高亮度波长可调的白光发光二极管荧光粉的制备方法

文档序号:3751499阅读:289来源:国知局
专利名称:高亮度波长可调的白光发光二极管荧光粉的制备方法
技术领域
本发明涉及一种钇铝石榴石型荧光粉;特别是涉及一种用于蓝光发光二极管的高亮度波长可调的白光LED荧光粉的制备方法。
背景技术
随着以氮化物为发光二极管(LED)的应用开发,新一代绿色环保型固体照明光源------氮化物白光LED已成为人们关注的焦点。白光LED具有低能耗、长寿命、结构紧凑、体积小、平面化、重量轻、方向性好、响应快、无辐射、耐各种恶劣条件等优点,因此氮化物白光LED有着广泛的应用前景、大量的市场需求和巨大的经济效益。目前封装白光LED所使用的荧光粉发光强度有待提高,白光LED的发光强度小于6cd,如果用于照明,其发光亮度不能满足需要。

发明内容
本发明的目的是提供一种高亮度波长可调的白光LED荧光粉的制备方法,用它制备的荧光粉能克服现有技术中存在的上述缺点。
一种高亮度波长可调的白光发光二极管荧光粉的制备方法,其特征是1按照化学式Y3-xAl5012∶xCe3+化学计量比关系,称取氧化铝、氧化钇、激活剂氧化铈,x=0.01-0.05;加入1%-5%摩尔的助熔剂,得到混合物;2将该混合物研磨混均,置于焙烧容器中;3在该容器外放入碳棒,然后一并放入高温炉内加热,使高温炉快速由室温升至900℃,并在900℃恒温30min,然后使高温炉从900℃升到1550℃,焙烧3-5小时,冷却后得到本发明的白光LED荧光粉。
用本发明的方法制得的荧光粉改善了荧光粉的分散性,使其能够均匀的分散于透明硅胶中,改变了荧光粉的发射波长,能充分利用430-480nm的InGaN蓝光芯片,改善白光LED的色温和色坐标。用本发明烧制的白光LED荧光粉封装成白光LED,其发光强度大于10cd。本发明的白光LED荧光粉的亮度高于目前市场上销售的台湾粉和日本粉。因此,使白光LED用于照明成为可能。



具体实施例方式
附图1为主要化学成分为Y3-xAl5O12∶xCe3+(x=0.03)的荧光粉的激发谱和发射谱。
附图2为主要化学成分为(Y1-x-yCexGdy)3Al5O12(x=0.03)的荧光粉的发射光谱。
附图3为主要化学成分为(Y1-x-yCexGay)3Al5O12(x=0.03)的荧光粉的发射光谱。
从附图1、附图2和附图3可知,掺杂稀土元素后可使发射波长红移或者蓝移。附图2表明,发射波长随掺入钆(Gd)的量而有不同的红移。附图3表明,发射波长随掺入镓(Ga)的量而有不同的蓝移。
用本发明烧制的白光荧光粉封装成白光LED,利用光强仪测得其发光强度大于10cd。因此,使白光LED用于照明成为可能。
权利要求
1.一种高亮度波长可调的白光发光二极管荧光粉的制备方法,其特征是按照化学式Y3-xAl5O12∶xCe3+化学计量比关系,称取氧化铝、氧化钇、激活剂氧化铈,x=0.01-0.05;加入1%-5%摩尔的助熔剂,得到混合物;将该混合物研磨混均,置于焙烧容器中;在该容器外放入碳棒,然后一并放入高温炉内加热,使高温炉快速由室温升至900℃,并在900℃恒温30min,然后使高温炉从900℃升到1550℃,焙烧3-5小时,冷却后得到本发明的白光荧光粉。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征是所述的混合物掺入稀土元素R,R为铒(Er)、镨(Pu)、钆(Gd)、铽(Tb)或镓(Ga),其中x=0.01-0.05,y=0.15-0.5。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征是在所述的荧光粉冷却后,将得到的粉体置于5%的硝酸水溶液中,室温下充分搅拌20-30min,分离出荧光粉,在100℃-120℃烘干1小时。
全文摘要
一种高亮度波长可调的白光发光二极管荧光粉的制备方法,其特征是按照化学式Y
文档编号C09K11/78GK1480510SQ03152709
公开日2004年3月10日 申请日期2003年7月10日 优先权日2003年7月10日
发明者王晶, 郑荣儿, 苗洪利, 杨爱玲, 孟继武, 晶 王 申请人:中国海洋大学
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