不能获得稳定的成膜性能，并且因玻璃转化温度和气化温度降低以及结晶度升高，导致耐久性不足。上式(IV)表示的化合物的玻璃转化温度(Tg)优选为90°C或更高，更优选IOO"C或更高。对于上式(III)表示的化合物的氧化-还原势差，相对于标准电极电化学测量的氧化势通常为1.3VvsSCE或更大，还原势为-1.7VvsSCE或更低。氧化势优选为1.5VvsSCE或更大，还原势优选为-1.9VvsSCE或更低。特别优选氧化势为1.7VvsSCE或更大，还原势维-2.0VvsSCE或更4氐。具体例子在下面描述，但下面的具体例子丝毫不是限制性的。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage112</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage113</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage114</formula>本发明化合物的合成方法已在上面进行了描述。本发明的化合物可用作电荷传输材料。此外，本发明的化合物通常用于静电复印光感受器以及有机电致发光元件，因为它具有很优良的氧化-还原稳定性。此外，除了本发明的电荷传输材料具有的高性能外，本发明的化合物具有优良的无定形性、溶解度、耐热性和耐久性。因此，不仅可用作电荷传输材料，而且用作发光材料，太阳能的材料，电池材料(如电解质溶液、电极、隔膜或稳流器)、医用材料、漆料、涂料、有机半导体的材料、化妆品材料、抗静电材料和热电材料。实施例下面，本发明将参考实施例更详细地描述。然而，本发明不限于下面的实施例，只要不超过本发明的宗旨即可。<合成例>在下面合成实施例1至26中给出。玻璃转化温度通过DSC测量法测定，气化温度通过Tg-DTA测量法测定，熔点通过DSC测量法或Tg-DTA测量法测定。(合成例l)终产物1至终产物2终产物1将石克酸(8.0ml)在大气气氛下在室温下加入间苯二曱醛(2.7g)、苯乙酮(9.6g)和乙酸(57ml)的混合物中，接着在室温下搅拌6小时。将曱醇(50ml)加入所得溶液并搅拌后，过滤收集沉淀物并用曱醇洗涤，由此获得终产物1(2.6g)。终产物2将终产物1(2.6g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鎗(6.3g)、乙酸铵(29g)、乙酸(130ml)和N,N-二曱基曱酰胺(130ml)在氮气流中搅拌8.5小时，同时在回流下加热，并将水(80ml)和曱醇(80ml)加入所得溶液中，接着搅拌。过滤收集获得的沉淀物，用曱醇洗涤后，将滤液由曱苯-乙醇重结晶纯化。由此，获得终产物2(1.7g)。该产品经EI-MS(m/z=536(M+)和1H-NMR确认为终产物2。iH画NMR(270MHz,CDC13),8.25-8.21(m，8H)，8.06(t，1H)，7.96(s,4H),7.87-7.83(dd，2H),7.73-7.68(dd,1H)，7.56-7.43(m，12H)该混合物具有玻璃转化温度79°C，熔点205。C，和气化温度414。C。(合成例2)终产物3和4终产物3向1，3-二乙酰基苯(3.2g)、苯曱醢(9.6g)和乙酸(57ml)的混合物中在大气气氛下加入浓硫酸(8.0ml)，将该混合物在室温下搅拌7小时。将水(10ml)和曱醇(50ml)加入所得溶液中，搅拌后，收集沉淀物并用曱醇洗涤获得终产物3(6.0g)。终产物4将终产物3(3.4g)、溴化1-苯乙酖基吡啶鐵(8.3g)、乙酸铵(39g)、乙酸(150ml)和N，N-二曱基曱酰胺(130ml)在氮气流中搅拌5.7小时，同时在回流下加热，并将水(200ml)和曱醇(100ml)加入所得溶液中，接着搅拌。过滤收集获得的沉淀物，用曱醇洗涤后，将滤液由曱苯-乙醇重结晶纯化。由此，获得终产物4(3.9g)。该产品经DEI-MS(m/z二536(M+)和1H-NMR确认为终产物4。iH-画R(270MHz，CDC13),9.01(s,1H)，8.32-8.25(m,6H),8.019-8.015(d，2H)，7.95-7.94(d，2H)，7.81-7.78(m，4H)，7.71-7.65(t，1H)，7.59-7.46(m,12H)该化合物具有玻璃转化温度71。C，熔点233°C，和气化温度449。C。(合成例3)终产物5和6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage118</formula>向1，3，5-三乙酰基苯(3.1g)、苯曱醛(8.0g)和乙酸(43ml)的混合物中，在大气气氛下在室温下加入浓碌u酸(6.0ml),将该混合物在室温下搅拌21小时。将水(IOOml)加入所得溶液中，搅拌后，收集沉淀物并用水和曱醇洗涤获得终产物5(3.5g)。终产物6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage118</formula>将终产物5(0.47g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鑰(1.3g)、乙酸铵5.8g)、乙酸(150ml)和N，N-二曱基甲酰胺(37ml)在氮气流中搅拌6小时，同时在回流下加热，并将水(100ml)加入所得溶液中，接着搅拌。过滤收集获得的沉淀物，用水洗涤后，将沉淀物以在氯仿-乙醇中的悬浮状态在加热下纯化，由此获得终产物6(0.38g)该产品经DEI-MS(m/z=765(M+))和1H-NMR确认为终产物6。^-NMR(270MHz,CDCB),9.11(s,3H)，8.34-8.31(d，6H),8.133-8.128(d，3H),7.993-7.998(d,3H)，7.84-7.82(d，6H)，7.57-7.48(m，18H)该化合物具有熔点384°C，气化温度523。C和玻璃转化温度Tg225。C。(合成例4)终产物7和8终产物7向间苯二曱醛(2.7g)、a-四氢萘酮(8.8g)和乙酸(57ml)的混合物中，在大气气氛下在室温下加入浓硫酸(6.4ml)，将该混合物在室温下搅拌6.5小时。将水(100ml)和乙醇(100ml)加入所得溶液中，搅拌后，收集沉淀物并用水和曱醇洗涤获得终产物7(6.5g)。终产物8将终产物7(6.5g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鐺(14g)、乙酸铵65g)、乙酸(240ml)和N，N-二曱基曱酰胺(240ml)在氮气流中搅拌18小时，同时在回流下加热，将如此获得的溶液冷却。过滤收集获得的沉淀物，用乙醇洗涤后，将沉淀物以在乙醇中的悬浮状态在加热下纯化，接着由曱醇-吡咬-乙醇重结晶，由此获得终产物8(2.0g)。该产品经EI-MS(m/z二588(M+))和1H-NMR确认为终产物8。'H-NMR(270MHz，CDC13)，8.60-8.57(dd，2H)，8.21-8.18(td，4H):7.66(s,2H),7.64-7.61(d,H)，7.53-7.32(m，13H),7.27-7.16(m，2H):3.05-2.89(m,8H)(合成例5)终产物9至10终产物9终产物10将间苯二曱醛(4.0g)、l-乙酰萘(15.3g)、浓硫酸(9.6ml)和乙酸(86ml)在大气气氛下在室温下搅拌6小时。向如此获得的溶液中，在搅拌下加入水(100ml)和曱醇(50ml),并将油状产品通过加入曱苯沉淀。萃取后，将曱苯层依次用碳酸钠水溶液、氯化钠溶液和水洗涤。