一种含五氟丙烯和吡喃环的液晶化合物及其液晶组合物的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种含五氟丙烯和吡喃环的化合物，所述化合物具有如下结构通式该化合物可应用在TN、IPS、FFS、ADS-TFT模式中。加入了本发明化合物的液晶组合物，具有响应时间更短、Δn数值适中、电荷保持率更高，并且具有较低的阈值电压的优点，应用前景广阔。
【专利说明】一种含五氟丙烯和吡喃环的液晶化合物及其液晶组合物
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶材料领域，具体涉及一种液晶化合物以及包括所述液晶化合物的液晶组合物，更具体地说，本发明涉及一种新型的含五氟丙烯和吡喃环结构的液晶化合物以及包括所述液晶化合物的液晶组合物。
【背景技术】
[0002]近年来，液晶化合物的应用领域越来越广，已经广泛用于各种类型的显示设备、电光学器件、传感器等。其中，在显示装置中向列相液晶有着最宽广的用途。向列相液晶已经广泛应用于无源TN或STN矩阵显示器和具有TFT有源矩阵的系统中。
[0003]液晶材料要求具备良好的化学和热稳定性，良好的对电场和电磁辐射的稳定性，较宽的向列相温度范围，适当的折射率、介电各向异性，较快的响应速度和高的电压保持率。
[0004]随着显示技术的发展，对液晶材料也提出了更高的要求，尤其是在快速响应，降低驱动电压，降低功耗等方面。
[0005]W02006/061966、W02006/132015、JP2005-15775 和 JP2007 — 277127 等专利中曾涉及了含五氟丙烯结构衍生物作为液晶化合物，但是都存在介电各向异性小，响应速度慢，旋转粘度大等缺点。因此，存在开发改进性能的新型五氟丙烯结构液晶化合物的需要。
【发明内容】
[0006]本发明的目的是提供一种含五氟丙烯和吡喃环结构的液晶化合物。
[0007]本发明的另一目的是提供一种含五氟丙烯和吡喃环结构的液晶化合物的制备方法。
[0008]本发明的再一目的是提供一种含五氟丙烯和吡喃环结构的液晶化合物的应用。
[0009]本发明所述含五氟丙烯和吡喃环结构的液晶化合物能够克服现有液晶化合物在介电各向异性小，响应速度慢，旋转粘度大等方面的不足，具有介电各向异性大，响应速度快，旋转粘小等优点。
[0010]为解决上述问题，本发明采用如下技术方案:
[0011]本发明提供一种可以作为液晶介质组分的含五氟丙烯和吡喃环化合物，所述化合物具有如下结构通式(I):
[0012]
【权利要求】
1.一种含五氟丙烯和吡喃环的化合物，所述化合物具有如下结构通式(I):
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于:R表示-H，具有1-8个碳原子的烷基或1-8个碳原子的烷氧基；其中，烷基或烷氧基中的H可以被卤素取代，一个或多个-CH2-可以各自独立地被-CH=CH-、或-O-取代，但要求O原子彼此不直接连接； 八3、八5各自独立地表示1,4-亚苯基；其中1,4-亚苯基中的1-4个氢原子可以被氟原子取代； A1^ A2> A4相同或不同,各自独立地表不
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于:R表示-H，具有1-6个碳原子的烷基或1-6个碳原子的烷氧基；其中，烷基或烷氧基中的H可以被卤素取代，一个或多个-CH2-可以各自独立地被-CH=CH-、或-O-取代，但要求O原子彼此不直接连接； A1、A2、A3、A4、A5相同或不同，各自独立地表示1，4_亚苯基；1，4-亚苯基中的1_4个氢原子可以被氟原子取代； Z1、Z2、Z3、Z4表示碳碳单键； l、m、η相同或不同,各自独立地表示0、1、2，且1+m+n ( 3。
4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于:所述的化合物为:
5.权利要求1-4任一项所述化合物的制备方法，其特征在于: 具体包括如下步骤: 步骤1):
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于:所述步骤I)中，
7.含有至少一种权利要求1-4中任一项所述液晶化合物的液晶组合物。
8.根据权利要求7所述的组合物，其特征在于:通式(I)的化合物的质量百分比用量为1-50%ο
9.根据权利要求8所述的组合物，其特征在于:通式(I)的化合物的质量百分比用量为3-30%ο
10.权利要求1-4中任一项所述化 合物在TN、IPS、FFS、ADS-TFT模式中的应用。
【文档编号】C07D309/06GK103772335SQ201410040287
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2014年1月27日 优先权日:2014年1月27日
【发明者】姜天孟, 班全志, 杭德余, 田会强, 高立龙, 梁现丽, 陈海光, 储士红 申请人:北京八亿时空液晶科技股份有限公司