烯烃树脂的制造方法与工艺

本申请的示例性实施方案涉及用于光电器件封装材料的烯烃树脂，包含所述烯烃树脂的树脂组合物，封装膜，用于制造所述光电器件封装材料的方法和光电器件。

背景技术：
光电器件如光伏电池、发光二极管(LED)、或有机发光二极管(OLED)可包括封装所述器件的发光或光敏位点的封装材料。例如，太阳能电池组件可通常通过层合方法来制造，所述层合方法包括层合为光接收基板的透明前基板、封装材料、光伏元件、封装材料和背板，并然后对所述层合物进行抽真空的同时热压所述层合物。公开内容技术问题本申请的示例性实施方案涉及提供用于光电器件封装材料的具有新特性的烯烃树脂，包含所述烯烃树脂的树脂组合物，封装膜，用于制造所述光电器件封装材料的方法和光电器件。技术方案本申请的一个方面提供了具有两个结晶温度(Tc)的聚烯烃树脂。例如，具有两个结晶温度的聚烯烃树脂可具有优良的透光率，并且可应用于多种光伏元件，例如，封装太阳能电池元件的封装材料。在本申请中，“烯烃树脂”是指这样的树脂，其包含由基于烯烃的单体产生的聚合物或共聚物，但不包括树脂共混物。在此，“由单体产生的聚合物”是指包括单体的衍生物如作为聚合单元的单体的聚合物。此外，在本说明书中，“结晶温度”是指产生结晶使得不规则物质结构的排列通过分子间/原子间吸引力而有规律地变化的温度，并且例如，其可通过差示扫描量热法(DSC)来进行分析。在一个实例中，结晶温度可作为冷却期间的放热峰温度来获得，即，热流冷却曲线上的峰温度，所述结晶温度可如下获得：通过向测量容器中加入约0.5mg至10mg的样品，以20℃/分钟的加热速率将温度从0℃升高至200℃，使得氮气流速为20ml/分钟并且聚烯烃树脂的热历史是相同的，在这个状态下维持2分钟，并且然后，当以10℃/分钟的速率将温度从200℃冷却至-150℃的时候用DSC进行测量。在本说明书中，“峰”是指如下将要描述的冷却曲线或加热曲线上的最高点或顶点，并且例如，切线斜率为0的点。然而，在切线斜率为0的点中，不包括拐点，即切线斜率的符号值不改变的点。根据本申请的示例性实施方案的聚烯烃树脂具有两个结晶温度，例如，20℃至35℃的第一结晶温度和高于所述第一结晶温度的第二结晶温度。在一个实例中，对于所述聚烯烃树脂，当以10℃/分钟的速率将温度从200℃冷却至-150℃的时候用DSC测量的热流冷却曲线上的峰可分别显示在20℃至35℃以及35℃至75℃的温度。在这种情况下，在20℃至35℃显示的峰是第一结晶温度，以及在35℃至75℃显示的峰是第二结晶化温度。此外，优选地是，所述聚烯烃树脂的第一结晶温度可为24℃至33℃，以及所述聚烯烃树脂的第二结晶温度可为40℃至70℃。第一结晶温度与第二结晶温度之差可以是10℃或更高，例如，15℃或更高。当所述第一结晶温度与所述第二结晶温度之差过小时，聚烯烃树脂的透光率可能降低，并且所述第一结晶温度与所述第二结晶温度之差的上限没有特别限制，但其可以是例如50℃。此外，本申请的聚烯烃树脂的密度可为0.850g/cm3至0.880g/cm3，例如，0.855g/cm3至0.870g/cm3、0.859g/cm3至0.880g/cm3、或0.855g/cm3至0.877g/cm3。可将所述聚烯烃树脂的密度控制在上述范围内，使得所述聚烯烃树脂具有两个结晶温度。在一个实例中，对于结晶温度，随着聚烯烃树脂密度的增加，所述聚烯烃树脂可具有高的结晶温度。例如，当聚烯烃树脂的密度为约0.859g/cm3至0.862g/cm3时，所述聚烯烃树脂的第一结晶温度和第二结晶温度可分别显示在23℃至28℃以及40℃至45℃，或者当聚烯烃树脂的密度为约0.875g/cm3至0.880g/cm3时，所述聚烯烃树脂的第一结晶温度和第二结晶化温度可分别显示在30℃至35℃以及50℃至67℃。本申请的另一个方面提供了聚烯烃树脂，所述聚烯烃树脂具有如上所述的两个结晶温度以及一个熔融温度(Tm)。“熔融温度”是指这样的温度，在该温度聚合物树脂从固体状态变为呈现流动性的液体状态，并且树脂的晶体部分开始流动，并且所述温度可通过上述DSC进行分析。例如，根据上述方法当以10℃/分钟的速率将样品从200℃冷却至-150℃的时候测量结晶温度之后，所述熔融温度可作为加热期间吸热峰的温度得到，即，当以10℃/分钟的速率将样品的温度从-150℃升高至200℃的时候用DSC测量的热流加热曲线的峰。根据本申请的示例性实施方案的聚烯烃树脂可具有一个熔融温度，并且例如，当以10℃/分钟的速率将样品从-150℃升高至200℃的时候用DSC测量的热流加热曲线的峰可显示在40℃至60℃。随着聚烯烃树脂密度的增加，所述聚烯烃树脂可具有高的熔融温度，并且例如，当聚烯烃树脂的密度为约0.859g/cm3至0.862g/cm3时，所述聚烯烃树脂的熔融温度可显示在40℃至45℃，或者当聚烯烃树脂的密度为约0.875g/cm3至0.880g/cm3时，所述聚烯烃树脂的熔融温度可显示在50℃至55℃。当熔融温度过高时，在低的温度下，包含所述聚烯烃树脂的封装材料可能不能层合到基板上，因此，可能存在这样的问题：加工温度升高，由此成本提高。鉴于这一点，可将熔融温度控制在上述范围内。此外，本申请的聚烯烃树脂满足下列公式1。[公式1]10℃＜|Tc2-Tc1|-|Tm-Tc2|≤20℃在公式1中，Tc1表示第一结晶温度，Tc2表示第二结晶温度，以及Tm表示熔融温度。聚烯烃树脂满足上述公式1，因此，控制熔融温度以使其相对于与结晶温度的关系不过高。因此，在低的温度下可将包含所述聚烯烃树脂的封装材料层合到基板上，并因此，可控制为低的加工温度，从而经济地进行光电器件的制造过程。在一个实例中，基于ASTMD1238，即，温度为190℃且载荷为2.16kg，本申请的聚烯烃树脂的MFR值可为0.1g/10分钟至20.0g/10分钟，例如，0.5g/10分钟至10.0g/10分钟、1.0g/10分钟至5.0g/10分钟、0.6g/10分钟至10.0g/10分钟、或0.65g/10分钟至5.0g/10分钟。当聚烯烃树脂的MFR值在上述范围内时，例如，如下将描述的树脂组合物可显示出优异的模压加工性。例如，在聚烯烃树脂的情况下，上述MFR值可在190℃下于2.16kg的载荷下测量，但本申请不限于此。在一个实例中，如上所述具有两个结晶温度的聚烯烃树脂可由基于烯烃的单体产生，并且例如，所述聚烯烃树脂可包含由所述基于烯烃的单体产生的聚合物或共聚物。例如，具有两个结晶温度的聚烯烃树脂可以是乙烯/α-烯烃共聚物、乙烯聚合物、或丙烯聚合物，并且在示例性实施方案中，所述聚烯烃树脂可以是乙烯/α-烯烃共聚物。在一个实例中，所述基于烯烃的单体可以是选自乙烯、丙烯、和基于α-烯烃的单体中的一种或更多种单体。基于α-烯烃的单体的实例可包括支化的基于α-烯烃的单体，例如，异丁烯；线性的基于α-烯烃的单体，例如，1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、4-苯基-1-丁烯、6-苯基-1-己烯、2-甲基1-丁烯、3-甲基-1-丁烯、4-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-己烯、5-甲基-1-己烯、3,3-二甲基-1-戊烯、3,4-二甲基-1-戊烯、4,4-二甲基-1-戊烯、和乙烯基环己烷；卤素取代的基于α-烯烃的单体，例如，六氟丙烯、四氟乙烯、2-氟丙烯、氟乙烯、1,1-二氟乙烯、3-氟丙烯、三氟乙烯、或3,4-二氯-1-丁烯；环状的基于α-烯烃的单体，例如，环戊烯、环己烯、降冰片烯、5-甲基降冰片烯、5-乙基降冰片烯、5-丙基降冰片烯、5,6-二甲基降冰片烯、和5-苄基降冰片烯；等，但本申请不限于此。此外，具有两个结晶温度的聚烯烃树脂可以是乙烯与基于α-烯烃的单体或丙烯与基于α-烯烃的单体的共聚物，并且例如，所述聚烯烃树脂可以是乙烯与一种或更多种基于α-烯烃的单体的共聚物，所述基于α-烯烃的单体选自1-丁烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯、和1-辛烯，并优选乙烯和1-辛烯的共聚物。