用于硅表面和层的蚀刻糊的制作方法

专利名称：用于硅表面和层的蚀刻糊的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于全表面(full-area)和选择性蚀刻硅表面和层的蚀刻糊形式的新型蚀刻介质及其用途。
现有技术在光电池、电子器件和半导体工业中，经常要通过湿法化学法在浸渍浴中蚀刻硅表面和层。这种全表面蚀刻可以在酸性介质(各向同性蚀刻)或在碱性介质(各向异性蚀刻)中进行。在酸性蚀刻中，常常使用氢氟酸和硝酸的混合物，在碱性介质中，常常使用强碱，例如氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氢氧化四甲铵(TMAH)等。
为制造规定的精密蚀刻图案/结构(例如埋入式结构)，在全表面蚀刻(例如抛光蚀刻、纹理蚀刻)之外，在实际蚀刻步骤之前必须经过材料密集、耗时且昂贵的工序，例如本领域技术人员已知的光刻掩蔽工艺。
在这种掩蔽工艺中，原材料是硅片。在其上通过热氧化作用制造致密氧化层，并如下建构该氧化层。
通过涂上光致抗蚀剂、干燥、使用光掩模暴露在UV光下、随后显影来使氧化物在所需位置上暴露出来，然后使用氢氟酸去除。随后例如使用溶剂去除(“剥除”)残存的光致抗蚀剂。然后在强碱(例如30％的KOH)中选择性地在没有被氧化物覆盖的位置上蚀刻如上制得的带有氧化物掩模的硅片。氧化物掩模对碱具有抗蚀性。对硅进行选择性蚀刻后，通常再使用氢氟酸去除氧化物掩模。
这种光刻法由于成本原因不用于太阳能电池的工业生产[1]。然而，硅表面或层的选择性建构/开口必须通过下列程序进行。
在标准硅太阳能电池的制造方法中，通过例如在POCl3烘箱中的气体扩散在p-掺杂晶片上形成光电效应所必须的p-n结。在该方法中，在整个晶片周围形成厚度约为500纳米的n-掺杂硅层，该硅层必须部分开口/切割以用于此后的光致电压应用。
这种开口可以通过机械方法、激光切割法或干法蚀刻法(例如等离子体蚀刻)进行。
机械切割-例如在生成过程的最后步骤(金属化之后)中磨削电池边缘-的缺点在于硅材料(和金属糊)的大量损耗、机械应力和太阳能电池中晶体缺陷的形成。
等离子体蚀刻是用氟化烃，例如CF4或C2F6气体，在昂贵的真空设备中进行。在此方法中，预先将电池堆叠在一起并在等离子体-蚀刻组件中蚀刻电池边缘。此方法会在堆叠过程中产生严重的操作问题并产生较高的晶片破损率。这些技术问题在将来甚至会进一步加剧，这是因为由于材料成本高，将来的目标是使用比目前常用的厚度为250-330微米的衬底更薄的多晶硅起始衬底(＜200微米)。
由于点状激光源的必要的线性(XY)运动，通过激光进行p-n结的隔离是一种耗时且处理量有限的方法。投资费用可观。此外，还会产生局部晶体缺陷。
在昂贵的制造选择性发射极的方法(这些方法目前仅以实验室规模开发和使用)中，使用的是上述光刻氧化物掩蔽法。氧化物以使得之后存在触点的区域不被掩蔽的方式掩蔽晶片。在未掩蔽的区域对受掩蔽的晶片进行磷扩散和n++掺杂。去除氧化物掩模后，整个晶片被n+掺杂[2]。
这样制得的太阳能电池具有选择性发射极，即具有深度为2-3微米、掺杂浓度约为1×1020cm-3的高度掺杂的n++区域(没有氧化物掩模并且以后位于触点下方的区域)，和在整个太阳能电池上的掺杂浓度约为1×1019cm-3的平面(0.5-1微米)n+掺杂发射极。
另一种光刻法是使用丝网印刷成的接触线作为蚀刻掩模。湿法化学蚀刻和等离子体-化学蚀刻都在文献中有所描述。将丝网印刷成的太阳能电池浸入HF/HNO3混合物中的缺点一除了预定的接触线之间硅的去除之外一是对接触线下方的硅的侵蚀和对金属接触线自身的腐蚀破坏。这导致填充系数的迅速减损[3]。
等离子体-化学蚀刻(反应性离子蚀刻，RIE)是使用气体(例如SF6或SF6/O2)在昂贵的真空设备中进行，并已为该方法做出大量的技术最优化努力[4]、[5]、[6]。