浓缩曱苯层后，将沉淀物通过硅胶柱色谱纯化，由此获得油状终产物9(13g)。将终产物9(5.0g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鐵(9.5g)、乙酸铵(43.9g)、乙酸(IIOml)和N,N-二曱基甲酰胺(llOml搅拌8小时，同时在回流下加热，将如此获得的溶液倒入水250ml)中。过滤收集获得的沉淀物，用曱醇(300ml)洗涤后，将沉淀物通过硅胶柱色谱纯化，由此获得终产物10(1.75g)。该产品经DEI-MS(m/z-636(M+))确认为终产物10。该化合物具有气化温度486°C和玻璃转化温度Tgl06。C。(合成例6)终产物11至13终产物ii终产物i2终产物向三(4-溴苯基)胺(4.8g)在无水四氢呋喃中的溶液中，在氮气气氛下在-78。C下在15分钟内滴加入正丁基锂(1.58M正己烷溶液；21ml)在无水四氢呋喃(15ml)中的溶液，接着搅拌70分钟。然后在5分钟内滴加入无水N，N-二曱酰胺(7.7ml)，将所得溶液在室温下搅拌3.3小时并在78。C下搅拌30分钟。将乙酸乙酯(10ml)和甲醇(IOOml)加入如此获得的溶液中后，蒸除溶剂，将残余物用二氯曱烷(150ml)萃取，并用水(150ml)洗涤。将如此获得的化合物用硅胶柱色镨纯化，由此获得终产物11(1.3g)。该产品经FAB-MS(m/z=329(M+),330(M+H+))确认为终产物11。向终产物11(1.3g)、a-四氢萘酮(2.6g)和乙酸(22ml)的混合物中，在大气气氛下在室温下加入浓硫酸(1.9ml)，将该混合物在室温下搅拌7小时。将水(150ml)和曱醇(50ml)加入所得溶液中，搅拌后，过滤收集沉淀物并用曱醇洗涤获得终产物12(2.5g)。将终产物12(1.4g)、溴化l-苯乙酰基吡啶鎗(2.5g)、乙酸(11.6g)、乙酸(46ml)和N,N-二曱基曱酰胺(46ml)在氮气中搅拌8小时，同时在回流下加热，并将水(50ml)和曱醇(50ml)加入所得溶液中，接着搅拌。过滤收集形成的沉淀物，用水洗涤后，将沉淀物以在氯仿-乙醇中的悬浮状态在加热下纯化，由此获得终产物13(0.1g)该产品经EEI-MS(m/z=1010(M+))和1H-NMR确认为终产物13。^-NMR(270MHz,CDC13)，8.60-8.57(d,3H)，8.22-8.19(d，6H),7.68-7.65(m,3H)，7.56-7.25(m，30H)(合成例7)终产物14和15终产物14向1，3，5-三乙酰基苯(5.2g)、邻曱苯曱醛(18.5g)和乙酸(71ml)的混合物中，在大气气氛下在室温下加入浓石克酸(16ml)，将该混合物在室温下搅拌6.7小时。将水(100ml)和甲醇(50ml)加入所得溶液中，搅拌后，过滤收集沉淀物并用曱醇洗涤获得终产物14。向所得混合物、邻曱苯曱醛(9.0g)、乙酸(70ml)和硝基苯(20ml)的混合物中，在大气气氛下在室温下加入浓石克酸(8.0ml),将该混合物在室温下搅拌5小时。将水(IOOml)和乙醇(80ml)加入所得溶液中，用超声波照射10分钟后，过滤收集沉淀物并在乙醇(200ml)-曱醇(100ml)的混合溶剂中的悬浮状态下洗涤，过滤收集并用乙醇洗涤，由此获得终产物14(12.2g)。将终产物14(12.2g)、溴化l-苯乙酰基吡啶錄(29.9g)、乙酸铵(166g)、乙酸(280ml)、N，N-二曱基曱酰胺(250ml)和硝基苯(70ml)在氮气中搅拌10.5小时，同时在回流下加热，将水(200ml)和乙醇(100ml)加入如此获得的溶液中，接着搅拌。过滤收集形成的沉淀物，用乙醇洗涤后，将沉淀物以在乙醇(500ml)中的悬浮状态在加热(2小时)下，然后在氯仿(200ml)-曱苯(250ml)中的悬浮状态下在加热(1.5小时)下纯化,由此获得终产物l5(8.9g)。该产品经DEI-MS(m/z-807(M+))和1H-NMR确认为终产物15。该化合物具有玻璃转化温度105。C,熔点280°C和气化温度507°C。(合成例8)终产物16至18^,OAc,。HOAc/DMBr-P隨'终产物15pOCH3H2S04—AcOHBrr丄/6.5小时终产物16终产物17在通过于室温下在大气气氛中搅拌间苯二曱醛(4.0g)、4-溴苯乙酮(17.9g)、浓硫酸(9.6ml)和乙酸(86ml)获得的溶液中，在搅拌下加入水(100ml)和曱醇(50ml)，收集沉淀的晶体。然后将晶体在100ml曱醇中在悬浮状态下洗涤，由此获得终产物16(13.04g)。将终产物16(10g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鑰(16.8g)、乙酸铵(77.6g)、乙酸(280ml)和N，N-二曱基曱酰胺(430ml)搅拌8小时，同时在回流下加热，将如此获得的溶叙倒入水(300ml)和乙醇(80ml)中。过滤收集形成的沉淀物，用曱醇(300ml)洗涤后，溶于50ml二氯曱烷中，然后在250ml曱醇中沉淀，获得终产物17(11.34g)。0~B,K2C03Pd,4DME/H20回流x4小时终产物18将终产物17(5g)、苯硼酸(2,25g)、碳酸钾(3.97g)、乙二醇二甲醚(70ml)和水(23ml)在氮气流中加热至80°C，并将四(三苯基膦)4巴(0.416g)加入其中，接着在80。C下反应4小时。反应后，将反应溶液用水/氯仿萃取获得有机层。将其用硅胶柱色语纯化，获得终产物18(2.97g)。该产品通过DEI-MS(m/Z:719)确认为终产物18。该化合物具有气化温度495。C和玻璃转化温度109°C。(合成例9)终产物19和20终产物19向1,3,5-三乙酰基苯(1.03g)、间曱苯曱醛(3.63g)、乙酸(14ml)和硝基苯(8ml)的混合物中，在大气气氛下在室温下加入浓碌^酸(3.2ml)，将该混合物在43至45。C下搅拌6小时。将曱醇(70ml)加入所得溶液中，然后向其中加入水(30ml)，搅拌并用超声波照射后，过滤收集沉淀物并向其中倒入甲醇洗涤。将如此获得的残余物通过在曱醇(50ml)中在悬浮状态下洗涤并在加热回流下在乙醇(IOOml)中在悬浮状态下洗涤，由此获得终产物19(2.23g)。终产物20将终产物19(2.21g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鑰(5.41g)、乙酸铵(30.0g)、乙酸(49ml)、N，N-二曱基曱酰胺(40ml)和硝基苯(20ml)在氮气中搅拌7.5小时，同时在回流下加热，将曱醇(70ml)力。入如此获得的溶液中，然后加入水(30ml),接着搅拌并用超声波照。过滤收集形成的沉淀物，用乙醇洗涤后，将沉淀物由氯仿-曱醇重结晶纯化，由此获得终产物20(2.00g)。该产品经DEI-MS(m/z-807(M+))确认为终产物20。该化合物具有玻璃转化温度216。C和熔点304°C。(合成例10)终产物21至23终产物21向间苯二曱醛(4.0g)、2，-溴苯乙酮(17.9g)和乙酸(86ml)的混合物中，在空气中在室温下加入浓石克酸(14.7ml),将该混合物在室温下搅拌6.5小时。将水(50ml)和乙醇(150ml)加入所得溶液中，搅拌后，过滤收集沉淀物，将该沉淀物用乙醇洗涤，然后在乙醇(350ml)中在悬浮状态下洗涤，由此获得终产物21(10.0g)。终产物22将终产物21(10.0g)、溴化l-苯乙酰基吡啶鎿(16.9g)、乙酸铵(77.8g)、乙酸(230ml)、N，N-二曱基曱酰胺(200ml)和硝基苯(70ml)搅拌6.5小时，同时在回流下加热，将水(150ml)和曱醇(100ml)加入如此获得的溶液中，然后加入水(150ml),接着搅拌。