在本说明书中，“乙烯/α-烯烃共聚物”是指包含聚合形式的乙烯和α-烯烃作为主要组分的聚烯烃，并且具体地，可指这样的共聚物，其包含至少50摩尔％或更多的作为聚合单元的乙烯，及作为聚合单元的具有三个或更多个碳原子的烯烃单体或其他共聚单体，以及乙烯的均聚物。共聚物包括具有不同类型的排列的所有聚合物，即使所述共聚物是由上述的单体制备的。例如，在本申请的示例性实施方案中，为了根据树脂组合物的用途适当地控制其粘度或物理性质，可将所述烯烃树脂中包含的共聚物的排列控制为无规型、交联型、嵌段型、或不同的链段等而使用，并且优选地，所述共聚物可以是无规型的无规共聚物。乙烯/α-烯烃共聚物的实例可包括选自以下中的一种或更多种：低密度乙烯/α-烯烃共聚物、中密度乙烯/α-烯烃共聚物、高密度乙烯/α-烯烃共聚物、极低密度乙烯/α-烯烃共聚物、超低密度乙烯/α-烯烃共聚物、和线性低密度乙烯/α-烯烃共聚物。本申请的具有两个结晶温度的聚烯烃树脂可通过在催化剂的存在下使上述基于烯烃的单体聚合或共聚来制备，但本申请没有特别限定于此。例如，聚烯烃树脂可通过使基于烯烃的单体与如下将描述的催化剂组合物相接触来制备。在一个实例中，具有两个结晶温度的聚烯烃树脂可通过在双核催化剂的存在下使所述基于烯烃的单体聚合来制备。所述双核催化剂可以是由以下结构表示的双核茂金属化合物，并且所述双核茂金属化合物由以下化学式1表示。[化学式1]在化学式1中，R1至R4可以彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；卤素基团；具有1至20个碳原子的烷基；具有2至20个碳原子的烯基；甲硅烷基；具有6至20个碳原子的芳基；具有7至20个碳原子的烷基芳基；或具有7至20个碳原子的芳基烷基；并且R1至R4中的两个或更多个相邻的R可彼此结合以形成脂肪族环或芳香族环；R5至R7可以彼此相同的或不同，并且各自独立地为氢；卤素基团；具有1至20个碳原子的烷基；具有2至20个碳原子的烯基；具有6至20个碳原子的芳基；具有7至20个碳原子的烷基芳基；具有7至20个碳原子的芳基烷基；具有1至20个碳原子的烷氧基；具有6至20个碳原子的芳氧基；或酰胺基；并且R5至R7中的两个或更多个相邻的R可彼此结合以形成脂肪族环或芳香族环；CY可以是含氮的脂肪族环或芳香族环，并且可被卤素和具有1至20个碳原子的烷基或芳基取代，或者未被取代，并且当所述取代基的数目为多个时，所述取代基中的两个或更多个取代基可彼此结合以形成脂肪族环或芳香族环；M是第4族过渡金属；X1是卤素基团；具有1至20个碳原子的烷基；具有2至20个碳原子的烯基；具有6至20个碳原子的芳基；具有7至20个碳原子的烷基芳基；具有7至20个碳原子的芳基烷基；具有1至20个碳原子的烷基酰胺基；具有6至20个碳原子的芳基酰胺基；或具有1至20个碳原子的次烷基；并且n是0至10的整数。与单位点催化剂相比，所述双核茂金属化合物具有高的亲和性，从而提供具有高活性的多位点催化剂。由上述化学式1表示的双核茂金属化合物中，R1至R7各自独立地为氢、具有1至20个碳原子的烷基、或具有6至20个碳原子的芳基，并且R1至R7中的两个相邻的R可彼此结合以形成一个或更多个脂肪族环或芳香族环，但本申请不限于此。此外，CY可以是五元或六元的含氮的脂肪族或芳香族环，其被具有1至20个碳原子的烷基取代或未被取代，但本申请不限于此。此外，M可以是钛(Ti)、锆(Zr)、或铪(Hf)，并且X1可以是卤素或具有1至20个碳原子的烷基，但本申请不限于此。由上述化学式1表示的双核茂金属化合物的实例可包括以下化合物，但本申请不限于此。在一个实例中，例如，由上述化学式1表示的双核茂金属化合物可通过包括以下的方法合成：将茂金属化合物与如下式的二醇化合物混合，然后搅拌由此得到的混合物一段时间，但本申请不限于此。由上述化学式1表示的双核茂金属化合物具有这样的结构，其中与引入环状酰胺基的亚苯基桥连的两个单茂金属化合物与烷撑二氧基(-O-(CH2)n-O-)交联。因此，所述双核茂金属化合物具有如下特征：其中两个金属中心通过充当连接键的二醚链连接，并因此，可减少金属之间不必要的相互作用，从而产生稳定的催化活性和促进结构转变。与单位点催化剂不同，所述双核茂金属化合物对基体具有高的亲和性，并因此表现出高的活性。出于这个原因，当使用双核茂金属化合物作为聚烯烃聚合反应或共聚反应的催化剂时，可以以高活性制备具有高的分子量和宽的分子量分布的聚烯烃。此外，可将多种取代基引入到环状酰胺环例如环戊二烯基和基于喹啉的环或基于二氢吲哚的环中，使得最终可容易地控制金属周围的电子和三维环境。换言之，通过使用具有这种结构的化合物作为催化剂，可容易地控制由此产生的烯烃聚合物的结构和物理性质。对于在具有如上所述新结构的双核催化剂的存在下使基于烯烃的单体聚合，可使用催化组合物，除了由上述化学式1表示的双核茂金属化合物之外，其还包含选自以下中的一种或更多种助催化化合物：由以下化学式2表示的化合物、由以下化学式3表示的化合物、以及由以下化学式4表示的化合物。[化学式2]-[Al(R8)-O]n-在化学式2中，R8是卤素基团；具有1至20个碳原子的烃基；或被卤素取代的具有1至20个碳原子的烃基，并且n是2或更大的整数，[化学式3]D(R9)3在化学式3中，D是铝或硼，R9是具有1至20个碳原子的烃基或者被卤素取代的具有1至20个碳原子的烃基，[化学式4][L-H]+[ZA4]-或[L]+[ZA4]-在化学式4中，L为中性或阳离子路易斯碱，H是氢原子，Z是第13族元素，并且A可以彼此相同或不同，并且各自独立地为具有6至20个碳原子的芳基；或具有1至20个碳原子的烷基，其中1个或更多个氢原子被卤素取代或未被取代；具有1至20个碳原子的烃；烷氧基或苯氧基。由上述化学式2表示的化合物的实例可包括甲基铝氧烷(MAO)、乙基铝氧烷、异丁基铝氧烷、丁基铝氧烷等。由上述化学式3表示的烷基金属化合物的实例可包括：三甲基铝、三乙基铝、三异丁基铝、三丙基铝、三丁基铝、二甲基氯化铝、二甲基异丁基铝、二甲基乙基铝、二乙基氯化铝、三异丙基铝、三仲丁基铝、三环戊基铝、三戊基铝、三异戊基铝、三己基铝、乙基二甲基铝、甲基二乙基铝、三苯基铝、三对甲苯基铝、二甲基甲氧基铝、二甲基乙氧基铝、三甲基硼、三乙基硼、三异丁基硼、三丙基硼、三丁基硼等。由上述化学式4表示的化合物的实例可包括：三乙基铵四苯基硼、三丁基铵四苯基硼、三甲基铵四苯基硼、三丙基铵四苯硼、三甲基铵四(对甲苯基)硼、三丙基铵四(对甲苯基)硼、三乙基铵四(邻,对-二甲基苯基)硼、三甲基铵四(邻,对-二甲基苯基)硼、三丁基铵四(对三氟甲基苯基)硼、三甲基铵四(对三氟甲基苯基)硼、三丁基铵四五氟苯基硼、N,N-二乙基苯铵四苯基硼、N,N-二乙基苯铵四苯基硼、N,N-二乙基苯铵四五氟苯基硼、二乙基铵四五氟苯基硼、三苯基四苯基硼、三甲基四苯基硼、三乙基铵四苯基铝、三丁基铵四苯基铝、三甲基铵四苯基铝、三丙基铵四苯基铝、三甲基铵四(对甲苯基)铝、三丙基铵四(对甲苯基)铝、三乙基铵四(邻,对-二甲基苯基)铝、三丁基铵四(对三氟甲基苯基)铝、三甲基铵四(对三氟甲基苯基)铝、三丁基铵四五氟苯基铝、N,N-二乙基苯铵四苯基铝、N,N-二乙基苯铵四苯基铝、N,N-二乙基苯铵四五氟苯基铝、二乙基铵四五氟苯基铝、三苯基四苯基铝、三甲基四苯基铝、三苯基碳四苯基硼、三苯基碳四苯基铝、三苯基碳四(对三氟甲基苯基)硼、三苯基碳四五氟苯基硼、二甲基苯铵四(五氟苯基)硼酸盐等。聚烯烃树脂可使用催化剂组合物通过溶液法来制备。此外，当催化剂组合物与无机载体如二氧化硅一起使用时，聚烯烃树脂还可通过淤浆相或气相方法来制备。在溶液法中，可将催化组合物溶解于以下溶剂或用其稀释之后注入：适合于烯烃聚合过程的具有5至12个碳原子的脂肪族烃溶剂，例如，戊烷、己烷、庚烷、壬烷、癸烷、及其异构体；芳香族烃溶剂，例如甲苯和苯；取代有氯原子的烃溶剂，例如二氯甲烷、氯苯等。