专利名称：使用原子层沉积(ald)法在基底上形成含钛层的方法
使用原子层沉积(ALD)法在基底上形成含钛层的方法本发明涉及使用ALD(原子层沉积)法在基底上形成含钛层的方法对下一代半导体器件的尺寸的新要求导致开发具有高介电常数的新材料。在CMOS 器件中需要高k电介质，以代替典型厚度为1纳米的达到其物理极限的Si02。类似地，在用 于RAM用途的金属-绝缘体-金属构造中需要高k电介质。多种金属组合物已经被认为既 满足材料要求(k、漏电流、结晶温度、电荷俘获)又满足集成要求(例如，界面上的热稳定 性或干蚀刻可行性)。钛基氧化物属于最有前途的候选材料，例如含Ti的混合氧化物膜、 TiO2, SrTiO3、(Ba, Sr) Ti03、Pb (Ti) O3、Ti (OiPr) 4、TiLnOx (Ln 选自镧系元素和稀土元素)，更 通常TiM0x，M是选自第II族、第IIIa和IIIb族或过渡金属的元素。此外，铪、锆和钛金属组合物也可以被考虑用于电极和/或Cu扩散势垒用途，例如 用于 MIM 电极的 TiN, HfN, ZrN, HfSi, ZrSi, HfSiN, ZrSiN0气相沉积是以合理生产量和可接受的纯度沉积薄膜的主要工业方式。这些技术可 以是MOCVD (金属-有机化学气相沉积)或ALD (原子层沉积)。这些沉积法需要金属_有 机或金属_卤化物前体。多种铪、锆和钛金属_有机化合物已经被视为能够实现这种沉积 的前体。卤化物，例如HfCl4JrCl4,常用作Hf或&前体并且已经广为描述。Triyoso等人 [Journal of Applied Physics 97 (2005) 124107]、Kawahara 等人[Japanese Journal of Applied Physics 43 (2004) 4129]、Caymax 等人[Material Research Society symp proc Vol 765(2003)47]评测了 HfCl4用于通过ALD沉积HfO2。主要缺点是在沉积过程中生成一 些副产物，例如HCl或Cl2。这些化合物会造成表面/界面粗糙，这对最终性能有害。根据 氧源，其它可能的副产物可能是危险的。此外，在高k氧化物的情况下，Cl或F杂质对最终 电性能非常有害。例如，Kukli等人[Chem. Mater. 15(2003) 1722],和 Potter 等人[Chem. Vap. Dep. 11(2005) 159]已经评测 了 醇盐，例如 Hf (OtBu) 4、Zr (OtBu)4, Hf(OtBu)2(Himp)2 禾口 Hf(mmp)4(mmp = 1-甲氧基-2-甲基_2_丙醇化物)。但是，如Potter等人所暗示，像烷 氧基配体(alkoxide ligand)的β -氢消除这样的因素会阻止ALD自限。Hf(OtBu)4和 Hf (NEtMe)4之间的直接比较(Senzaki 等人[J. Vac. Sc. Techn. A 22(2004) 1175])表明后一 前体的氧化物膜中的杂质(C，H)含量低得多。已经广泛研究了烷基氨化物前体(Hf(EMA) 4、Hf (DMA) 4、Hf(DEA)4)。Senzaki 等 人[J. Vac. Sc. Techn. A 22 (2004) 1175]、Kawahara 等人[JJAP 43(2004)4129]等研究了由 TEMAH通过ALD沉积Η 2。这些烷基氨化物适用于ALD和MOCVD法，并具有对分配而言有 意义的性质，因为它们在室温下是液体(TDEAH和TEMAH)并具有充足的挥发性。此外，对于 有限热预算法，它们能够在低温下进行自限ALD。第IV族烷基氨化物前体的缺点是它们有 限的热稳定性，特别是锆化合物，因此，它们可能在分配过程中轻微分解，在沉积过程中产 生粒子，可能在深槽沉积法中带来不均勻组成且它们不允许大的自限ALD温度范围，因此 降低工艺操作范围。特别地，Zr (NEtMe)4可能在分配管道中分解，并在高于170°C (这是常 见的分配温度)产生粒子。肚(服丨1104更加热稳定，但在高于300°C由于热分解而不提供自限原子层沉积。