过滤收集形成的沉淀物，用曱醇洗涤后，将沉淀物通过在曱醇(IOOml)-乙醇(100ml)的混合溶剂中在悬浮状态下洗涤纯化，由此获得终产物22(10.5g)。终产物23将终产物22(10.5g)、苯硼酸(5.5g)、四(三苯基膦)把(1.4g)、曱苯(200ml)和离子交换水(30ml)的混合物在加热回流下。然后将甲苯(50ml)和水(120ml)加入其中，接着充分搅拌。仅取出有才几层，用水(100ml)1进一步洗涤后，在无水硫酸镁上干燥并过滤。将滤液通过硅胶柱色镨浓缩和纯化，由此获得终产物23(2.9g)。该产品经DEI-MS(m/z:688(M+))证实为终产物。该化合物具有玻璃转化温度102°C和气化温度466。C,但未检测到熔点。(合成例11)终产物24和25终产物242-溴-4，-苯基苯乙酮(13.7g)在70。C加热下溶于曱苯(85ml)中，接着向其中加入吡咬(7.9g)。在滴加的同时，分离出晶体。完成滴加后，将温度升高，并将混合物在回流下搅拌。l小时后，将反应混合物冷却。过滤后，将晶体在曱苯(250ml)中在悬浮状态下洗涤，然后在正己烷250ml)在悬浮状态下洗涤。干燥后，获得终产物24(17.3g)。终产物1终产物24终产物25向通过在回流加热下将实施例1的终产物1(3.0g)、上面获得的终产物24(9.45g)、硫酸铵(34,2g)、乙酸(127ml)和N,N-二曱基曱酰胺(100ml)搅拌7小时获得的溶液中，加入乙醇(80ml)，并在搅拌后，将该混合物倒入水(160ml)中。过滤收集沉淀物。将如此获得的晶体通过在加热下在乙醇(150ml)中回流洗涤。由曱苯(50ml)和曱醇(20ml)进行重结晶，并将如此获得的晶体由氯仿(40ml)和曱醇(20ml)重结晶，获得终产物25(1.5g)。该产品经DEI-MS(m/z-688(M+))确认为终产物25。该化合物具有气化温度515.5。C和玻璃转化温度Tglll。C。(合成例12)终产物26至29终产物26终产物27终产物28将1,3,5-苯三酸在100ml四氢呋喃(脱水的)中的溶液在搅拌下在17分钟内在用氮气流冷却下，滴加入氢化锂铝在四氢呋喃中的溶液(lmol/L)100ml和四氢呋喃(脱水的)100ml的混合物中，接着在室温下搅拌27分钟，在加热回流下搅拌20分钟，再在室温下搅拌3.5小时。向如此获得的溶液中加入乙酸乙酯和冰水以石皮坏过量的氢化锂铝，接着过滤并倒入乙醇洗涤。将如此获得的固体分散在250ml二氯曱烷中，以萃取有机产品，接着过滤。将如此获得的滤液浓缩，获得终产物26(1.8g)。将终产物26(1.8g)、二氧化锰(活化的，11.3g)和氯仿(100ml)在干燥空气中在加热回流下搅拌8.3小时，然后过滤。将如此获得的滤液浓缩并通过石圭胶柱纯化，获得终产物27(0.6g)。将生产的终产物27经DEI-MS(m/z^62(M+))证实。将浓硫酸(1.6ml)在干燥空气中滴加入终产物27(0.53g)、苯乙酮(1.8g)和乙酸(14ml中，接着在35。C下搅拌11小时。将乙醇和水加入其中形成沉淀物。过滤收集沉淀物，并将如此获得的固体通过在乙醇中在悬浮状态下洗涤纯化，由此荻得终产物28(0.63g)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage128</formula>将终产物28(0.47g)、溴化l-苯乙酰基吡啶鎗(1.26g)、乙酸铵(7.1g)、乙酸(25ml)和N，N-二曱基曱酰胺(25ml)在加热回流下搅拌6.5小时，并将曱醇和水加入所得混合物中形成沉淀。滤出沉淀物，将滤液浓缩。将如此获得残余物通过硅胶柱色谱纯化，由此获得，用水洗涤后，将沉淀物以在氯仿-乙醇中的悬浮状态在加热下纯化，由此获得终产物29(0.17g)。该产品经MALDI-TOF-MS(m/z-766(M+))确认为终产物29。该化合物具有熔点344。C，玻璃转化温度299。C和气化温度524。C。(合成例1"终产物30至33<formula>formulaseeoriginaldocumentpage128</formula>将N-溴代丁二酰亚胺(15.3g)在N,N-二甲基曱酰胺(70ml)中的溶液在氮气流中在用冰冷却下滴加入N-苯基咔唑(10.2g)在N,N-二曱基甲酰胺(80ml)中的溶液中，接着在室温下搅拌7小时。将50ml水和100ml曱醇加入如此获得的溶液中形成沉淀物。过滤收集沉淀物并通过用曱醇洗涤纯化，由此获得终产物30(14.8g)。终产物30终产物31将正丁基锂在己烷(30.2ml)中的1.6M溶液在-70。C下在氮气流中在15分钟内加入终产物30(8.0g)在四氢呋喃(100ml)中的溶液中，并搅拌1小时。在-60。C下向其中滴加入N,N-二曱基曱酰胺(15.5ml)后，将该溶液在室温下搅拌2小时。将如此形成的沉淀物过滤并用二氯曱烷萃取。将浓缩获得的固体在曱醇中在悬浮状态下洗涤并通过过滤收集，由此获得终产物31(2.28§)。将水加入最终获得的滤液中，并通过过滤收集沉淀的固体，进一步获得终产物终产物31(1.01g;总计3.29g)。终产物31终产物32终产物33将浓石克酸(1.3ml)在干燥空气中加入终产物31(L20g)、苯乙酮(1.44g)和乙酸(23ml)中，接着在35-40。C下搅拌8.5小时。将曱醇(20ml)和水(50ml)加入其中形成沉淀物。过滤收集沉淀物并用曱醇洗涤。将其在曱醇中通过施加超声波洗涂，由此获得终产物32(1.90g)。将终产物32(1.81g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鎗(3.00g)、乙酸铵(1《0g)、乙酸(62ml)和N,N-二曱基曱酰胺(62ml)在加热回流下搅拌5小时。然后将甲醇(20ml)和水(100ml)加入其中。过滤收集如此形成的沉淀物并用曱醇洗涤。将如此获得的固体通过硅胶柱色语纯化，由此获得终产物33(0.26g)。该产品经DEI-MS(m/z-701(M+))确认为终产物33。该化合物具有熔点285°C和气化温度523°C。(合成例14)终产物34终产物5终产物24终产物34将终产物5(0.70g)、终产物24(2.39g)、碌u败恢(8.7Sg)、G敬("ml)和N，N-二曱基曱酰胺(43ml)在大气气氛中在加热回流下搅拌10小时，将曱醇(20ml)加入所得溶液中，过滤收集形成的沉淀物并通过石圭胶柱色谱纯化，获得终产物34(0,52g)。该产品经MALDI-TOF-MS(m/z二994(M+)([M+H]+)确认T为终产物34。该化合物具有玻璃转化温度138。C、熔点340。C和气化温度571。C。(合成例15)终产物35至38终产物35终产物36向间苯二曱醛(6.71g)、3-溴苯乙酮(20.9g)和乙酸(215ml)的混合物中，在空气中在室温下加入浓〃琉酸16.1ml)，将并在室温下搅拌9小时。然后将乙醇(70ml)和水(150ml)加入其中。过滤收集形成的沉淀物，并将其在曱醇中通过施加超声波纯化，由此获得终产物35(l5.5g)。将终产物35(9.92g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鎗(16.7g)、乙酸铵78g)、乙酸(350ml)和N，N-二曱基曱酰胺(350ml)在加热回流下搅拌7.5小时。然后将如此获得的溶液倒入水(700ml)中。