可在通过用少量的烷基铝处理除去充当催化剂毒物的水或空气之后使用所述溶剂，并且还可使用助催化剂。特别地，为了制备根据本申请的聚烯烃，通过使用催化组合物，可进行具有高空间位阻的单体(例如乙烯和1-辛烯)的共聚反应，并且通过使用双核茂金属化合物，可容易地控制金属周围的电子或三维环境，并且，最终可控制由此产生的聚烯烃的结构和物理性质。聚烯烃可使用连续搅拌釜式反应器(CSTR)或活塞流反应器(PFR)来制备。所述反应器可两个或更多个反应器串联或者并联布置，并且，还可包括分离器以连续不断地从反应混合物中分离出溶剂和未反应的单体。在一个实例中，当聚烯烃树脂是通过进行连续溶液聚合方法制备时，制备聚烯烃树脂的过程可包括催化过程、聚合过程、溶剂分离过程和回收过程，如下所述。a)催化过程可注入催化组合物，所述催化组合物溶解在适合于烯烃聚合过程的被卤素取代或未被取代的具有5至12个碳原子的芳香族或脂肪族溶剂中或用其稀释。所述溶剂的实例可包括脂肪族烃溶剂，例如戊烷、己烷、庚烷、壬烷、癸烷、及其异构体；芳香族烃溶剂，例如甲苯、二甲苯、和苯；取代有氯原子的烃溶剂，例如二氯甲烷、氯苯等。在此，可在通过用少量的烷基铝处理除去充当催化剂毒物的水或空气之后使用所述溶剂，并且还可大量地使用助催化剂。b)聚合过程聚合过程可如下进行：通过在反应器中引入包含由上述化学式1表示的双核茂金属化合物和助催化剂的催化组合物以及一种或更多种基于烯烃的单体。当进行溶液相和淤浆相聚合时，向反应器中注入溶剂。反应器中存在溶剂、催化组合物和单体的混合溶液。可考虑到适合于溶解反应前的原料和反应后待产生的聚合物，可控制适合于反应的单体与溶剂的摩尔比。例如，单体与溶剂的摩尔比可以是10:1至1:10,000、5:1至1:100、或1:1至1:2。当溶剂的量过少时，流体的粘度增加，并因此，可能存在产生的聚合物的输送问题。另一方面，当溶剂的量过大时，由于溶剂的量大于必需的量，根据溶剂的提纯和再循环可能存在能源成本增加以及设备增加的问题。考虑到此类问题，可将溶剂的量适当地控制在上述范围内。可使用加热器或冷凝装置将溶剂以-40℃至150℃添加到反应器中，然后，聚合反应连同单体和催化组合物一起开始。根据反应的量存在小的差异，但通常，当溶剂的温度过低时，反应温度也降低，并且可能难以控制温度。当溶剂的温度过高时，根据反应难以移去反应热。考虑到此类问题，可将溶剂的温度控制在上述范围内。此外，通过使用高容量泵将压力升高50巴或更高之后供应供给物(溶剂、单体、催化组合物等)，可使所述供给物的混合物经过反应器布置、减压装置和分离器通过而无需另外泵送。可将内部温度(即，反应器中的聚合反应温度)控制在-15℃至300℃，例如，50℃至200℃、或50℃到150℃。当所述内部温度过低时，由于低的反应速率可能存在生产率低的问题，而当所述内部温度过高时，根据产生的副反应和变色(例如发生了聚合物的碳化)，可能存在产生杂质的问题。考虑到此类问题，可将反应器的内部温度控制在上述范围内。可将反应器中的内部压力控制在1巴至300巴，例如，30巴至200巴、或30巴至50巴。当所述内部压力过低时，反应速率低，并因此，生产率低，并且可能存在根据所使用的溶剂的蒸发的问题。当所述内部压力过高时，根据高压可能存在设备成本增加的问题，例如安装成本。考虑此类问题，可将反应器中的内部压力控制在上述范围内。可将反应器中产生的聚合物维持在溶剂中低于20重量％的浓度，并然后可将所述聚合物转移到第一溶剂分离过程中以在短的停留时间后除去溶剂。反应器中产生的聚合物的停留时间可为1分钟至10小时，例如，3分钟至1小时、或5分钟至30分钟。当所述停留时间过短时，由于短的停留时间，可能存在以下问题：生产率降低，催化剂损失，并因此，生产成本增加。当所述停留时间过长时，根据比催化剂的合理活性期更多的反应，反应器变得更大，并因此，设备成本增加。考虑到这种问题，可将在反应器中的停留时间控制在上述范围内。c)溶剂分离过程可通过改变溶液温度和压力来分离溶剂以除去与聚合物一起从反应器中出来的溶剂。例如，通过加热器将从反应器中转移的聚合物溶液的温度升高到约200℃至230℃，并然后通过减压装置降低压力。未反应的原料和溶剂可在第一分离器中蒸发。此时，可将分离器中的压力控制在1巴至30巴，例如，1巴至10巴、或3巴至8巴。当分离器中的压力过低时，聚合物的含量增加，并因此，可能存在聚合物的输送问题，而当所述压力过高时，则难以分离用于聚合过程的溶剂。考虑到此类问题，可将分离器中的压力控制在上述范围内。此外，可将分离器中的温度控制在150℃至250℃，例如，170℃至230℃、或180℃至230℃。当分离器中的温度过低时，共聚物及其混合物的粘度增加，并因此，可能存在输送的问题，而当所述温度过高时，由于根据高温下的变色，根据聚合物的碳化可能存在变色的问题。考虑到此类问题，可将分离器中的温度控制在上述范围内。可将分离器中蒸发的溶剂再循环到在顶系统中冷凝的反应器中。通过第一溶剂分离过程之后，可以得到65％浓缩的聚合物溶液。将65％浓缩的聚合物溶液通过输送泵经由加热器转移到第二分离器中，对剩余溶剂的分离过程在所述第二分离器中进行。可添加热稳定剂以防止由通过加热器期间的高温引起的聚合物变形，并且，可将反应抑制剂与热稳定剂一起添加到加热器中以抑制由聚合物溶液中活化配合物的残留活性引起的聚合物反应。添加到第二分离器中的聚合物溶液中的残留溶剂通过真空泵完全除去，最后，然后使由此得到的聚合物溶液经过冷却水和切割机以得到粒状的聚合物。第二分离过程中的汽化溶剂和其他未反应的单体可通过回收过程将其纯化之后重复使用。d)回收过程在第一溶剂分离过程中，与原料一起添加到聚合过程中的有机溶剂可与未反应的原料一起再循环到聚合过程中。然而，在第二次溶剂分离过程中回收的溶剂通过添加用于阻止催化活性的反应抑制剂而被污染，并由于通过真空泵中供给蒸汽包含溶剂中起催化毒物的作用的大量的水，因此，优选在通过回收过程将第二分离过程中回收的溶剂纯化之后重新使用所述溶剂。由上述方法制备的具有两个结晶温度的烯烃树脂可包含在用于制造光电器件的封装材料的树脂组合物中，当在低温下层合用于光电器件的包含由含有所述烯烃树脂的树脂组合物(下文中，树脂组合物)的反应性挤出制备的改性烯烃树脂的封装材料时，所述封装材料具有优异的粘合强度、高透光率和低雾度值。在本说明书中，使用的“改性烯烃树脂”和“改性乙烯/α-烯烃共聚物”与包含由如下将描述的化学式7表示的包含支链的共聚物具有相同的含义。此外，为了与如上所述的改性烯烃树脂或改性乙烯/α-烯烃共聚物进行区分，仅接枝有不饱和硅烷化合物而不含氨基硅烷化合物的乙烯/α-烯烃共聚物被定义为“硅烷改性烯烃树脂”或“硅烷改性乙烯/α-烯烃共聚物”。在一个实例中，除了上述根据本申请的具有两个结晶温度的烯烃树脂之外，所述树脂组合物还可包含不饱和硅烷化合物和自由基引发剂。树脂组合物中包含的不饱和硅烷化合物由以下化学式5表示，并且其可在自由基引发剂的存在下在烯烃树脂中被接枝到包含作为聚合单元的基于烯烃的单体的主链上以制备改性烯烃树脂或硅烷改性烯烃树脂。例如，所述树脂组合物可经历反应性挤出以制备硅烷改性烯烃树脂，其用由以下化学式5表示的不饱和硅烷化合物接枝至烯烃树脂。[化学式5]DSiR10pR11(3-p)在化学式5中，D表示与硅原子结合的烯基。烯基是指至少一个或更多个不饱和基团，例如，具有双键的官能团，并且烯基的碳原子数可为2至20、2至12、或2至6。所述烯基(即，所述D)的实例可包括乙烯基、烯丙基、丙烯基、异丙烯基、丁烯基、己烯基、环己烯基、或γ-甲基丙烯酰氧丙基，并且在一个实例中，所述烯基可以是乙烯基。R10可表示与硅原子结合的羟基、卤素、胺基、或-R12R13，R12可表示氧或硫原子，R13可表示烷基、芳基、或酰基，并且R11可表示与硅原子结合的氢、烷基、芳基、或芳烷基。在一个实例中，R10可以是反应性官能团，其可通过体系中存在的水的方法水解，并且所述R10的实例可包括烷氧基、烷硫基、芳氧基、酰氧基、卤素基团、或胺基。