预浸体、覆金属层叠板及印刷配线板的制作方法

文档序号:34370240发布日期:2023-06-05 01:43阅读:42来源:国知局
预浸体、覆金属层叠板及印刷配线板的制作方法

本发明涉及一种预浸体、覆金属层叠板及印刷配线板。


背景技术:

1、近年来,以移动等通信设备为中心的各种电子设备随着信息处理量的增大,所搭载的半导体元件(device)的高集成化、配线的高密度化、多层化及高频对应等安装技术急速发展。因此,对于各种电子设备中使用的印刷配线板等,不仅要求耐热性等高,而且为了提高包含高频带的电气信号的传输速度,要求减少信号传输时的损失。为了满足所述要求,作为配线板中使用的绝缘层的基板材料,需要介电常数及介电损耗正切更低的材料。

2、聚苯醚树脂(polyphenylene ether,ppe)的介电常数或介电损失等高频特性(介电特性)优异,被用作利用高频带的移动等电子设备的印刷配线板用绝缘材料(例如,参照专利文献1)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本专利特开2010-53178号公报


技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、然而,一般而言,高分子量体的ppe的熔点高,对基材或其他构件的密接性也不充分。因此,若使用ppe来形成用于制造通常的多层印刷配线板的预浸体,则预浸体的熔融粘度变高,在多层成形时产生空隙或划痕等成形不良,从而存在难以获得可靠性高的多层印刷配线板且对基材等的密接性不充分的课题。

3、解决问题的技术手段

4、本发明是为了解决所述课题的至少一部分而完成,可作为以下的任一实施例而实现。

5、本发明的预浸体的一实施例含有:

6、基材;以及具有由下述式(1-1)、式(1-2)及式(1-3)中的至少一种所表示的结构单元的聚合物。

7、[化1]

8、

9、〔式(1-1)~式(1-3)中,r1分别独立地为卤素原子、碳数1~20的一价烃基、碳数1~20的一价卤化烃基、硝基、氰基、一级氨基~三级氨基或一级氨基~三级氨基的盐。n分别独立地为0~2的整数。在n为2的情况下,多个r1可相同也可不同,也可以任意的组合键结而形成环结构的一部分。a1及a2分别独立地为-o-、-s-或-n(r2)-。r2为氢原子、碳数1~20的一价烃基或碳数1~20的一价卤化烃基。x为二价有机基〕

10、在所述预浸体的一实施例中,

11、所述式(1-1)~式(1-3)的所述x所表示的二价有机基可含有下述式(2-1)所表示的基。

12、[化2]

13、

14、〔式(2-1)中,ar1及ar2分别独立地为经取代或未经取代的芳香族烃基。l为单键、-o-、-s-、-n(r8)、c=o、-so2-、p=o或二价有机基。r8为氢原子、碳数1~20的一价烃基或碳数1~20的一价卤化烃基。y为0~5的整数。在y为2以上的情况下,多个l分别可相同也可不同。r6及r7分别独立地为单键、亚甲基或碳数2~4的亚烷基〕

15、所述任一实施例的预浸体可进而含有硬化性化合物。

16、所述任一实施例的预浸体也可进而含有硬化助剂、阻燃剂及无机填充材。

17、在所述任一实施例的预浸体中,

18、所述基材可为玻璃布,所述玻璃布的介电常数为6.8以下。

19、本发明的覆金属层叠板的一实施例是

20、将所述任一实施例的预浸体与金属箔层叠并进行硬化而获得者。

21、本发明的印刷配线板的一实施例的特征在于

22、从所述一实施例的覆金属层叠板去除金属箔的一部分。

23、发明的效果

24、根据本发明的预浸体,可制造可靠性高、对基材等的密接性也优异的覆金属层叠板或多层印刷配线板。



技术特征:

1.一种预浸体,含有:基材;以及具有由下述式(1-1)、式(1-2)及式(1-3)中的至少一种所表示的结构单元的聚合物;

2.根据权利要求1所述的预浸体,其中所述式(1-1)~式(1-3)的所述x所表示的二价有机基含有下述式(2-1)所表示的基;

3.根据权利要求1或2所述的预浸体,进而含有硬化性化合物。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的预浸体,进而含有硬化剂、硬化助剂、阻燃剂及无机填充材。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的预浸体,其中所述基材为玻璃布,所述玻璃布的介电常数为6.8以下。

6.一种覆金属层叠板,是将如权利要求1至5中任一项所述的预浸体与金属箔层叠并进行硬化而获得。

7.一种印刷配线板,其特征在于从如权利要求6所述的覆金属层叠板去除金属箔的一部分。


技术总结
本发明提供一种用于制造可靠性高、对基材等的密接性也优异的多层印刷配线板的预浸体。本发明的预浸体含有:基材;以及具有由下述式(1‑1)、式(1‑2)及式(1‑3)中的至少一种所表示的结构单元的聚合物。

技术研发人员:宫木伸行,川岛直之,山下祐徳,穴吹翔马,西野健太,亀山洸瑠
受保护的技术使用者:JSR株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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