在WO 2007/055088中，Thenappan等人公开了胍合铪和锆的络合物及其用于气相 沉积的用途。例举了 Hf (NEt2)2 [(NiPr-CNEt2)215但是，胍合铪和锆通常是挥发性非常有限 的固体。如W02007/055088热重分析中例证的那样，不能在没有热分解和之后粒子生成风 险的情况下获得蒸气相Hf (NEt2) 2 ((NiPr-CNEt2) 2。Lehn等人[CVD 12 (2006) 280]介绍了新型四(三甲基hydrazido)锆和铪 Zr (匪eWe2)4及其用于低温CVD的用途。例举的化合物具有可接受的挥发性(据报道，在 0. 06Torr、90°C升华)，但具有在室温下是固体的缺点。Carta等人(Electrochem Soc Proceedings，260，2OO5-O9, 2OO5)介绍了作为铪和 锆烷基氨化物的替代物的新型&和Hf化合物双(环戊二烯基)双二甲基铪、双(环戊二 烯基)双二甲基锆。它们能够实现具有最多400°C的ALD操作范围的有效ALD和在最优化 条件中用H2O作为共反应物获得含少于0. 2% C的薄膜。但是，HfCp2Me2和^Cp2Me2在室温 下都是固体。HfCp2Me2熔点为57. 5°C。这妨碍IC制造者以工业方式使用这些前体，即使用 离域容器填充，并带来简易化问题和工艺问题。Heys等人最近在W02006/131751A1中提出 了液态二环戊二烯基衍生物。但是，它们仍具有挥发性有限的缺点，也具有大的位阻，这可 能限制所实现的生长速率。Heys等人在W02006/131751A1中介绍了双(环戊二烯基)双(甲氧基)合铪和锆 类。但是，HfCp2 (OMe)2和HfCp2 (OMe)2的主要缺点是其为固体。它们具有热不稳定的缺点。 热重分析显示在310°C下气化结束时20%残留物。以工业方式使用时的第二缺点是它们的 固态。能在高纵横比结构中以合理生产量沉积高度均勻和共形的薄膜的主要工业选择 是如MOCVD (金属-有机化学气相沉积)或ALD (原子层沉积)之类的技术。但是，通过MOCVD沉积的薄膜需要高的热预算，并通常遵循Volmer-Weber模型所 述的3D生长机制。薄膜通过簇成核生长，且这类技术也造成不足的阶梯覆盖。典型的 ALD 法(如 RITALA M. ，LESKELA M. ，Atomic LayerDeposition, Handbook of thin films materials中所述)涉及气态反应物，其通过被惰性气体吹扫隔开的脉冲引 导到基底上。在MOCVD中，同时喷射气态反应物，并在ALD的同时通过热自沉积反应；通过 与该基底上的表面基团反应，热诱发配体损失。在一定温度范围内，该表面反应是自限的， 从而沉积高度均勻和共形的薄膜。前体必须足够挥发和稳定以便容易在不分解的情况下转 移到反应室中。此外，它们必须与该表面的化学基团足够反应性以确保合理的生长速率。但是，常见的第IV或V族(Ti、V、Nb、Ta)基金属-有机前体不适合在不通过等离 子技术辅助的热ALD法的情况下沉积。根据本发明，出乎意料地，据显示，在对最初提出用于化学气相沉积的分子应用原 子层沉积技术时，能够获得非常好的TiO2膜并解决上述不便。此外，在600°C通过MOCVD使用这类金属-有机前体不适合沉积高度均勻的共形薄 膜。这类沉积造成过度碳污染，并在高纵横比结构中造成差的阶梯覆盖。但是，根据现有技术状况，就有意义的生长速率而言，MOCVD法是最佳解决方案，因 此从未实施其它方法。根据第一实施方案，本发明涉及在基底上形成含钛层的方法，该方法至少包括下述步骤 a)提供蒸气，其包含至少一种式Ti (Me5Cp) (OR)3(I)的前体化合物，其中R选自由 甲基、乙基、异丙基组成的组；或至少一种式Ti (R1Cp) (OR2)3(II)的前体化合物，其中R1选 自由H、甲基、乙基、异丙基组成的组，且R2独立地选自由甲基、乙基、异丙基或叔丁基组成的 组；b)根据原子层沉积法，使所述包含所述至少一种式(I)或(II)的化合物的蒸气与 基底反应，以在所述基底的至少一个表面上形成含钽的络合物层。