在这种情况下，烷氧基的实例可包括具有1至20个碳原子、1至12个碳原子、1至8个碳原子、或1至4个碳原子的烷氧基；酰氧基的实例可包括具有1至12个碳原子、1至8个碳原子、或1至4个碳原子的酰氧基；以及烷硫基的实例可包括具有1至12个碳原子、1至8个碳原子、或1至4个碳原子的烷硫基。此外，在示例性实施方案中，上述化学式5中的R10可以是烷氧基，并且具体地，其可以是具有1至12个碳原子或1至8个碳原子的烷氧基。在其他示例性实施方案中，R10可以是具有1至4个碳原子数的烷氧基，例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、或丁氧基。例如，在一些示例性实施方案中，可使用甲氧基或乙氧基。此外，R11可以是非反应性官能团，并且例如R11可以是氢、烷基、芳基、或芳烷基。在此，烷基例如可以是具有1至12个碳原子、1至8个碳原子、或1至4个碳原子的烷基。另外，芳基可以是具有6至18碳原子或6至12个碳原子的芳基，例如苯基，以及芳烷基可以是具有7至19个碳原子或7至13个碳原子的芳烷基，例如苄基。此外，在上述化学式5中，p表示1至3的整数，并且在一些示例性实施方案中，其可表示3。由上述化学式5表示的不饱和硅烷化合物的具体实例可包括乙烯基烷氧基硅烷。不饱和硅烷化合物的实例可包括：乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三丙氧基硅烷、乙烯基三异丙氧基硅烷、乙烯基三丁氧基硅烷、乙烯基三戊氧基硅烷、乙烯基三苯氧基硅烷、或乙烯基三乙酰氧基硅烷。在一个实例中，其中，可使用乙烯基三甲氧基硅烷或乙烯基三乙氧基硅烷，但本申请不限于此。在一个实例中，树脂组合物可包含由上述化学式5表示的不饱和硅烷化合物，其量为相对于100重量份的总树脂组合物0.1重量份至10.0重量份、0.5重量份至7.0重量份、1.0重量份至5.5重量份、或0.5重量份至5.0重量份。在这样的范围内，可维持硅烷改性烯烃树脂的优异的粘合特性，例如，对玻璃基板、背板等的粘合特性。除非本文另有定义，否则本说明书中的单位重量份是指重量比。在一个实例中，树脂组合物可包含自由基引发剂。自由基引发剂可在引发反应中发挥作用，在所述反应中不饱和硅烷化合物接枝到烯烃树脂上。自由基引发剂没有特别限制，只要其可引发乙烯基的自由基聚合反应即可，并且其实例可包括选自有机过氧化物、氢过氧化物、或偶氮化合物中的一种或两种或更多种。具体地，自由基引发剂的实例可包括选自以下中的一种或更多种：二烷基过氧化物，例如，叔丁基枯基过氧化物、二叔丁基过氧化物、二枯基过氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧)己烷和2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧)-3-己炔；氢过氧化物，例如，枯烯氢过氧化物、二异丙基苯氢过氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(氢过氧)己烷、和叔丁基氢过氧化物；二酰基过氧化物，例如，双-3,5,5-三甲基己酰过氧化物、辛酰过氧化物、苯甲酰过氧化物、邻甲基苯甲酰过氧化物、和2,4-二氯苯甲酰过氧化物；过氧酯，例如，叔丁基过氧异丁酸酯、叔丁基过氧乙酸酯、叔丁基过氧-2-乙基己酸酯、叔丁基过氧新戊酸酯、叔丁基过氧辛酸酯、叔丁基过氧异丙基碳酸酯、叔丁基过氧苯甲酸酯、二叔丁基过氧邻苯二甲酸酯、2,5-二甲基-2,5-二(过氧苯甲酰)己烷、和2,5-二甲基-2,5-二(过氧苯甲酰)-3-己炔；以及包含酮过氧化物的偶氮化合物，例如，甲基乙基酮过氧化物和环己酮过氧化物、月桂基过氧化物、偶氮双异丁腈、和偶氮双(2,4-二甲基戊腈)，但本申请不限于此。自由基引发剂可以相对于100重量份的总树脂组合物0.001重量份至5重量份的量包含在内。在一个实例中，树脂组合物除了不饱和硅烷化合物之外还可包含氨基硅烷化合物。氨基硅烷化合物可充当催化用于将反应性官能团(例如在乙烯/α-烯烃共聚物的接枝改性步骤中接枝到烯烃树脂上的不饱和硅烷化合物的烷氧基)转化成例如羟基的水解反应的催化剂，并因此，可改善与由含氟树脂构成的玻璃基板或背板的上部和下部的粘合强度。另外，同时，氨基硅烷化合物直接用作聚合反应的反应物，并因此，其可向改性烯烃树脂提供具有胺官能团的部分。氨基硅烷化合物可以是由以下化学式6表示的化合物。[化学式6]SiR14qR15(4-q)在化学式6中，R14表示与硅原子结合的-(CH2)rNR16R17，R16和R17各自独立地表示与氮原子结合的氢或R18NH2，并且R18表示具有1至6个碳原子的亚烷基。此外，R15表示与硅原子结合的卤素、胺基、-R19R20、或-R20，R19表示氧或硫原子，且R20表示氢、烷基、芳基、芳烷基、或酰基。在这种情况下，q表示1至4的整数，且r表示0或更大的整数。此处，烷基、芳基、芳烷基、酰基、和亚烷基与如上所述相同，并因此，将不提供其解释。优选地，在以上化学式6中，R15可表示与硅原子结合的-R19R20，R19可表示氧原子，R20可表示氢、烷基、芳基、芳烷基、或酰基，R14可表示与硅原子结合的-(CH2)rNR16R17，R16和R17可表示氢，或者R16可表示氢而R17可表示R18NH2，并且此处，R18可表示具有1至3个碳原子的亚烷基。此外，在这种情况下，r可表示2至5的整数。可在烯烃树脂改性步骤(即，制备改性烯烃树脂的步骤)中添加氨基硅烷。此外，如将于以下所述，氨基硅烷可不对包含于组合物中的其他组分(例如，UV稳定剂等)产生不良影响，并且可如预期稳定地保持组合物的全部物理特性。可用作氨基硅烷化合物的化合物是包含胺基(例如，伯胺和仲胺)的硅烷化合物，但本申请不限于此。氨基硅烷化合物的实例可包括氨基三烷氧基硅烷、氨基二烷氧基硅烷等，且其实例可包括选自以下中的一种或更多种：3-氨基丙基三甲氧基硅烷(APTMS)、3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)、双[(3-三乙氧基甲硅烷基)丙基]胺、双[(3-三甲氧基甲硅烷基)丙基]胺、3-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]乙二胺(DAS)、氨基乙基氨基丙基三乙氧基硅烷、氨基乙基氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、氨基乙基氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、氨基乙基氨基甲基三乙氧基硅烷、氨基乙基氨基甲基甲基二乙氧基硅烷、二亚乙基三氨基丙基三甲氧基硅烷、二亚乙基三氨基丙基三乙氧基硅烷、二亚乙基三氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、二亚乙基氨基甲基甲基二乙氧基硅烷、(N-苯基氨基)甲基三甲氧基硅烷、(N-苯基氨基)甲基三乙氧基硅烷、(N-苯基氨基)甲基甲基二甲氧基硅烷、(N-苯基氨基)甲基甲基二乙氧基硅烷、3-(N-苯基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯基氨基)丙基三乙氧基硅烷、3-(N-苯氨基)丙基甲基二甲氧基硅烷、3-(N-苯基氨基)丙基甲基二乙氧基硅烷、和N-(N-丁基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷。可单独地或者以其两种或更多种的组合使用氨基硅烷化合物。相对于100重量份的全部树脂组合物，可以以0.01重量份至1重量份的量包含氨基硅烷化合物，并且可以以0.01重量份至0.5重量份、0.1重量份至0.25重量份、0.2重量份至0.5重量份、0.5重量份至1.25重量份、0.1重量份至1.5重量份、0.2重量份至2.0重量份的量包含。