过滤收集如此形成的沉淀物并用曱醇洗涤，由此获得终产物36(11.3g)H3C、,CHaPdCl2(dppf)CH2Cf2HaCJf^CH3KOAc/DMSOw《VH3C*^^CH3H3CCH3终产物37向9-溴菲(18.4g)、双(频哪醇)二硼(20.0g)、乙酸《甲(23.9g)和二曱亚砜(420ml)的混合溶液中在氮气流中在60。C下加入l,l，-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯钯(II)二氯曱烷配合物(l:l)，接着在80。C下搅拌8.2小时。将如此获得的溶液倒入1L水中形成沉淀物。除去上层清液后，将所得固体通过硅胶柱色i普纯化，由此获得终产物37(13.3g)。H3C、HjC.Pd(PPh3)WKaC03终产物36终产物37终产物38向终产物36(3.47g)、终产物37(4.26g)和二曱氧基乙烷(50ml)的混合物中依次加入四(三苯基膦)钯(0.46g)和2M碳酸钾水溶液(10ml)，接着在加热回流下搅拌5.5小时。将其用二氯曱烷(100ml)萃取，并将萃取物用盐水(50ml)洗涤、在硫酸镁上干燥、并浓缩。将如此获得的固体通过硅;晈柱色语纯化，获得终产物38(3.59g)。该产品经DEI-MS(m/Z4S8(M+))确认为终产物38。该化合物具有玻璃转化温度148t:和气化温度558。C,且不具有可检测的熔点。向终产物36(2.78g)、1-萘磺酸(1.79g)和二曱氧基乙烷(40ml)的混合物中依次加入四(三苯基膦)钯(0.37g)和2M碳酸钾水溶液(8ml)中，接着在回流加热下搅拌6.3小时。将其用二氯曱烷萃取，并将该萃取物用盐水(50ml)洗涤，在硫酸镁上干燥并过滤。将滤液浓缩。将如此获得的固体通过硅胶柱色谱纯化，由此获得终产物39(2.66g)。该产品经DEI-MS(m/Z^88(M+))确认为终产物39。该化合物具有玻璃转化温度113t:和气味温度530。C，不具有可检测的熔点。(合成例1"终产物40至43终产物40终产物41将3-溴苯乙酮(11.9g)、苯曱醛(3.18g)、乙酸铵(30,0g)和乙酸(75ml)的混合溶液搅拌55分钟，同时在回流下加热并向其中鼓入干燥空气气泡。将所得溶液冷却后，过滤收集沉淀物，用乙酸/水(7/3;100ml)洗涤并进一步在曱醇中在悬浮状态下洗涤，接着由曱醇-乙醇重结晶纯化，由此获得终产物40(3.20g)。向终产物40(3.19g)、乙醚(160ml)和四氢吹喃(115ml)的混合溶液中在氮气流中在-77。C下在IO分钟内加入1.58M正丁基锂己烷溶液(15.0ml)中。进一步搅拌4.7小时后，向其中加入N,N-二曱基曱酰胺(5.3ml)。接着在室温下搅拌2.8小时。将1N盐酸水溶液(24ml)加入如此获得溶液中进行中和，然后将有机溶剂下减压下蒸出。将曱醇(IOOml)加入残余物中，过滤收集沉淀物，并用甲醇洗涤纯化。如此获得终产物41(1.80g)。终产物41终产物42终产物43向终产物41(1.80g)、苯乙酮(L25g)和乙酸(20ml)的混合溶液中，在干燥空气中加入浓硫酸(1.6ml中。在35。C下搅拌9.5小时后，向其中加入曱醇(10ml)和水(40ml)，并通过滗析除去上层清液。将如此获得的固体通过由氯仿-曱醇重结晶，由此获得终产物42(1.78g)。将终产物42(1.78g)、溴化1-苯乙酰基吡啶錄(2.62g)、乙酸铵(12.1g)、乙酸(75ml)和N，N-二曱基曱酰胺(75ml)搅拌5小时，同时向其中鼓入干燥空气并在回流下加热。向其中加入50ml曱醇和50ml水，过滤收集形成的沉淀物，并通过硅胶色语和由氯仿-曱醇重结晶纯化，由此获得终产物43(0.87g)。该产品经DEI-MS(m/Z-765(M+))确认为终产物43。该化合物具有玻璃转化温度111。C,熔点266°C和气化温度528°C。(合成例18)终产物44至46终产物31终产物44向终产物31(4.01g)、3-羧基苯硼酸(3.90g)和二曱氧基乙烷(100ml)的混合物中依次加入四(三苯基膦)钯(0.92g)和2M碳酸钾水溶液(20ml)中，并将该混合物在回流加热下搅拌7,5小时。通过滗析除去上层清液得到固体。将该固体通过硅胶柱色谱纯化，由此获得终产物44(3.70g)。终产物44终产物45终产物46向终广物44(3.70g)、冬乙酮(2.07g)和乙酸(52ml)的混兮落救甲加入浓硫酸(2.6ml)中。在35。C下搅拌9小时后，向其中加入曱醇(30ml)。通过滗析除去上层清液得到固体。将该固体通过硅胶柱色谱纯化，由此获得终产物45(1.56g)。将终产物45(1.56g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鑰(1.99g)、乙酸铵(9.2g)、乙酸(57ml)和N,N-二曱基曱酰胺(57ml)在回流加热下搅拌6.9小时，并向其中加入50ml曱醇和50ml水。过滤收集沉淀物并通过石圭胶柱色谱纯化，由此获得终产物46(0.65g)。该产品经DEI-MS(m/z-853(M+))确认为终产物46。该混合物不具有可^r测的熔点并具有玻璃转化温度140。C，和气化温度553。C。(合成例19)终产物47至50Brn>BuLi、DMF.DMF人rEt20Et20OHCCHO终产物47将11.6g1，3，5-三溴苯在脱水乙醚(240mL)中的溶液在氮气气氛下冷却至_78°C，并向其中滴加入1.6M正丁基己烷溶液。在刁8。C下进行搅拌1小时，随后将2.9mL二曱基甲酰胺小心加入其中以使温度不升高，接着搅拌l小时。向其中进一步逐步加入25mL1.6M正丁基锂己烷溶液，并在搅拌l小时，将9.1mL二曱基曱酰胺加入其中，并将该混合物在-78。C下进一步搅拌2小时。然后，将反应温度升至0'C,并向其中加入200mL3N盐酸，接着用400ml二乙醚萃取。将有机用硫酸镁干燥，并在减压下蒸出溶剂。将己烷加入如此获得的粗产品中，并进行重结晶，由此获得4.9g白色固体产品。该产品由质谱测量结果确认为终产物47。M/e:212(M+:EI-MS)终产物t47终产物48将3.3g苯乙酮和3,5mL疏酸加入终严物47(2.4g)在乙酸(30mL)中的溶液中，并将该混合物在空气中搅拌9.5小时。然后，将100mL水和30mL曱醇加入反应体系中，并在搅拌后，进行过滤。将如此获得粗产品用曱醇洗涤，由此获得4.5g赭色固体产品。该产品由质谱测量结果确认为终产物48。M/e:416(M+:EI-MS)将120mL乙酸和0mL二曱基曱酰胺加入终产物48(4.16g)、溴化l-苯乙酰基吡啶総(8.34g)和无水乙酸铵(46g)中，并在空气中在回流下加热8.5小时。然后将100mL水加入反应溶液，过滤收集沉淀物并用曱醇洗涤。将如此获得粗产品通过硅胶柱色谱纯化，由此获得4.5g赭色固体产品。该如此获得的化合物由质谱测量结果确认为终产物49。M/e:614(M+:EI-MS)向终产物49(468mg)和9-菲基硼酸(444mg)中加入20mL曱苯、1.5mL乙醇和1.5mL2N碳酸钠水溶液，在室温下在氮气下搅拌30分钟后，向其中加入40mg四(三苯基膦)钯(O),接着在回流下加热7小时。然后，将50mL水加入反应溶液中，并用二氯曱烷萃取数次。向萃取液中加入碳酸钾使其干燥，并在减压下蒸出溶剂。然后，将所得沉淀物通过柱色谱纯化，由此获得黄白色固体(462mg)。如此获得的化合物由质镨测量结果确认为终产物50。M/e:712(M+:EI-MS)该化合物具有玻璃转化温度136。C,熔点278。