专利名称：盐、光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法
技术领域：
本发明涉及盐、光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法。
背景技术：
用于半导体使用的光致抗蚀剂组合物通常包含盐作为酸生成剂。US2007/0122750记载由下式表示的盐作为酸生成剂。
权利要求
1.ー种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含树脂，所述树脂在碱水溶液中难溶或不溶但是通过酸的作用可溶，以及由式(I)表示的盐
2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中L1由式(C-l)、(L-2)和0^-3)中的任一项表不
3.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂组合物，其中X1表示-0-* \ -NR3- * \ -0-C0- *\ -o-ch2- * \ -o-ch2-co-o- * 1 或-nr3-ch2- * S 其中*1 表示与 W1 的连接位置，并且其中 X2 表示-0- * 2、-NR3- * 2、-0-C0- * 2、-0-CH2- * 2、-0-CH2-C0-0- * 2 或-NR3_CH2- * 2，其中*2表示与W2的连接位置。
4.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中Z+是芳基锍阳离子。
5.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述树脂具有由式(al-Ι)表示的结构单元
6.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物还包含碱性化合物。
7.一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括步骤(1)至(5) (1)将根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂组合物涂敷在基板上的步骤， (2)通过进行干燥形成光致抗蚀剂膜的步骤， (3)将所述光致抗蚀剂膜曝光至辐射的步骤， (4)烘烤所曝光的光致抗蚀剂膜的步骤，以及 (5)将所烘烤的光致抗蚀剂膜显影，从而形成光致抗蚀剂图案的步骤。
8.一种由式⑴表不的盐
全文摘要
本发明提供盐、光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法。一种光致抗蚀剂组合物，其包含在碱水溶液中难溶或不溶但是通过酸的作用可溶的树脂和由式(I)表示的盐，其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基，L1表示C1-C30三价脂族饱和烃基，其中氢原子可以用氟原子替换并且其中亚甲基可以用氧原子、-NR3-或羰基替换，其中R3表示氢原子或C1-C6烷基，W1和W2各自独立地表示C3-C36脂环烃环，其中亚甲基可以用氧原子、硫原子、-NR4-、磺酰基或羰基替换，其中R4表示氢原子或C1-C6烷基，R1和R2各自独立地表示羟基或C1-C6烷基，t1和t2各自独立地表示0至2的整数，并且Z+表示有机阳离子。
文档编号C07D333/46GK102955359SQ20121029740
公开日2013年3月6日 申请日期2012年8月20日 优先权日2011年8月22日
发明者吉田勋, 向井优一, 市川幸司 申请人:住友化学株式会社