在上述重量比中，可有效地控制树脂组合物的物理特性，可提高与如上所述的前基板和背板的粘合强度，并且可优异地保持包含于树脂组合物中其他添加剂的活性。当添加的氨基硅烷化合物的量大时，可在该过程期间使树脂早早脱色或形成大量凝胶，从而对要生产的片的结构产生不良影响。相对于100重量份的在全部树脂组合物中的不饱和硅烷化合物，可以以1重量份至35重量份，例如2重量份至6重量份、2重量份至5.5重量份、5重量份至5.5重量份、2重量份至15重量份、5重量份至15重量份、10重量份至35重量份、5重量份至35重量份、15重量份至33.3重量份、或2重量份至33.3重量份的量包含氨基硅烷化合物。此外，相对于100重量份的在全部树脂组合物中的硅烷化合物，可以以1重量份至40重量份，例如2重量份至30重量份、2重量份至25重量份、1重量份至25重量份、2重量份至6重量份、1重量份至10重量份、4重量份至12重量份、5重量份至10重量份、2重量份至10重量份、或2重量份至5重量份的量包含氨基硅烷化合物。当控制在氨基硅烷化合物含量范围中的树脂组合物被反应挤出时，用于制造的光电器件的封装材料与前基板之间的粘合强度表现优异。当以过分大的量包含氨基硅烷化合物时，制造的封装材料的黄度指数可提高，从而影响封装材料的另一些物理特性。氨基硅烷化合物和不饱和硅烷化合物在包含甲硅烷基方面是类似的，但是在分别包含胺官能团和不饱和基团方面是不同的。例如，树脂组合物可包含两种物质二者，在这种情况下，与包含两种物质中一种的情况相比，可提供优异的粘合性能。此处，由于添加了氨基硅烷化合物，可完全地改进粘合性能，无论不饱和硅烷化合物的含量为多少，但是当使用相同含量条件的不饱和硅烷化合物时，可更好地改进添加氨基硅烷化合物的情况的粘合性能。此外，根据本申请的示例性实施方案，可提供这样的封装材料，与使用烷基硅烷和烷基胺制造封装材料的情况相比，其具有非常优异的粘合性能。例如当仅使用烷基胺时，不像乙烯基硅烷或氨基硅烷化合物，烷基胺不参与接枝聚合反应，并因此作为保留在体系中的物质，并且从而在片上制造封装材料期间，转移到改性烯烃树脂表面上或片的表面上。因此，保留在体系中的物质导致长期耐久性降低。此外，对于一些烷基胺来说，问题在于一些烷基胺的熔点为约27℃至29℃，且与其他反应物(例如，液相硅烷化合物)的溶混性在上述温度范围中或更低温度下降低。如果需要，树脂组合物还可包含选自以下中的一种或更多种添加剂：光稳定剂、UV吸收剂、和热稳定剂。根据应用的组合物的用途，在烯烃树脂中，光稳定剂可通过在光降解开始时捕获活性物质起防止光氧化的作用。可用的光氧化剂的类型可以是，但不限于，例如已知的化合物，如基于受阻胺的化合物或基于受阻哌啶的化合物。根据组合物的用途，通过吸收来自太阳光的紫外光然后将紫外光转化为在分子中无害的热能，在烯烃树脂中UV吸收剂可起防止在光降解开始时激发活性物质的作用。可用的UV吸收剂的具体类型可以是，但不限于，例如基于二苯甲酮的UV吸收剂、基于苯并三唑的UV吸收剂、基于丙烯腈的UV吸收剂、基于金属络合物的UV吸收剂、基于受阻胺的UV吸收剂、无机类UV吸收剂(如超微细氧化钛或超微细氧化锌)等中的一种或两种或更多种吸收剂的混合物。此外，热稳定剂的实例可包括基于磷的热稳定剂如三(2,4-二叔丁基苯基)亚磷酸酯、磷酸双[2,4-双(1,1-二甲基乙基)-6-甲基苯基]乙基酯、四(2,4-二叔丁基苯基)[1,1-联苯]-4,4'-二基双膦酸酯、和双(2,4-二叔丁基苯基)季戊四醇二亚磷酸酯；以及基于内酯的热稳定剂如8-羟基-5,7-二叔丁基呋喃-2-酮和邻二甲苯的反应产物；并且可使用其中的一种或两种或更多种稳定剂。在树脂组合物中，光稳定剂、UV稳定剂和/或热稳定剂的含量没有特别限制。换言之，可考虑树脂组合物的用途、添加剂的形式或密度等适当地选择以上添加剂的含量，并且一般地，相对于100重量份的树脂组合物，可将所述含量适当地控制在0.01重量份至5重量份的范围中。此外，除上述组分之外，根据应用的树脂组合物的用途，示例性树脂组合物还可适当地包含相关领域中已知的多种添加剂。本申请的另一个示例性实施方案可提供使用上述组合物制造用于光电器件的封装材料的方法，以及由此获得的用于光电器件的封装材料。在一个实例中，制造用于光电器件的封装材料的方法可包括制备改性烯烃树脂。制备改性烯烃树脂的方法包括，但不限于，例如制备包含不饱和硅烷化合物和本申请的具有两个结晶温度的烯烃树脂的树脂组合物，或者包含本申请的具有两个结晶温度的烯烃树脂、不饱和硅烷化合物和氨基硅烷化合物的树脂组合物；在反应器中混合所述树脂组合物；以及在合适的自由基引发剂存在下通过热熔融进行所述树脂组合物的接枝挤出反应。制备改性烯烃树脂的反应器类型没有特别限制，只要可通过使液相反应物热熔融或反应制备期望的树脂即可。例如，反应器可以是挤出机或包括料斗的挤出机。当使用这样的反应器时，例如，改性烯烃树脂可通过以下制备：通过挤出机挤出在添加液相不饱和硅烷化合物、氨基硅烷化合物和自由基引发剂到热熔融的烯烃树脂中之后制备的混合物；或者在料斗中混合烯烃树脂、自由基引发剂、氨基硅烷化合物和不饱和硅烷化合物，然后添加由此获得的混合物之后，在挤出机中热熔融。可将另一些添加剂如UV吸收剂、热稳定剂、或UV稳定剂添加到如上所述制备的改性烯烃树脂中，并且可在形成改性烯烃树脂之前或之后将添加剂添加到反应器中。作为一个实例，可通过同时在一个反应器中进行改性烯烃树脂的制备和由此获得的改性烯烃树脂与添加剂的混合来简化方法。此处，其他添加剂可以其本身添加到反应器中或可以以母料的形式添加并混合。此处，母料是指通过以高浓度浓缩添加剂然后使其分散来制备的丸状原材料，并且一般地，可使用母料以便向最终产品中引入具有特定功能的添加剂以在方法(挤出或注入)中成型塑料原材料。向反应器中添加添加剂以形成改性烯烃树脂的方法没有特别限制，例如，可以是其中在缸体或挤出机的合适位置设置有侧加料器并且通过加料器添加母料形式的添加剂的方法，或者是其中在料斗中混合添加剂与烯烃树脂然后添加的方法。在以上方法中，反应器的类型和设计；条件如热熔融、混合，或反应的温度和时间；或者制备母料的方法没有特别限制，并且可考虑使用的原材料适当地选择。此外，用于光电器件的封装膜可通过以膜或片的形状成型树脂组合物来制造。这样的成型方法没有特别限制，例如，封装材料可通过使用一般方法(T型模具法或挤出)成型片或膜来制造。在本申请的示例性实施方案中，可使用装置进行原位法，在所述装置中，如上所述的改性烯烃树脂的制备、包含所述改性烯烃树脂的树脂组合物的制备，以及形成片或膜的方法彼此连接。用于光电器件的封装材料包含树脂组合物的反应挤出产物，所述树脂组合物包含如上所述的具有两个结晶温度的烯烃树脂，并因此，封装材料可分别在20℃至35℃和35℃至75℃在热流的冷却曲线和加热曲线上表现出峰，其使用在-120℃至600℃的温度下提高并降低温度的DSC测量。在这种情况下，在20℃至35℃表现出的峰是第一结晶温度，且在35℃至75℃表现出的峰为第二结晶温度。此外，优选地封装材料的第一结晶温度可以是24℃至33℃，且封装材料的第二结晶温度可以是40℃至70℃。“反应挤出产物”是指通过向挤出反应器中添加树脂组合物然后反应来制备的改性烯烃树脂或硅烷改性烯烃树脂。此外，封装材料可使用树脂组合物制造，所述树脂组合物包含如上所述的具有两个结晶温度的聚烯烃树脂，并因此，即使当通过在低层合温度下层合来制造封装材料时，也表现出优异的光学特性如高透光率和低雾度值。例如，封装膜满足以下公式2。[公式2]Tt≥91.0％在公式2中，Tt表示在110℃的温度下在玻璃基板上层合封装膜之后用雾度计测量的总透光率。此外，封装膜满足以下公式3。[公式3]Hz≤4.6％在公式3中，Hz表示在110℃的温度下在玻璃基板上层合封装膜之后用雾度计测量的雾度。