C和气化温度507°C(合成例20)终产物51至53rPd(PPh3)4Na2C03Br/^=^BrB(OH)2曰OH,toluene终产物51向1,3,5-三溴苯(15.7g)和苯基硼酸(12.1g)中加入750mL曱苯、150mL乙醇和100mL2N碳酸钠水溶液，并在室温下在氮气下搅拌30分钟后，向其中加入40mg四(三苯基膦)钯(O)，接着在回流下加热4小时。冷却至室温后，将50mL水加入反应溶液中，并用二氯曱烷萃取数次。向萃取液中加入碳酸钾使其干燥，在减压下蒸出溶剂。然后，将所得沉淀物通过柱色谱纯化，由此获得白色固体(7.3mg)。如此获得的化合物由质镨测量结果确认为终产物51。M/e:308(M+:EI-MS)Et20终产物51终产物52将终产物51(3.04g)在脱水四氢呋喃(25mL)中的溶液在氮气气氛下冷却至-78。C,并向其中逐渐滴加入13.8mL1.6M正丁基锂己烷溶液。在-78。C下搅拌45分钟。随后，向其中一次加入三异丙氧基硼烷(4.1g)。在-78。C下搅拌30分钟后，将反应溶液的温度升至室温，接着进一步搅拌1小时。将100mL3N盐酸加入如此获得的反应溶液中，接着用200ml乙醚萃取。将有机层用50ml水洗涤，然后用硫酸钠处理，并在减压下蒸出溶剂。将乙醚加入如此获得的粗产品中，并进行再次沉淀，由此获得1.97g白色固体(终产物52)。向终产物49(936mg)和终产物52(685mg)中加入40mL曱苯、3.0mL乙醇和3.0mL2N碳酸钠水溶液，在室温下在氮气下搅拌30分钟后，向其中加入40mg四(三苯基膦)钯(O),接着在回流下加热4小时。然后，将50mL水加入反应溶液中，并用乙酸乙酯萃取数次。向萃取液中加入碳酸钾使其干燥，并在减压下蒸出溶剂。然后，将所得沉淀物通过柱色语纯化，由此获得黄白色固体(685mg)。如此获得的化合物由质谱测量结果确认为终产物53M/e:764(M+:DEI-MS)该化合物不具有可检测的玻璃转化温度，并具有熔点284。C和气化温度524°C。(合成例21)终产物54终产物49终产物54将终产物49(936g)在脱水四氢呋喃(25mL)中的溶液在氮气气氛下冷却至-78。C，并向其中逐渐滴加入2.6mL1.6M正丁基锂己烷溶液。在-78。C下搅拌15分钟。随后，向其中一次加入三苯基氯硅烷(885g)。在减压下蒸出溶剂后，通过柱色语和GPC纯化，得到700mg白色固体。如此获得的化合物由质语测量结果确认为终产物54。M/e:794(M+:DEI-MS)该化合物具有玻璃转化温度110°C，熔点228。C和气化温度494。C。(合成例22)终产物55至56终产物48终产物24^终产物55向终产物48(1.07g)、终产物24(2.7g)和无水乙酸铵(11.8g)中加入30mL乙酸和15mL二曱基曱酰胺，接着在回流下加热8小时。然后，将50mL水和20ml曱醇加入反应溶液中，过滤收集沉淀物并用曱醇洗涤，由此获得1.4g赭色固体。如此获得的化合物由质谱测量结果确认为终产物55。M/e:766(M+:DEI掘)终产物55'终产物56向终产物55(977mg)和苯基硼酸(242mg)中加入30mL曱苯、2.0mL乙醇和2.0mL2N碳酸钠水溶液，并在室温下在氮气下搅拌30分钟后，向其中加入40mg四(三苯基膦)钇(O)，接着在回流下加热5小时。然后将50mL水加入反应溶液中，将该溶液用氯仿萃取数次。向萃取液中加入碳酸钾使其干燥，在减压下蒸出溶剂。然后，将所得沉淀物通过柱色谱纯化，由此获得黄白色固体(823mg)。如此获得的化合物由质谱测量结果确认为终产物56。M/e:764(M+:DEI陽MS)该化合物具有玻璃转化温度125°C，熔点268°C和气化温度528。C.(合成例23)终产物57终产物36终产物57将终产物36(3.0g)、呻唑(1.73g)、叔丁醇钠(1.8g)和曱苯(80ml)在搅拌下加热至60。C,并向其中加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0.16g)在5ml曱苯中的溶液。然后，将该混合物在回流加热下搅拌8.5小时，冷却后，倒入曱醇(400ml)中获得粗晶体。然后将其在曱醇(400ml)中在加热下搅拌，并通过硅胶柱色谱纯化获得3.43g终产物。该产品通过DEI-MS(m/z-866)确认为终产物57。它具有气化温度554°C和玻璃转化温度142°C。(合成例24)终产物58终产物17终产物58将终产物17(3.0g)、咔唑(1.73g)、叔丁醇钠(1.8g)和曱苯(80ml)在搅拌下加热至60。C,并向其中加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0.16g)在5ml曱苯中的溶液。然后，将该混合物在回流加热下搅拌5.5小时，冷却后，过滤收集形成的结晶体并在曱醇(400ml)中在加热下搅拌，由此获得粗产品。然后将该粗产品通过硅胶柱色谱纯化获得2.27g终产物。该产品通过DEI-MS(m/z-866)确认为终产物58。它具有气化温度556°C,熔点317。C和玻璃转化温度154°C。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage140</formula>将终产物49(2.0g)、呼唑(0.65g)、叔丁醇钠(0.68g)和曱苯(30ml)在搅拌下加热至60。C,并向其中加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0.06g)和三叔丁基膦(0.03g)在5ml曱苯中的溶液。然后，将该混合物在回流加热下搅拌7.5小时，冷却后，过滤收集形成的晶体并在曱醇中搅拌洗涤和在曱醇(400ml)中在加热下搅拌，由此获得晶体。将晶体重结晶得到0.45g终产物。该产品通过DEI-MS(m/z-701)确认为终产物59。它具有气化温度507°C，熔点360和玻璃转化温度130°C。(合成例26)终产物60至62<formula>formulaseeoriginaldocumentpage140</formula>将苯二甲醛(2.73g)、4-乙酰基联苯(7.98g)、浓硫酸(6.54ml)和乙酸(58ml)在大气气氛中在5(TC下搅拌6.5小时。然后，向其中加入乙醇(60ml)和水(60ml),过滤收集沉淀的晶体。然后，将晶体在回流加热下在150ml乙醇中搅拌，过滤收集后，通过柱色谱纯化，获得1.8g终产物60。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage140</formula>将50ml乙醇加入通过在回流加热下搅拌终产物60(1.2g)、终产物24(2.5g)、乙酸铵(9.4g)、乙酸(36.63g)和N，N-二曱基曱酰胺(40ml)7.5小时获得的溶液中，并过滤收集获得晶。将该晶体在50ml乙醇中在加热下搅拌两次，获得终产物62(0.97g)。该产品经DEI-MS(m/z-840)确认为终产物62通过DEI-MS(m/z=840)。它具有熔点319°C和玻璃转化温度142。C。实施例(实施例1)评估化合物(实施例1-1)测量氧化还原性能对上面合成实施例中获得的终产物2(HB-1)、终产物6(HB-3)和终产物15(HB-5)测量氧化还原性能。测量条件如下。通过使用标准甘汞(SCE)作为标准电极转化获得的性能得到的结果在表1-1中给出。参比电极银导线(使用二茂铁作为内标物质)作用电极玻璃碳反电极柏导线测量溶剂0.1ml/L高氯酸四(正丁基)铵二氯曱烷溶液(乙腈溶液)扫描速度100ml/sec样品浓度1mmol/L(对比例1-1)测量氧化还原性能测量氧化还原性能按与实施例1-1相同的方式对其中吡啶环相互共轭的下面结构(HB-6)的对比化合物进行测量。