专利名称：四(邻烷氧基苯氧基)铪及其合成方法和应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及化学领域中的一种金属有机配合物及其合成方法，由其涉及一种四(邻烷 氧基苯氧基)铪及其合成方法和应用。
背景技术：
随着半导体制造业的不断发展，MOS器件尺寸缩小到0. 1 Mm的特征尺度以下时，栅 介质等效氧化物厚度已小至纳米数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，严重影响 器件的稳定性和可靠性。因此，需要寻找新型高K介质材料，在保持和增大栅极电容的同 时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。高K材料基于一种名为铪的元素，而不是以往的二氧化硅；而晶体管栅极则由两 种金属元素组成，取代了硅。铪是元素周期表中的72号元素，也是一种金属材料。它呈银 灰色，具有很高的韧性和防腐性，化学特性类似于锆。在45纳米晶体管中采用铪来代替二 氧化硅，是因为铪是一种较厚(thicker)的材料，它能在显著降低漏电量的同时，保持高电 容来实现晶体管的高性能。这项创新技术引导我们推出了新一代45纳米处理器，并为我们 将来生产体积更小巧的处理器奠定了基础。并由此可能直接打开通向32纳米及22纳米的 通路，扫清工艺技术中的一大障碍。研制四(邻烷氧基苯氧基)铪化合物正是针对以上高K前驱体的用途而进行的。目 前报道的可用于生长高k材料的烷氧基铪化合物比较简单。在分子内导入新的可能参与配 位的基团后，可以通过调节取代基的大小，获得结构合适的配体化合物，从而能更好的应用 于铪材料的制备中。同时，由于分子内的配位作用，可以得到金属中心被良好覆盖的新型有 机铪化合物，这样的化合物由于分子间的作用减弱，有利于分子的挥发。这就需要在新结构 的配合物的设计、合成上进行进一步的探索。
发明内容
发明目的一种四(邻烷氧基苯氧基)铪及其合成方法和应用，该铪化合物为高K材料 的前驱体，其在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿 效应的影响。技术方案本发明所述的有机铪材料，为分子内具有可配位基团的苯氧基铪类化 合物，其结构为=L4Hf，其中L是邻烷氧基苯酚类化合物，其结构通式如下
权利要求
1.四(邻烷氧基苯氧基)铪，其分子为L4Hf,其中L是邻烷氧基苯酚类化合物，结构式如下
2.制备权利要求1所述四(邻烷氧基苯氧基)铪的方法，其特征在于制备步骤为在惰 性气氛下，在反应瓶内由金属钠和邻烷氧基苯酚在甲苯溶剂中反应制的钠盐，保持反应温 度在30 70°C之间，然后，按照和酚钠盐摩尔比为1 4的比例，向上述溶液中分批加入四氯 化铪固体，加完后，保持体系温度在50 90°C之间，搅拌反应3-8小时，然后将体系冷却至 室温，在氮气气氛下，过滤反应混合物，将得到的滤液浓缩至约25mL，析出大量白色固体，过 滤，滤饼用正己烷洗2 3次，真空干燥，得白色晶体即为四(邻烷氧基苯氧基)铪。
3.四(邻烷氧基苯氧基)铪作为前驱体用于高K材料的制备。
全文摘要
四(邻烷氧基苯氧基)铪及其合成方法和应用，四(邻烷氧基苯氧基)铪，其分子为L4Hf，其中L是邻烷氧基苯酚类化合物，结构式如下其中R是烷基。
文档编号C07F7/00GK102093400SQ20101059883
公开日2011年6月15日 申请日期2010年12月22日 优先权日2010年12月22日
发明者孔令宇, 曹季, 潘毅, 虞磊, 韩建林 申请人:南京大学