总透光率和雾度可以是用雾度计对200nm或更大波长的光，例如300nm、350nm、400nm、450nm、500nm或600nm波长的光测量的值，并且优选地可以是用雾度计对550nm波长的光测量的值。此处，如上所述测量的本申请的封装膜的总透光率是指通过在玻璃基板上层合封装膜制造的层合物的总透光率和雾度，并且所述玻璃基本和封装膜可通过真空层合机来层合。此外，可使用UV/可见光谱来测量总透光率。在这种情况下，总透光率可以是使用UV/可见光谱对200nm或更大波长的光，例如200nm至1300nm、250nm至1300nm、或300nm至1100nm波长的光测量的值。如在110℃的温度下在玻璃基板上层合封装膜之后测量的值，封装膜的总透光率可以是91.0％或更高，例如，91.2％或更高、91.3％或更高、91.5％或更高、91.7％或更高、或者91.9％或更高，并且考虑光电器件的光电效率，可控制封装膜以具有上述范围中的总透光率。此外，如在110℃的温度下在玻璃基板上层合封装膜之后测量的值，封装膜的雾度可以是4.6％或更低，例如，4.0％或更低、3.5％或更低、3.0％或更低、2.5％或更低、2.0％或更低、或者1.5％或更低，并且考虑光电器件的光电效率，可控制封装膜以具有上述范围中的雾度值。在本申请中，如以下将描述的共聚物，即，改性烯烃树脂可通过挤出树脂组合物(如根据上述方法的树脂组合物)的反应挤出产物提供，并且例如，共聚物可包含于用于光电器件的封装材料中。改性烯烃树脂包含聚合形式的如上所述的具有两个结晶温度的烯烃树脂，并因此，表现出优异的光学特性如高透光率和低雾度。在一个实例中，共聚物包含：包含作为聚合单体的基于烯烃的单体主链，以及与主链结合并由以下化学式7表示的支链。[化学式7]-SiR21aR22(3-a)在化学式7中，R21和R22各自独立地表示与硅原子结合的卤素、胺基、-R23R24、或-R24，R23表示氧或硫原子，R24表示氢、烷基、芳基、芳烷基、或酰基，并且a表示1至3的整数。优选地，在化学式7中，R21和R22可各自独立地表示与硅原子结合的-R23R24，R23可表示氧，并且R24可表示氢或烷基。在一个实例中，共聚物还可包含支链，其与主链结合并由以下化学式8表示。[化学式8]-SiR25bR26(2-b)R27在化学式8中，R25和R26各自独立地表示与硅原子结合的卤素、胺基、-R28R29、或-R29，R28表示氧或硫原子，R29表示氢、烷基、芳基、芳烷基、或酰基，并且b表示1或2的整数，R27表示与硅原子结合的-OSiR30cR31(2-c)R32。R30和R31各自独立地表示与硅原子结合的卤素、胺基、-R33R34、或-R34，R33表示氧或硫原子，并且R34表示氢、烷基、芳基、芳烷基、或酰基，R32表示与硅原子结合的-(CH2)dNR35R36，R35和R36各自独立地表示与硅原子结合的氢或R37NH2，且R37表示亚烷基，并且c表示1或2的整数，并且d表示0或更大的整数。共聚物包含，例如，支链，其在包含作为聚合单元的烯烃类单体的主链接枝并由以上化学式7表示，而且，还可包含由以上化学式8表示的支链。当共聚物还包含由以上化学式8表示的支链时，共聚物可具有拥有以下部分的结构：其中一些甲硅烷基中的烃基转化为羟基的部分，和具有胺官能团的部分。共聚物包含具有转化的羟基和胺官能团的部分，因此，例如，可在光电器件中封装材料较低部分的玻璃板的表面上的胺官能团和羟基之间形成氢键，从而提供更优异的粘合强度。此外，可与封装材料上部的由氟树脂构成的背板形成许多氢键，从而提供优异的粘合强度。在一个实例中，在以上化学式7和8中的烷基中的碳原子可以是1至20、1至12、1至8、或1至4，例如，甲基、乙基、丙基、或丁基，但本申请不限于此。此外，在以上化学式7和8中的芳基中的碳原子可以是6至20、6至18、或6至12，例如，苯基或萘基，但本申请不限于此。在以上化学式7和8中的芳烷基是指这样的烷基，烷基的烃基的氢原子中的至少一个或更多个氢原子经芳基取代，并且芳烷基的碳数可以是7至40、7至19、或7至13。芳烷基的碳数是指包含于烷基和芳基中的总碳原子的数量。在以上化学式7和8中的亚烷基可以是具有1至16个碳原子、1至12个碳原子、1至6个碳原子、或1至4个碳原子的线性的或支化的亚烷基，例如，可以是亚乙基或亚丙基，但本申请不限于此。此外，在以上化学式7和8中的酰基是由RC＝O表示的官能团，其中R表示烷基或芳基，例如，包括甲酰基、乙酰基、丙酰基、或苯甲酰基，但本申请不限于此。包含于酰基中的烷基和芳基的碳数与以上所述相同。在一个实例中，在以上化学式8中，R25和R26中的至少一个或更多个可以是可通过在体系中接触水水解的反应性官能团，并且其解释与以上所述的反应性官能团相同，因此将不提供其解释。此外，R25和R26可以是非反应性官能团，并且其解释与以上所述的非反应性官能团相同，因此将不提供其解释。在以上化学式8中，R27是同时包含具有如上所述转化的羟基部分以及具有胺官能团部分的官能团，出于这一原因，本申请的共聚物包含氢键，其在如上所述光电器件中封装材料较低部分的玻璃板的表面上的胺官能团和羟基之间形成，从而可提供更优异的粘合强度，而且还在封装材料上部的由氟树脂构成的背板上包含许多氢键，从而可提供优异的粘合强度。在一个实例中，优选地，在以上化学式8中的R25和R26可各自独立地表示与硅原子结合的羟基或-R28R29，R28可表示氧，R29可表示烷基，R27可表示与硅原子结合的-OSiR30cR31(2-c)R32，R30和R31可各自独立地表示与硅原子结合的羟基或-R33R34，R33可表示氧，R34可表示烷基，R32可表示与硅原子结合的-(CH2)dNR35R36，R35和R36可各自独立地表示与硅原子结合的氢或R37NH2，并且R37可表示亚烷基。此外，更优选地，在以上化学式8中，R25和R26可表示羟基，R27可表示与硅原子结合的-OSiR30cR31(2-c)R32，R30和R31可表示羟基，R32可表示与硅原子结合的-(CH2)dNR35R36，R35可表示氢，R36可表示R37NH2，并且R37可表示亚烷基。此处，烷基和亚烷基与以上所述的相同。如上所述，与仅包含由以上化学式7表示的支链的共聚物(例如，在烯烃树脂上仅与具有乙烯基的不饱和硅烷化合物共聚的共聚物，即，硅烷改性烯烃树脂)相比，当改性烯烃树脂(即，共聚物)包含具有转化的羟基和胺官能团的部分时，甲硅烷基上的一些烃基转化为羟基的速率可变得非常快。出于这一原因，当改性烯烃树脂包含于用于光电器件的封装材料时，与仅包含由以上化学式7表示的支链的硅烷改性烯烃树脂相比，可在封装材料较低部分的玻璃板的表面上的胺官能团和羟基之间形成大量氢键，从而提供了更优异的粘合强度，并且可与封装材料上部的由氟树脂构成的背板形成大量氢键，从而提供优异的粘合强度。共聚物可在多种光电器件中用作用于封装元件的封装材料，但本申请不限于此。例如，共聚物可用作应用至升温层合工艺的工业材料。在一个实例中，用于光电器件的封装材料包含通过进行根据本申请的树脂组合物的接枝挤出反应制备的改性烯烃树脂，即，上述的共聚物。如上所述，共聚物包含由以上化学式7和8表示的支链，并因此，包括部分A(其中一些甲硅烷基的烃基转化为羟基)和部分B(用末端胺官能团引入)二者。硅烷改性部分A与用胺官能团引入的硅烷改性部分B的比例可以是99:1至40:60。除改性烯烃树脂之外，用于光电器件的封装材料还可包含未改性烯烃树脂。可获得的未改性烯烃树脂的具体类型没有特别限制。例如，聚乙烯可用作未改性烯烃树脂，并且具体地，可使用将与用于制备改性烯烃树脂的乙烯/α-烯烃共聚物相同种类的乙烯/α-烯烃共聚物。未改性烯烃树脂与改性烯烃树脂的含量比可以是1:1至20:1。当未改性烯烃树脂的含量太高时，容易减弱由改性烯烃树脂表达的粘合性能，而当为改性烯烃树脂的含量太低时，由改性烯烃树脂表达的粘合性能表达过早，从而减弱可加工性并产生凝胶，并因此，片的成型性能可不是优选的。未改性烯烃树脂的含量没有特别限制，并可考虑期望的物理特性选择所述含量。