结构在表1-1-1中给出。<table>tableseeoriginaldocumentpage142</column></row><table>表1-1-1显示，由于其中连接为非共轭型的结构，因此本发明的化合物具有比其中存在共轭连接的结构大的氧化-还原势差。(实施例1-2)化合物最大发射光峰的波长通过真空沉积法在玻璃基板形成各终产物18和终产物15的薄膜(50nm厚)，所述终产物包括在式(II)表示的本发明化合物内，其在优化几何形状中不形成平面结构(以下称为"化合物II")。如此获得的薄膜为透明无定形薄膜。通过用各所得薄膜的最大吸收波长的光激发各所得薄膜获得的在荧光发射光谱中的最大发射光峰的波长在表l-2中给出。(对比例l-2)对比化合物最大发射光峰的波长按与实施例1-2相同的方式制备各终产物6和终产物(HB-8)25的薄膜，所述终产物不包括在式(II)表示的本发明化合物内，且不为在优化几何形状中不形成平面结构的化合物。如此获得的薄膜为透明无定形薄膜。通过用各所得薄膜的最大吸收波长的光激发各所得薄膜获得的在荧光发射光谱中的最大发射光峰的波长在表1-1-2中给出。表1-1-2<table>tableseeoriginaldocumentpage142</column></row><table>从结果显而易见，式(n)(化合物n)的化合物显示在薄膜状态下的限制分子内相互作用。(实施例2)制备元件i至8和发光特性(实施例2-l)制备元件i将具有图3所示的元件的有机电致发光元件按照如下方法制备。将在玻璃基板1上形成的厚度150nm的氧化铟-锡(ITO)透明导电薄膜2(溅射薄膜；片材电阻15Q))用惯用光刻技术和用盐酸蚀刻形成2-mm宽的条状图案，由此形成阳极。将如此图案化的ITO基板通过施加超声波在丙酮中洗涤，然后通过施加超声波在异丙醇中洗涤，接着使用氮气流干燥，并通过施加UV射线和臭氧洗涤。对于用于阳极緩冲层3的材料，将具有芳氨基的如下结构式的非共辄型聚合物化合物(PB-1)重均分子量29,400数均分子量12,600与电子接受体(A-l)起在在如下条件下:溶剂苯曱酸乙酯；涂料溶液的浓度2[wt%];PB-1:A-1=10:1;旋涂才几转数1,500[rpm];旋涂机的旋转时间30[sec];和干燥条件簡。C，1小时。旋涂。通过上述旋涂法形成薄膜厚度30nm的均匀薄膜。然后，将其上形成阳极緩冲层的基板放入真空沉积装置中。在借助油旋转泵对装置大致抽真空后，通过使用油扩散泵将装置内部抽真空至真空度变为1.1xl0-6托(约1.5xl0-4pa)或更低。将下面给出的并放入设置在装置内的陶瓷坩埚中的芳基胺化合物(H-l)通过处于坩锅周围的钽导线加热器加热以进行真空沉积。在此情况下坩埚内的温度控制在318至334°C内。真空沉积时的真空度为l.lxl(T6托(约1.4xlO-4Pa)，真空沉积速率为0.15nm/秒。如此获得60-nm厚的空穴传输层4。随后，将下面给出的用作发光层5的主组分(主体材料)的咔唑衍生物(E-1)和用作次组分(掺杂剂)的有机铱配合物(D-1)放入不同的陶瓷坩埚中，并通过同时双真空沉积法进行成膜。将用于化合物(E-l)的坩埚温度控制在184至196。C,并将真空沉积速率控制在0.11nm/sec，同时将用于化合物(D-l)的坩埚温度控制在245至246。C。如此将含6%重量化合物(d-l)的30-nm厚发光层5层压在空穴传输层4上。在真空沉积时的真空度为1.0xl(^托(约1,3xl(T4Pa)。此外，将上面合成例1中合成的终产物2(HB-1):在控制坩埚温度190至196。C和真空沉积速率0.13nm/sec下以厚度10nm层压作为空穴阻挡层6。真空沉积时的真空度为0.7xl0"托(约0.9x10-4Pa)。在空穴阻挡层6上，按相同的方式沉积下面的8-羟基喹啉铝配合物(ET-1)作为电子传输层7。在此情况下用于8-羟基喹啉铝配合物的坩埚温度控制在250至262。C内。真空沉积时的真空度控制在0.7xl0"托(约0.9x10-4Pa),真空速率控制在0.21nm/sed，薄膜厚度控制在35nm。真空沉积空穴输送层、发光层和电子传输层时的基板温度保持在室温下。这里，将已对电子传输层6进行真空沉积的元件从真空沉积装置中取出放入大气气氛中。将A2-mm宽的条状阴影掩蔽物与元件紧密接触作为阴极的真空沉积掩蔽物，如此以直角与阳极2的ITO条交叉，将该元件放入不同的沉积装置中，并将该装置按与有^L层相同的方式抽真空至真空度2.7xl0《托(约2.0xlO"Pa)或更低。对于阴极8，首先将氟化锂(LiF)用钼船在真空沉积速率0.01nm/sec和真空度3.0xl(T6托(约4.0xlO"Pa)下以厚度0.5nm层压到电子传输层7上。随后，将铝按相同的方式在钼船中加热，以真空沉积速率0.48nm/sec和真空度.5xl(^托(约1.1xlO-Spa)形成80-nm后的铝层，如此完成阴极8。在真空沉积两层型阴极8期间的基板温度保持在室温下。如此，获得具有2mmx2mm尺寸的发光面积部分的有^^电致发光元件(元件1)。该元件的发光特性在表2中给出。在表2中，最大发光亮度为在电流密度0.25A/cn^下的值，发光效率、亮度/电流和电压为在100cd/n^下的值。元件1的发射最大值为510nm，并确认形成有机铱配合物(D-1)。色度为CIE(x,y)=(0.28，0.62)。(实施例2-2)制备元件2按与(实施例2-l)相同的方式制备元件2，但使用下面给出的混合配体配合物(D-2)取代有机铱配合物(D-1)作为发光层5的次要组分(掺杂剂)。元件2的发光特性在表2中给出。元件2的发射最大值为626nm，色度为C正(x,y)=(0.68,0.32),其确认来自有机铱配合物(D-2)。(实施例2-3)制备元件3按与(实施例2-l)相同的方式制备元件3，但使用下面给出的混合配体配合物(D-3)取代有机铱配合物(D-1)作为发光层5的次要组分(掺杂剂)。元件3的发光特性在表2中给出。该元件的发射的最大值为471nm,色度为CIE(x,y)=(0.16，0.35)，其确认来自有机铱配合物(D-3)。(实施例2-4)制备元件4按与(实施例2-l)相同的方式制备元件4，但空穴阻挡层中使用合成例3中获得的在下面给出的终产物6(HB-3)代替终产物2(HB-1)。元件4的发光特性在表2中给出。该元件的发射的最大值为512nm，色度为CIE(x,y)=(0.28,0.63)，其确认来自有机铱配合物(D-1)。其初始发光特性比元件1更有效。(实施例2-5)制备元件5按与(实施例2-l)相同的方式制备元件5，但空穴阻挡层中使用合'元件5的发光特性在表2中给出。'该元件的发射的最大值为512nm,色度为CIE(x,y)=(0.28，0.62),其确认来自有机铱配合物(D-1)。其初始发光特性大约与元件1相同。(实施例2-6)制备元件6按与(实施例2-l)相同的方式制备元件4,但空穴阻挡层中使用合成例7中获得的在下面给出的终产物15(HB-5)代替终产物2(HB-1)。元件6的发光特性在表2中给出。该元件的发射的最大值为512nm，色度为CIE(x,y)=(0.29，0.61),其确认来自有机铱配合物(D-1)。其初始发光特性比元件1更有效。(HB—5)(实施例2-7)制备元件7按与(实施例2-l)相同的方式制备元件7，但空穴阻挡层中使用合成例8中获得的在下面给出的终产物18(HB-6)代替终产物2(HB-1)。元件7的发光特性在表2中给出。该元件的发射的最大值为512nm，色度为C正(x，y)=(0.29,0.62)，其确认来自有机铱配合物(D-1)。