此外，本发明的另一些实施方案是-本发明的方法进一步包括下述步骤c)步骤b)中形成的络合物与选自另一金属源、还原性反应物和/或氮化反应物和 /或氧化性反应物的试剂的反应。_在该方法中，在步骤a)中提供的蒸气进一步包含一种或多种金属(M’)_有机前 体，以制造含有钛和M’的薄膜。M’独立地选自第II、III-A、III-B族、硫(S)、过渡金属、镧 系元素或稀土金属的任何其它元素。-该方法进一步包括提供至少一种反应气体，其中所述至少一种反应气体选自由 下述物质组成的组氢、硫化氢、硒化氢、碲化氢、一氧化碳、氨、有机胺、硅烷、二硅烷、高级 硅烷、甲硅烷基胺、乙硼烷、胼、甲基胼、氯硅烷和氯聚硅烷(chloropolysilane)、金属烷基、 胂、膦、三烷基硼、氧、臭氧、水、过氧化氢、一氧化二氮、一氧化氮、二氧化氮、醇、包含这些物 质的片段的等离子体、及其组合，优选臭氧或水。-在该方法中，式(I)或(II)的钛前体选自由下述物质组成的组Ti (MeCp)(OEt)3；Ti (MeCp)(OiPr)3；Ti (MeCp) (OtBu)3；Ti (EtCp) (OEt)3；Ti (EtCp) (OiPr)3；Ti (EtCp) (OtBu)3；Ti (Cp) (OEt)3；Ti (Cp) (OiPr)3；Ti (Cp) (OtBu)3；Ti (Me5Cp) (OMe) 3 ；Ti (MeCp) (OMe) 3、Ti (MeCp) (OEt) 3、Ti (MeCp) (OiPr) 3、Ti (MeCp) (OtBu) 3、Ti (EtCp) (OMe) 3、 Ti (EtCp) (OEt) 3、 Ti (EtCp) (OiPr) 3、 Ti (EtCp) (OtBu) 3、 Ti (Cp) (OMe) 3、 Ti (Cp) (OEt) 3、Ti(Cp) (OiPr) 3> Ti (Cp) (OtBu)3 ；Ti (iPrCp) (OMe) 3、Ti (iPrCp) (OEt) 3、Ti (iPrCp) (OiPr) 3、Ti (iPrCp) (OtBu) 3，优选 Ti (Me5Cp) (OMe)3O-在该方法中，基底温度为25°C至600°C，优选380°C至425°C，且其中含有该基底 的原子层沉积室具有0. 133Pa至133kPa、优选低于27kPa的压力。-该方法进一步包括用选自由氢、氮、氦、氩及其混合物组成的组的惰性气体从该 基底上吹除包含所述至少一种式(I)的化合物的过量蒸气的步骤。-制造半导体结构的方法，其包括本发明中规定的方法的步骤，其中该基底是半导 体基底。#用下述.通.式Ti (MeXp) (OR),所述伯金属-有机前体作力材米射原沉积含I太fl莫的新 技术通过将载气引入含有所述金属源的被加热的容器来实现所述钛源的气化。优选 在能使所述金属源达到充足蒸气压的温度下将该容器加热。所述载气可选自Ar、He、H2、N2 或它们的混合物。所述钛源可以在容器中与溶剂混合或与另一金属源混合或与它们的混合 物混合。可以例如在25°C-300°C、优选低于150°C的温度将该容器加热。本领域技术人员 认为，可以调节容器温度以控制气化的前体量。为了控制容器中的蒸发程度，可以改变容器中的压力。通过降低容器中的压力，可以提高钛源的气化程度。可以例如在0. 133Pa至 133kPa、优选低于27kPa的范围内改变该容器中的压力。也可以以液态将所述钛源送入气化器，在此将其气化。可以将所述金属源与溶剂 混合。可以将所述钛源与另一金属源混合。可以将所述金属源混合物与溶剂或溶剂混合物 混合。可以将所述钛源与稳定剂混合。所述溶剂可以选自链烷，例如己烷、庚烷、辛烷，芳族 溶齐 ，例如苯、甲苯、1，3，5-三甲基苯、二甲苯，含硅溶剂，例如六甲基二硅氧烷、六甲基二硅 氮烷、四甲基硅烷，含硫溶剂，例如二甲亚砜，含氧溶剂，例如四氢呋喃、二氧杂环己烷。