例如，相对于100重量份改性烯烃树脂，可以以0.01重量份至3000重量份、100重量份至2000重量份、或90重量份至1000重量份的范围包含未改性烯烃树脂。封装材料可以以其本身均匀混合的状态包含各组分、或者可以以通过多种成型方法(如热熔融挤出和T型模具成型)成型的状态包含各组分。封装材料的形状没有特别限制，而是例如，可以是片状或膜状。在这种情况下，考虑到元件的支撑效率、元件损坏的可能性、器件重量变轻、可使用性等，可将封装材料的厚度控制在约10μm至2,000μm或约100μm至1250μm。然而，可根据具体应用的用途改进封装材料的厚度。由树脂组合物制造的封装材料可用于包含封装的光电元件的光电器件。例如，待封装光电元件可以是光伏电池、发光二极管、或有机发光二极管的发光或光敏位点。光电器件的具体结构或者用于使用上述树脂组合物封装光电元件的方法没有特别限制，并且可用于实现相应器件的目的。例如，当光电器件是光伏电池时，如图7和8中所示，光电器件可以是太阳能电池模块，其包括：前基板11、21；背板12、22；以及前基板11、21和背板12、22之间的通过封装材料14a、14b、24封装的光电元件13、23，并且在这种情况下，可以由根据本申请示例性实施方案的树脂组合物制造封装材料。太阳能电池可通过以下制造：根据期望的结构层合前基板、封装材料、光伏元件和背板；然后将层合物作为一体真空吸入并进行一般的成型方法(例如包括热压的层合法)。在这种情况下，层合法的加工条件没有特别限制，而是一般地，可在90℃至230℃或110℃至200℃的温度下进行所述层合法1分钟至30分钟或1分钟至10分钟。对于上述的树脂组合物来说，在调制过程(例如如上所述的层合)中通过胺基硅烷化合物促进通过挤出过程是化学不稳定的改性烯烃树脂硅烷改性部分的反应性甲硅烷基(例如，甲氧基甲硅烷基(Si-O-CH3))的水解以转化为硅烷醇基(Si-OH)，并因此，可形成在光电器件中前基板的表面上通过与残基(例如羟基)的脱水缩合的化学共价键以表现出高粘合强度。此外，即使在与具有包含含氟聚合物(近来使用良好)的表面层的背板的界面上，氟和硅烷醇基形成氢键，因此与常规封装材料不同，可表现出高界面粘合强度。此外，通过具有通过少量氨基硅烷化合物引入的胺官能团的部分，氟-非共价键合位点的数量增加，并因此，提供了高粘合强度。此处，可获得的前基板、背板和光电元件的具体类型没有特别限制。例如，前基板可以是一般的平板玻璃；或通过层合玻璃、基于氟的树脂片、防雨膜、和阻挡膜制造的透明复合片，而背板可以是通过层合金属如铝、基于氟的树脂片、防雨膜、和阻挡膜制造的复合片，并且包括具有含氟聚合物的表面。例如，背板可以是在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)两侧具有含氟聚合物层的多层膜。此外，光电元件可以是，例如，硅片系列的活性层或通过化学真空沉积(CVD)形成的薄膜活性层。有益效果本申请的示例性实施方案可提供聚烯烃树脂，即使在低层合条件下，所述聚烯烃树脂可提供具有高透光率和低雾度值的封装材料。使用包含聚烯烃树脂的树脂组合物用于制造用于多种光电器件的封装材料，并因此，可提供与包含于以上器件中的前基板和背板的优异粘合强度。此外，即使在低温下在封装光电器件时通过表现出足够高的粘合强度，也可优异地保持可使用性、经济可行性等以用于制造器件。附图说明图1和图2示出了根据本申请的制备例1至3制备的聚烯烃树脂的差示扫描量热分析图。图3和图4示出了根据本申请的比较制备例1制备的聚烯烃树脂的差示扫描量热分析图。图5示出了示出根据实验例2的本申请的实施例3和8中制备的样品的UV/可见光谱的图。图6示出了示出根据实验例2的本申请的比较例1和3中制备的样品的UV/可见光谱的图。图7和图8示出了作为根据本申请一个示例性实施方案的光电器件的示例性地示出太阳能电池模块的横截面图。具体实施方式下文中，将参照根据本申请的实施例和不根据本申请的比较例更详细地描述本申请，但本申请的范围不限于以下实施例。下文中，已通过以下方式评估实施例和比较例中的物理特性。1.结晶温度(Tc)的测量对于在以下制备例1至3和比较制备例1中获得的聚合物来说，通过以下确定结晶温度(Tc)：以10℃/分钟的速率将聚合物从200℃冷却至-150℃，同时分析通过差示扫描量热法(DSC)测量的热流的冷却曲线的峰。用DSC分析制备例1和3的聚合物的结果示于图1，且用DSC分析比较制备例1的聚合物的结果示于图3。2.融化温度的测量(Tm)对于在以下制备例1至3和比较制备例1中获得的聚合物来说，在以10℃/分钟的速率将样品从200℃冷却至-150℃同时测量样品的结晶温度之后，通过以下确定熔融温度(Tm)：以10℃/分钟的速率将样品的温度物从-150℃升高至200℃，同时分析通过差示扫描量热法(DSC)测量的热流的加热曲线的峰。用DSC分析制备例1和3的聚合物的结果示于图2，且用DSC分析比较制备例1的聚合物的结果示于图4。3.熔融指数的测量对于在以下制备例1至3和比较制备例1中获得的聚合物来说，通过以下测量熔融指数：在ASTMD-1238-04的条件下在190℃的温度下以2.16kg载荷的重量测量流出的样品的重量。<乙烯/α-烯烃聚合物的制备>制备例1添加己烷溶剂(1.0L)和6.4mmol的1-辛烯到2L的高压釜反应器中，然后预热反应器的温度至120℃。按顺序添加并填充用三异丁基铝化合物(10μmol)处理的由以下化学式9表示的化合物(0.5μmol)、和二甲基苯铵四(五氟苯基)硼酸助催化剂(10μmol)到25mL的催化剂存储罐中(Al:Ti的摩尔比是10)。此后，在高压釜反应器内部施加乙烯压力(35bar)，使用高压氩气将催化剂组合物注入到反应器中，然后，进行10分钟的共聚反应。接下来，移除残留的乙烯气体之后，将聚合物溶液添加到过量的乙醇中以引发沉淀。将沉淀的聚合物分别用乙醇和丙酮清洗2次或3次，然后在80℃的真空烘箱中干燥12小时或更久以获得密度为0.862g/ml的乙烯-1-辛烯。[化学式9]用DSC测量制备例1中获得的乙烯-1-辛烯的结晶温度(Tc)和熔融温度(Tm)。由此获得的结果列于表1。制备例2通过与制备例1相同的方法获得密度为0.859g/ml的乙烯-1-辛烯。用DSC测量制备例2中获得的乙烯-1-辛烯的结晶温度(Tc)和熔融温度(Tm)。由此获得的结果列于表1。制备例3通过与制备例1相同的方法获得密度为0.869g/ml的乙烯-1-辛烯。用DSC测量制备例3中获得的乙烯-1-辛烯的结晶温度(Tc)和熔融温度(Tm)。由此获得的结果列于表1。比较制备例1通过与制备例1相同的方法获得密度为0.866g/ml的乙烯-1-辛烯，不同之处在于，使用0.5μmol的由以下化学式10表示的化合物代替双核催化剂。[化学式10]用DSC测量比较制备例1中获得的乙烯-1-辛烯的结晶温度(Tc)和熔融温度(Tm)。由此获得的结果列于表1。[表1]<改性乙烯/α-烯烃共聚物的制备>制备例4使用双螺旋浆挤出机在220℃的温度下，使95.01重量份的密度为0.862g/cm3且在2.16kg的载荷和190℃下的MFR为1.12g/10分钟的乙烯/α-烯烃共聚物(制备例1中制备)、4.79重量份的乙烯基三甲氧基硅烷(VTMS)、0.1重量份的3-氨基丙基三甲氧基硅烷(APTMS)、和0.1重量份的2,5-双(叔丁基过氧基)-2,5-二甲基己烷(Luperox101)经历接枝反应挤出(热熔搅拌)，以制备改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料(重量份是指相对于100重量份总量的重量％)。制备例5通过进行与制备例4相同的方法制备改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料，不同之处在于，使用密度为0.859g/cm3且在2.16kg的载荷和190℃下的MFR为0.68g/10分钟的乙烯/α-烯烃共聚物(制备例2中制备)代替制备例1中制备的乙烯/α-烯烃共聚物。