其初始发光特性比元件1更有效。(实施例2-8)制备元件8按与(实施例2-l)相同的方式制备元件8，但空穴阻挡层中使用下面给出的终产物25(HB-8)代替终产物2(HB-1)。元件8的发光特性在表2中给出。该元件的发射的最大值为510nm，色度为C正(x，y)=(0.28，0.60),其确认形成有机铱配合物(D-1)。(HB—8)实施例2-9)制备元件11按与(实施例2-l)相同的方式制备元件12，但空穴阻挡层中使用合成例2中获得的在下面给出的终产物4(HB-9)代替终产物2(HB-1)。元件11的发光特性在表2中给出。该元件的发射的最大值为509nm,色度为CIE(x,y)=(0.27,0.58)，其确认来自有机铱配合物(D-1)。(实施例2-10)制备元件12按与(实施例2-l)相同的方式制备元件ll,但空穴阻挡层中使用合成例19中获得的在下面给出的终产物50代替终产物2(HB-1)。元件12的发光特性在表2中给出。该元件的发射的最大值为512nm,色度为C正(x,y)-(0.29，0.61),其确认来自有机铱配合物(D-1)。其初始发光特性比元件1更有效。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage151</formula>(实施例2-11)制备元件13按与(实施例2-l)相同的方式制备元件13，但使用包括下面给出的具有芳氨基的非共轭型聚合物化合物(PB-1)和电子接受化合物(A-2)的材料作为阳极緩沖层3的材料，并且按如下改变有才A4氐分子层(空穴传输层4至电子传输层7)的厚度。具有芳香氨基的非共轭型高聚物化合物(PB-1):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage151</formula>重均分子量29,400数均分子量12,600电子接受体(A-2):日本专利申请2004-68958的0059自然段的表中描述的No.A-l化合物。旋涂条件PB-l:A-2=10:2;旋涂机转数1,500[rpm];旋涂机的旋转时间30[sec];和干燥条件画。C，1小时。通过上述旋涂法形成30-nm厚的均匀薄膜。有机低分子层空穴传输层4:芳基胺化合物(H-l)40nm发光层5:主体材料呼唑衍生物(E-l)30nm掺杂剂:有机铱配合物(D-1)6wt%空穴阻挡层合成例中合成的终产物2(HB-l)5nm电子传输层7:A18-羟基喹啉配合物(ET-1)30nm元件13的发光特性在表2中给出。该元件13的发射的最大值为512nm，色度为CIE(x,y)=(0.30，0.59),其确认来自有机铱配合物(D-1)。(实施例2-12)制备元件14按与(实施例2-ll)相同的方式制备元件14,但空穴阻挡层中使用合成例15中获得的在下面给出的终产物38代替终产物2(HB-1)。元件14的发光特性在表2中给出。该元件的发射的最大值为513nm,色度为CIE(x,y)=(0.30,0.59),其确认来自有机铱配合物(D-1)。(实施例2-13)制备元件15按与(实施例2-ll)相同的方式制备元件15，但空穴阻挡层中使用合成例16中获得的在下面给出的终产物39代替终产物2(HB-1)。元件12的发光特性在表2中给出。该元件的发射的最大值为512nm,色度为CIE(x，y)=(0.29,0.58)，其确认来自有机铱配合物(D-1)。(对比例2)制备对比元件1至3和其发光特性(对比例2-1)制备对比元件1按与(实施例2-l)相同的方式制备对比元件1，但空穴阻挡层中使用下面给出的混合配体(HB-2)代替终产物2(HB-1)。对比元件1的发光特性在表2中给出。该元件的发射的最大值为510nm,色度为C正(x，y)=(0.28,0.62)，其确认来自有机铱配合物(D-1)。其初始发光特性与元件1相同。(对比例2-2)制备对比元件2按与(实施例2-2)相同的方式制备对比元件1，但空穴阻挡层中使用上述混合配体(HB-2)代替终产物2(HB-1)。对比元件2的发光特性在表2中给出。该元件的发射的最大值为626nm,色度为C正(x，y)=(0.67,0.32)，其确认来自有机铱配合物(D-1)。其初始发光特性与元件2相同。(对比例2-3)制备对比元件3按与(实施例2-3)相同的方式制备对比元件1，但空穴阻挡层中使用上述混合配体(HB-2)代替终产物2(HB-1)。对比元件2的发光特性在表2中给出。该元件的发射的最大值为472nm,色度为C正(x，y)=(0,17，0.37)，其确认来自有机铱配合物(D-3)。对于初始发光特性，发光效率和电流效率低于元件3的那些。权利要求1.一种包括在其分子内具有在2-、4-和6-位取代的两个或多个吡啶环的化合物的电荷传输材料，其中吡啶环相互不共轭，条件是吡啶环3-和5-位可被取代。2.根据权利要求1的电荷传输材料，它包括在其分子内具有2至8个吡啶基的化合物，所述吡啶基选自非必要地具有取代基的2-吡啶基和非必要地具有取代基的4-吡。定基，其中所有吡啶基与连接体Q连接并且不通过连接体Q共轭，条件是，当在其分子中包含多个2-吡咬基时，各2-吡啶基的取代基可以相同或不同，当分子中包含多个4-吡咬基时，各4-吡咬基的取代基可以相同或不同，此外所有吡啶环的2,4，6-位与连接体Q或任意取代基连接。3.根据权利要求1的电荷传输材料，其中该化合物的分子量为200至4,000。4.根据权利要求2的电荷传输材料，其中该化合物的分子量为200至4,000。5.根据权利要求l的电荷传输材料，其中化合物由下式(I)表示其中R4、R3、R5和Rs各自独立地表示氢原子或任意的取代基，R2、R4、R6和R7各自独立地表示任意的取代基，Z!表示直接一建或具有能够共轭环A的电子的二价连接体，Z2表示直接键或具有能够共轭环B的电子的二价连接体，连接体Qo表示(m+n)价连接体，该连接体不可能使选自分子中所含的环A和环B的任何两个成员相互共轭，m表示0至8的整数，n表示0至8的整数，m和n之和为2至8的整lt，条件是当m和/或n为2或更大时，在其分子中所含的多个R！至R8可以相互相同或不同，且分子中所含的多个Zj和Z2可以相互相同或不同。6.根据权利要求2的电荷传输材料，其中化合物由下式(I)表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>0)其中RpR3、Rs和Rs各自独立地表示氢原子或任意的取代基，R2、R4、R6和R7各自独立地表示任意的取代基，Z!表示直接键或具有能够共轭环A的电子的二价连接体，Z2表示直接键或具有能够共轭环B的电子的二价连接体，连接体Qo表示(m+n)价连接体，该连接体不可能使选自分子中所含的环A和环B的任何两个成员相互共轭，m表示0至8的整数，n表示0至8的整数，m和n之和为2至8的整数，条件是当m和/或n为2或更大时，在其分子中所含的多个&至R8可以相互相同或不同，且分子中所含的多个Z!和Z2可以相互相同或不同。7.根据权利要求3的电荷传输材料，其中化合物由下式(I)表示(0<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中R!、R3、Rs和R8各自独立地表示氢原子或任意的取代基，R2、R4、R6和R7各自独立地表示任意的取代基，Zi表示直接键或具有能够共轭环A的电子的二价连接体，Z2表示直接键或具有能够共轭环B的电子的二价连接体，连接体Qo表示(m+n)价连接体，该连接体不可能使选自分子中所含的环A和环B的任何两个成员相互共轭，m表示0至8的整数，n表示0至8的整数，m和n之和为2至8的整数，条件是当m和/或n为2或更大时，在其分子中所含的多个R！