然后将所述气化的钛源引入反应室，在此使其与基底表面接触。可以将该基底加 热至足够的温度，从而以充足的生长速率和所需物理态和组成获得所需薄膜。典型温度为 150°C至600°C。该温度优选低于或等于450°C。可以通过等离子技术辅助该方法。使用等 离子技术能够将前体蒸气和/或用于形成自由基的反应物离子化，并由此改进所述气化金 属源的反应性和/或该方法中所用的其它气态物质的反应性。本发明的方法是通过或不通过等离子技术辅助的在基底表面上沉积含钛膜的方 法，其至少包括使基底表面暴露于下述通式(I)或(II)所述的钛前体和选自还原性反应 物、氧化性反应物和/或氮化反应物的试剂，以在该表面上制造含钛薄膜。试剂的实例可以 选自下述名单H2、N2H2,甲基胼、NH3、SiH4, Si2H6, Si3H8, TSA、Si2Cl6或任何氯硅烷或氯聚硅 烷、三甲基铝、ZnEt2或任何金属烷基、BH3、B2H6、PH3、AsH3、三甲基硼、三乙基硼、CO、单胺、二 胺、它们的混合物、或包含这些物质的片段的等离子体。氧化试剂的实例可以选自下述名 单02、O3> H2O, H2O2, NO、NO2, N2O, CH3OH或任何醇、它们的混合物、或包含这些物质的片段的 等离子体。或者，氧化物质可以是含有金属-氧键的金属-有机化合物。由于可以使用较低温度和产生较高品质的薄膜，因此本发明的沉积方法改进了已 知方法。此外，热稳定性提高该ALD法可以使用较高温度。另一优点在于，通过本发明方法，生长速率达到了良好水平0. 6埃/周期。在一个实施方案中，本发明方法包括将通式(I)或(II)所述的钛-有机前体交替 地引入含试剂的反应室中。在取决于前体热稳定性和物理性质的温度范围内，所述钛-有 机前体以自限方式与可不受限制地选择的基底表面上存在的化学键反应。优选地，从反应 室中除去未沉积的钛-有机前体分子。引入的试剂也以自限方式反应。一旦基底表面上存在的所有络合物已与试剂反应，就用吹扫气体从反应室中除去 物质。该吹扫气体可以例如选自N2、Ar、He、H2、它们的混合物。该吹扫气体可额外含有不改 变该表面的化学反应性的其它气体。或者，可以通过真空实现吹扫。该方法可以按必要重复 许多次以达到所需膜厚度。该试剂选自还原性反应物、氮化反应物、氧化性反应物或它们的 混合物。试剂的实例可以选自下述名单H2、N2H2、甲基胼、NH3、SiH4, Si2H6, Si3H8, TSA、Si2Cl6 或任何氯硅烷或氯聚硅烷、三甲基铝、ZnEt2或任何金属烷基、BH3、B2H6、PH3、AsH3、三甲基硼、 三乙基硼、⑶、单胺、二胺、它们的混合物、或包含这些物质的片段的等离子体。氧化试剂的 实例可以选自下述名单02、O3> H2O, H2O2, NO、NO2, N2O, CH3OH或任何醇、它们的混合物、或包 含这些物质的片段的等离子体，优选包含H2、NH3或02的等离子体。或者，氧化物质可以是 含有金属_氧键的金属_有机化合物。在一个实施方案中，本发明的方法包括首先将通式(I)或(II)所述的钛-有机前体交替地引入反应室，其次引入试剂或另一金属源。这种另一金属源独立地选自第II、III-A、III-B族、硫(S)、过渡金属、镧系元素或稀土金属中的任何其它元素。在取决于前体 热稳定性和物理性质的温度范围内，所述金属-有机前体以自限方式与基底表面上存在的 化学键反应。优选从反应室中除去未沉积的金属-有机前体分子。引入的试剂也以自限方 式反应。在本发明的另一实施方案中，以液态将所述金属源送入气化器，在此将其气化。可 以将所述金属源与另一金属源混合。可以将所述金属源混合物与溶剂或溶剂混合物混合。 可以将所述金属源与稳定剂混合。所述溶剂可以选自例如由辛烷、己烷、戊烷、四甲基硅烷 组成的组。将所述气化的金属源引入反应室，在此使其与基底接触。该基底可以选自含Si、 Si02、SiN, SiON、W的薄膜和含其它金属的薄膜。可以将该基底加热至足够的温度，从而以 充足的生长速率和所需物理态和组成获得所需薄膜。典型温度为150°C至600°C。该温度 优选低于或等于450°C。控制反应室中的压力，从而以充足的生长速率获得所需含金属的薄 膜。典型压力为 Im Torr (133. I(T3Pa)至 IOOTorr (133. IO2Pa)或更高。