制备例6通过进行与制备例4相同的方法制备改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料，不同之处在于，使用密度为0.869g/cm3且在2.16kg的载荷和190℃下的MFR为4.2g/10分钟的乙烯/α-烯烃共聚物(制备例3中制备)代替制备例1中制备的乙烯/α-烯烃共聚物。制备例7通过进行与制备例6相同的方法制备改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料，不同之处在于，使用4.89重量份的乙烯三甲氧基硅烷和0.1重量份的2,5-双(叔丁基过氧基)-2,5-二甲基己烷代替4.79重量份的乙烯基三甲氧基硅烷、0.1重量份的3-氨基丙基三甲氧基硅烷、和0.1重量份的2,5-双(叔丁基过氧基)-2,5-二甲基己烷(其在制备例6中使用)。制备例8通过进行与制备例6相同的方法制备改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料，不同之处在于，使用0.1重量份的3-氨基丙基三乙氧基硅烷代替0.1重量份的3-氨基丙基三甲氧基硅烷(其在制备例6中使用)。比较制备例2通过进行与制备例4相同的方法制备改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料，不同之处在于，使用密度为0.866g/cm3且在2.16kg的载荷和190℃下的MFR为1.27g/10分钟的乙烯/α-烯烃共聚物(比较制备例1中制备)代替制备例1中制备的乙烯/α-烯烃共聚物。<封装材料和光伏模块的制备>实施例1向通过以1:2的比例混合200g制备例4中制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料和400g制备例1中制备的乙烯/α-烯烃共聚物来制备的树脂中添加18g添加剂的母料从而在最终的片中包含3000ppm的光稳定剂(Songlight7700)、1000ppm的UV吸收剂(TINUVINUV531)、500ppm的抗氧化剂1(Irganox1010)、以及500ppm的抗氧化剂2(Irgafos168)。接下来，将由此获得的混合物添加到具有双螺旋桨挤出机(φ19mm)和T型模具(宽度：200nm)的膜成型机的料斗中，并且在180℃的挤出温度下并且以3m/分钟的挤出速率加工以制备片状的厚度约为500μm的封装材料。按顺序层合平板玻璃(厚度：约8mm)、如上所述制备的厚度为500μm的封装材料、晶体类硅片光伏元件、如上所述制备的厚度为500μm的封装材料、以及背板(通过层合厚度为20μm的聚氟乙烯树脂片、厚度为250μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯和厚度为20μm的聚氟乙烯树脂片制备所述片：PVDF/PET/PVDF)，然后，在110℃下在真空层合机中加压15分钟30秒以制造光伏模块。实施例2通过与实施例1相同的方法制造片状的封装材料和光伏模块，不同之处在于，分别使用制备例5中制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料和制备例2中制备的乙烯/α-烯烃共聚物代替制备例4中制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物和制备例1中制备的乙烯/α-烯烃共聚物。实施例3通过与实施例1相同的方法制造片状的封装材料和光伏模块，不同之处在于，分别使用制备例6中制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料和制备例3中制备的乙烯/α-烯烃共聚物代替制备例4中制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物和制备例1中制备的乙烯/α-烯烃共聚物。实施例4通过与实施例3相同的方法制造片状的封装材料和光伏模块，不同之处在于，使用制备例7中制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料代替制备例6中制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物。实施例5通过与实施例3相同的方法制造片状的封装材料和光伏模块，不同之处在于，使用制备例8中制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料代替制备例6中制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物。实施例6至10分别通过与实施例1至5相同的方法制造光伏模块，不同之处在于，在150℃下在真空层合机中对其各自加压15分钟30秒。比较例1通过与实施例1相同的方法制造片状的封装材料和光伏模块，不同之处在于，分别使用比较制备例2中制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物的母料和比较制备例1中制备的乙烯/α-烯烃共聚物代替制备例1中制备的改性乙烯/α-烯烃共聚物和制备例1中制备的乙烯/α-烯烃共聚物。比较例2分别通过与比较例1相同的方法制造光伏模块，不同之处在于，在150℃下在真空层合机中对其加压15分钟30秒。实验例1.90°剥离强度的测量单独地制备与制备的光伏模块类似的试样以便测量实施例1至3、5和10、以及比较例1中制造的封装材料的剥离强度。通过以下制备试样：按顺序层合平板玻璃(厚度：约8mm)、如上所述制备的厚度为500μm的封装材料、以及背板(通过层合厚度为20μm的聚氟乙烯树脂片、厚度为250μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯和厚度为20μm的聚氟乙烯树脂片制备所述片：PVDF/PET/PVDF)，然后在随表2中所列条件变化的温度下在真空层合机中加压15分钟。固定制备的试样的较低玻璃板，之后基于ASTMD1897，以50mm/分钟的拉伸速率和沿着背板90°的剥离角在15mmc-宽度的矩形中剥离仅结合在背板上的封装材料的同时测量剥离强度。由此获得的结果列于以下表2中。[表2]*VTM：乙烯三甲氧基硅烷*APTMS：3-氨基丙基三甲氧基硅烷*APTES：3-氨基丙基三乙氧基硅烷2.透光率和雾度的测量单独地制备试样以便测量实施例3至5和8至10、以及比较例1和2中制造的封装材料的透光率和雾度。通过以下制备试样：在两个平板玻璃(厚度约1nm)之间嵌入两个重叠的如上所述制备的厚度为500μm的封装材料，然后在随表3中所列条件变化的温度下在真空层合机中层合其。使用引导件制备试样以使重叠的封装材料片的厚度的总和恒定为约500±50μm，然后使用雾度计测量对550nm波长的光的总透光率和雾度值。由此获得的结果列于下表3。在这种情况下，将试样放置于试样夹中，然后测量透光率和雾度值三次，然后获得其平均值。在JISK7105的标准下测量该值。此外，使用UV/可见光谱测量对200nm至1300nm波长的光的总透光率。由此获得的结果示于图5和图6中。将层合时间设置为5分钟真空/30秒加压/10分钟保持压力。<UV/可见光谱器件的测量条件>狭缝宽度：32nm检测器单元：外部(2D检测器)时间常数：0.2秒[表3]如可在以上表3和图5中所确定，层合样品在低温度(即，110℃)下表现出低雾度和高总透光率。换言之，由实施例1至8、比较例1和2、以及其附近的实验例，可以确定，即使在调制过程期间在低温度下，用于光电器件的封装材料(其使用包含具有两个结晶温度的聚烯烃树脂的树脂组合物制造)表现出高粘合强度、高总透光率和低雾度值。因此，可以确定相比于常规方法，可在低温度下层合，并因此，可改进封装材料片的透光率和生产效率。