至R8可以相互相同或不同，且分子中所含的多个Z,和Z2可以相互相同或不同。8.根据权利要求4的电荷传输材料，其中化合物由下式(I)表示其中R!、R3、Rs和R8各自独立地表示氢原子或任意的取代基，R2、R4、R6和R7各自独立地表示任意的取代基，Z,表示直接键或具有能够共轭环A的电子的二价连接体，Z2表示直接键或具有能够共轭环B的电子的二价连接体，连接体Qo表示(m+n)价连接体，该连接体不可能使选自分子中所含的环A和环B的任何两个成员相互共轭，m表示0至8的整数，n表示0至8的整数，m和n之和为2至8的整数，条件是当m和/或n为2或更大时，在其分子中所含的多个&至R8可以相互相同或不同，且分子中所含的多个Zi和Z2可以相互相同或不同。9.根据权利要求5的电荷传输材料，其中式(I)中的m为0或1,n为1或更大的整数。10.根据权利要求6的电荷传输材料，其中式(I)中的m为0或1，n为1或更大的整数。11.根据权利要求7的电荷传输材料，其中式(I)中的m为0或1,n为1或更大的整数。12.根据权利要求8的电荷传输材料，其中式(I)中的m为0或1,n为1或更大的整数。13.根据权利要求5的电荷传输材料，其中式(I)中的m为0。14.根据权利要求6的电荷传输材料，其中式(I)中的m为0。15.根据权利要求7的电荷传输材料，其中式(I)中的m为0。16.根据权利要求8的电荷传输材料，其中式(I)中的m为0。17.根据权利要求5的电荷传输材料，其中式(I)中的n为0。18.根据权利要求6的电荷传输材料，其中式(I)中的n为0。19.根据权利要求7的电荷传输材料，其中式(I)中的n为0。20.根据权利要求8的电荷传输材料，其中式(I)中的n为0。21.根据权利要求5至20任何一项的电荷传输材料，其中式(I)中的Zj和Z2各自独立地表示直接键或可具有取代基的二价芳烃基。22.根据权利要求5至20任何一项的电荷传输材料，其中在通式(I)中Qo表示可具有取代基的芳烃基。23.根据权利要求21的电荷传输材料，其中在通式(I)中Qo表示可具有取代基的芳烃基。24.根据权利要求1至20任何一项的电荷传输材料，其中该化合物在其分子内不具有二芳基胺结构。25.根据权利要求21的电荷传输材料，其中该化合物在其分子内不具有二芳基胺结构。26.根据权利要求22的电荷传输材料，其中该化合物在其分子内不具有二芳基胺结构。27.根据权利要求23的电荷传输材料，其中该化合物在其分子内不具有二芳基胺结构。28.根据权利要求1至20任何一项的电荷传输材料，其中该化合物在其分子内具有至少一个咔唑环。29.根据权利要求21的电荷传输材料，其中该化合物在其分子内具有至少一个。卡峻环。30.根据权利要求22的电荷传输材料，其中该化合物在其分子内具有至少一个呻哇环。31.根据权利要求23的电荷传输材料，其中该化合物在其分子内具有至少一个啼峻环。32.根据权利要求1至20任何一项的电荷传输材料，其为电子传输材料。33.根据权利要求21的电荷传输材料，其为电子传输材料。34.根据权利要求23的电荷传输材料，其为电子传输材料。35.根据权利要求24的电荷传输材料，其为电子传输材料。36.根据权利要求27的电荷传输材料，其为电子传输材料。37.根据权利要求28的电荷传输材料，其为电子传输材料。38.根据权利要求31的电荷传输材料，其为电子传输材料。39.—种有机电致发光元件，包括基板，在该基板上设置有阳极、阴极和在这些电极之间的有机发光层且包含权利要求1至38任何一项的电荷传输材料。40.根据权利要求39的有机电致发光元件，其中包含权利要求1至38任何一项所述的电荷传输材料的层为有机发光层。41.根据权利要求40的有机电致发光元件，其中有机发光层包含权利要求1至38任何一项所述的电荷传输材料作为主体材料，其中该主体材料用有机金属配合物掺杂。42.根据权利要求39的有机电致发光元件，其中有机发光层包含有机金属配合物作为发光染料，包含权利要求1至38任何一项所述的电荷传输材料的层为与阴极侧上的有机发光层界面接触设置的空穴阻挡层。43.根据权利要求41的有机电致发光元件，其中有机金属配合物具有2-芳基吡啶-基配体。44.根据权利要求42的有机电致发光元件，其中有机金属配合物具有2-芳基吡啶-基配体。45.根据权利要求39至44任何一项的有机电致发光元件，其中权利要求1至38任何一项所述的电荷传输材料同时包含于有机发光层和与阴极侧上的有机发光层界面接触的层内。46.—种下式(II)表示的且在优化的几何形状中不形成平面结构的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>其中Rn、R13、R15和1118各自独立地表示氢原子或任意取代基，R12、R14、Rw和Rn各自独立地表示任意取代基，Zn表示直接键或具有能够共轭环Ai的电子的二价连接体，Zi2表示直接键或具有能够共轭环B！的电子的二价连接体，连接体QG1表示(p+k)价连接体，该连接体使选自该分子内所含的环Ai和环Bi的任何两个成员不能共轭，p表示0至8的整数，k表示0至8的整数，p和k之和为整数2至8，条件是，当p和/或k为2或更大时，分子内所含的多个R至R18可相互相同或不同，分子内所含的多个Z和Z12可相互相同或不同。47.根据权利要求46的化合物，其中1112、R14、1116和1117各自表示芳烃基或芳香杂环基，可具有取代基。48.根据权利要求46或47的化合物，其中Z和Z12各自独立地表示直接键或可具有取代基的二价芳烃基。49.上式(II)表示的化合物，其在优化几何形状中形成平面结构，并且其中P=0。50.根据权利要求49的化合物，其中上式(II)表示的化合物为下式(III)表示的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中环c可具有取代基，1115至1118与对上式(11)中定义的相同，且式(m)中的两个r15至r18可以相互相同或不同。51.根据权利要求49的化合物，其由式(II)表示，其中QQ1为下式(V)表示的苯环衍生的基团，并且在l-、3-和5-位都与Zu连接<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中环d可具有取代基，并且当Z12为直接键时，衍生自苯环的基团与环B1直接连接。52.根据权利要求51的化合物，其中上式(II)表示的化合物为下式(IV)表示的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中X为-N^Y为-CH^R23和Rm各自独立地表示任意取代基，环Ei至E3可具有除R23至R24外的取代基，式(IV)中的多个R23和R24可以相互相同或不同，环D可具有取代基。53.—种电荷传输材料，包括根据权利要求49至52中任何一项的化合物。54.根据权利要求53的电荷传输材料，其为电子传输材料。全文摘要公开了具有优良耐热性、成膜性、电荷传输性和发光性的电荷传输材料，及具有高亮度和高发光效率并具有高寿命的有机电致发光元件。本发明涉及包括一种化合物的电荷传输材料和使用该电荷传输材料的有机电致发光元件，所述化合物在其分子内具有在2-、4-和6-位取代的两个或多个吡啶环，这些环基本上相互不共轭(条件是吡啶环3-和5-位可被任选地取代)，以及包括该电荷传输材料的有机电致发光元件。文档编号C07D213/00GK101638380SQ20091016516公开日2010年2月3日申请日期2004年7月29日优先权日2003年7月31日发明者佐藤秀树,畚野真代,盐谷武,矢部昌义,竹内昌子申请人:三菱化学株式会社