在本发明的一个实施方案中，在反应室之前，将所述金属源与反应物质混合。在该目标金属基薄膜含有氧(例如金属氧化物或金属氧氮化物)的本发明的一 个实施方案中，所述反应物质包括下述氧源其选自但不限于氧(02)、氧自由基(例如0或 0H)、例如通过远程等离子体生成的那些、臭氧(O3)、NO、N2O, NO2、水分(H2O)和H202。在该目标金属基薄膜含有氮(例如金属氮化物或金属碳氮化物)的本发明的一个 实施方案中，所述反应物质包括下述氮源其选自但不限于氮(N2)、氨、胼和烷基衍生物、含 N 的基团(例如 N、NH、NH2)、NO、N2O, NO2、胺。在该目标金属基薄膜含有碳(例如金属碳化物或金属碳氮化物)的本发明的一个 实施方案中，所述反应物质包括下述碳源其选自但不限于甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、乙烯、丙 烯、叔丁烯、异丁烯、CCl4。在该目标金属基薄膜含有硅(例如金属硅化物、硅氮化物、硅酸盐、硅_碳-氮 化物)的本发明的一个实施方案中，所述反应物质包括下述硅源其选自但不限于SiH4、 Si2H6, Si3H8, TriDMAS, BDMAS, BDEAS, TDEAS, TDMAS, TEMAS, (SiH3) 3N、(SiH3)20、三甲硅烷 基胺、二硅氧烷、三甲硅烷基胺、二硅烷、三硅烷、烷氧基硅烷SiHx(OR3)4_x、硅烷醇Si (OH) x (OR3) 4_x ；优选 Si (OH) (OR3) 3 ；更优选 Si (OH) (OtBu) 3、氨基硅烷 SiHx (NR3R4) 4_x (其中 χ 为 0 至 4 ；R3和R4独立地为H或直链、支链或环状的C1-C6碳链)；优选TriDMAS SiH(We2) 3>BTBAS SiH2(NHtBu)2、BDEAS SiH2(NEt2)2及其混合物。或者，该目标薄膜可以含有锗。可以将上述 含Si的源换成含Ge的源。按顺序将所述第一金属源、可能的所述第二金属源和反应物质引入反应室(原子 层沉积)中。反应器压力在ImTorr (133. I(T3Pa)至IOOTorr (133. IO2Pa)的范围内选择。反 应器压力优选为1至IOTorr (1330Pa)。在金属源脉冲和反应物质脉冲之间引入吹扫气体。 该吹扫气体可以选自由N2、Ar、He组成的组。该金属源、吹扫气体和反应物质脉冲持续时间 为0. 1至100秒。脉冲持续时间优选为0. 5至10秒。在本发明的一个实施方案中，第二金属源是镧系元素和稀土金属源(Sc、Y、 La、Ce、Pr、Nd、Gd...)源，并选自但不限于由下述物质组成的组稀土二酮配合物Ln (-0-C (R1) -C (R2) -C (R3) -O-) (_0_C (R4) -C (R5) -C (R6) _0_) (_0_C (R7) -C (R8) -C (R9) _0_)(其 中各Ri独立地为H或直链、支链或环状的C1-C6碳链)、环戊二烯基Ln (R1Cp) (R2Cp) (R3Cp) (其中各Ri独立地为H或直链、支链或环状的C1-C6碳链)、Ln (NR1R2) (NR3R4) (NR5R6)、及其 混合物。所述另一金属源可以是铝源并选自但不限于由下述物质组成的组三甲基铝、二甲 基铝氢化物、烷氧基铝烷AlRix (OR’)3_x (其中χ为0至2 ；！ 1和R2独立地为H或直链、支链或 环状的C1-C6碳链)；优选AlR1R2OR'，最优选AlMe2 (OiPr)、酰氨基铝烷AlRix (NR' R”) 3_x (其 中χ为0至2出1和R2独立地为H或直链、支链或环状的C1-C6碳链)和其混合物。或者， 所述另一金属源可以是钨或钼源。所述另一金属源可以是钛源，例如Ti (OR1)4或其它含醇 盐的金属源、M(NR1R2)4或含有这些物质的加合物。所述第二金属源可以是二价金属源(优 选Sr、Ba、Mg、Ca和Zn)，选自但不限于金属β - 二酮配合物、环戊二烯基或含有这些物质的 加合物。实施例五甲基环戊二烯基三甲氧基钛Ti (Me5Cp) (OMe)3的合成
权利要求
在基底上形成含钛层的方法，该方法至少包括下述步骤a)提供蒸气，其包含至少一种式Ti(Me5Cp)(OR)3(I)的前体化合物，其中R选自由甲基、乙基、异丙基组成的组；或至少一种式Ti(R1Cp)(OR2)3(II)的前体化合物，其中R1选自由H、甲基、乙基、异丙基组成的组，且R2独立地选自由甲基、乙基、异丙基或叔丁基组成的组；b)根据原子层沉积法，使所述包含所述至少一种式(I)或(II)的化合物的蒸气与基底反应，以在所述基底的至少一个表面上形成含钽的络合物层。
2.权利要求1的方法，进一步包括下述步骤c)步骤b)中形成的络合物与选自另一金属源、还原性反应物和/或氮化反应物和/或 氧化性反应物的试剂的反应。
3.权利要求1或2的方法，其中各R彼此不同。
4.权利要求1至3之一的方法，其中在步骤a)中提供的蒸气进一步包含一种或多种金 属(M’)_有机前体，以制造含有钛和M’的薄膜。
5.权利要求1至4之一的方法，进一步包括提供至少一种反应气体，其中所述至少一种 反应气体选自由下述物质组成的组氢、硫化氢、硒化氢、碲化氢、一氧化碳、氨、有机胺、硅 烷、二硅烷、高级硅烷、甲硅烷基胺、乙硼烷、胼、甲基胼、氯硅烷和氯聚硅烷、金属烷基、胂、 膦、三烷基硼、氧、臭氧、水、过氧化氢、一氧化二氮、一氧化氮、二氧化氮、醇、包含这些物质 的片段的等离子体、及其组合，优选臭氧或水。
6.权利要求1至5之一的方法，其中所述钛前体选自由下述物质组成的组Ti (MeCp) (OEt)3；Ti (MeCp) (OiPr)3；Ti (MeCp) (OtBu)3；Ti (EtCp) (OEt)3；Ti (EtCp) (OiPr)3；Ti (EtCp) (OtBu)3；Ti (Cp) (OEt)3；Ti (Cp) (OiPr)3；Ti (Cp)(OtBu)3、Ti (Me5Cp) (OMe) 3、Ti (MeCp) (OMe) 3、Ti (MeCp) (OEt) 3、Ti (MeCp) (OiPr) 3、Ti (MeCp) (OtBu) 3、Ti (EtCp) (OMe) 3、 Ti (EtCp) (OEt) 3、 Ti (EtCp) (OiPr) 3、 Ti (EtCp) (OtBu) 3、 Ti (Cp) (OMe) 3、 Ti (Cp) (OEt) 3、Ti(Cp) (OiPr) 3> Ti (Cp) (OtBu) 3、Ti (iPrCp) (OMe) 3、Ti (iPrCp) (OEt) 3、Ti (iPrCp) (OiPr) 3> Ti(iPrCp)(OtBu)3。
7.权利要求1至6之一的方法，其中所述基底的温度为25°C至600°C，优选380°C至 425°C，且其中含有所述基底的原子层沉积室具有0. 133Pa至133kPa、优选低于27kPa的压 力。
8.权利要求1至7之一的方法，进一步包括下述步骤用选自由氢、氮、氦、氩及其混合 物组成的组的惰性气体从所述基底上吹除包含所述至少一种式(I)的化合物的过量蒸气。
9.制造半导体结构的方法，其包括权利要求1至8任一项中所述的方法的步骤，其中所 述基底是半导体基底。
全文摘要
在基底上形成含钛层的方法，该方法至少包括下述步骤a)提供蒸气，其包含至少一种式Ti(Me5Cp)(OR)3(I)的前体化合物，其中R选自由甲基、乙基、异丙基组成的组；或至少一种式Ti(R1Cp)(OR2)3(II)的前体化合物，其中R1选自由H、甲基、乙基、异丙基组成的组，且R2独立地选自由甲基、乙基、异丙基或叔丁基组成的组；b)根据原子层沉积法，使所述包含所述至少一种式(I)或(II)的化合物的蒸气与基底反应，以在所述基底的至少一个表面上形成含钽的络合物层。
文档编号C07F17/00GK101959897SQ200980106573
公开日2011年1月26日 申请日期2009年2月13日 优先权日2008年2月27日
发明者A·曹纳, A·潘沙尔, C·拉绍, C·迪萨拉, J-M·吉拉尔, N·布拉斯科, S·伽蒂诺, Z·王 申请人:乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司