除了形成选择性发射极之外，还以提高太阳能电池的抗反射性能的方式在该发射极一侧上构建(粗糙化、“结构化”)硅表面。
本发明的目标是找出材料损耗较低且较为廉价的开放(opening)太阳能电池中的p-n结的方法。
因此，本发明的目标还包括提供一种简单廉价的方法，其可在太阳能电池工业中实施，并可以通过该方法选择性地蚀刻硅表面以制造发射极并提高抗反射性能。同时，本发明的一个目标是提供一种实施该蚀刻法用的廉价蚀刻剂。
具体通过增稠的碱液形式的用于蚀刻硅表面和层的蚀刻介质实现上述目标，其中蚀刻过程是在碱性、含溶剂的液体中进行的。
因此通过提供一种可以迅速且选择性地，例如使用丝网印刷机或分配器，施用于待蚀刻区域并由此明显使蚀刻化学品的消耗和太阳能电池上材料的损耗最小化的廉价蚀刻糊来实现该目标。
除了上述开放太阳能电池的p-n结之外，使用蚀刻糊选择性地蚀刻硅能够大规模地生产选择性(及两级)发射极并提高太阳能电池的抗反射性能。
本发明因此有别于将碱性粘性盐溶液施用于例如陶瓷部件并干燥(溶剂蒸发)、并在300-400℃的碱性熔体中进行实际蚀刻过程的方法[7]。
本发明是蚀刻糊形式的可印刷和可分布(dispensable)蚀刻介质，其含有a.至少一种溶剂b.增稠剂和c.非必要的例如消泡剂、触变剂、流动调节剂、脱气剂和增粘剂之类的添加剂，
并且该蚀刻介质在70至150℃下有效和/或如果需要可以通过输入能量使其活化。
这种蚀刻介质含有作为蚀刻组分的有机或无机碱，其浓度为总量的2至50重量％，优选为5至48重量％。
可以使用的蚀刻组分是选自由氢氧化钠、氢氧化钾、氨、乙醇胺、乙二胺、氢氧化四烷基铵、或乙二胺/邻苯二酚和乙醇胺/鞣酸混合物中之一组成的组的至少一种组分。
本发明因此涉及含有溶剂的蚀刻介质，该溶剂选自由以下物质组成的组水、异丙醇、二甘醇、二丙二醇、聚乙二醇、1，2-丙二醇、1，4-丁二醇、1，3-丁二醇、甘油、1，5-戊二醇、2-乙基-1-己醇或它们的混合物，或选自由以下物质组成的组苯乙酮、甲基-2-己酮、2-辛酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、1-甲基-2-吡咯烷酮、乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、三甘醇单甲醚、二甘醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、羧酸酯，例如乙酸[2，2-丁氧基(乙氧基)]乙酯、碳酸亚丙酯等，或使用其混合物，使用量是介质总量的10至90重量％，优选15至85重量％。
本发明的蚀刻介质进一步含有增稠剂，其选自由以下物质组成的组羟烷基瓜尔豆胶(hydroxyalkylguar)、黄原酸胶、纤维素和/或乙基纤维素、羟丙基纤维素或羟乙基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基羟乙基纤维素钠、以丙烯酸、丙烯酸酯和甲基丙烯酸烷基酯(C10-C30)的官能化乙烯单元为基础的均聚物或共聚物，它们单独或混合使用，其含量为蚀刻介质总量的0.5至25重量％，优选1至10重量％。
除了这些组分外，还可以存在占总量0至2重量％的选自由消泡剂、触变剂、流动调节剂、脱气剂和增粘剂组成的组的添加剂。
本发明还涉及蚀刻硅表面和层的方法，其中将本发明的蚀刻介质施用于在整个表面上或根据蚀刻结构掩模仅专门涂布于需要进行蚀刻的区域，并在30秒至5分钟的作用时间后去除蚀刻介质。
按照本发明，蚀刻介质在70至150℃发挥作用。如果需要，通过输入能量、优选利用IR辐射使其活化。
在本发明的方法中，通过丝网印刷、模板印刷、压印、印花印刷(stampprinting)印刷、喷墨印刷或手工印刷法或通过分布技术将蚀刻介质施用到待蚀刻的表面上。作用之后并且在完成蚀刻时，使用溶剂或溶剂混合物冲洗掉蚀刻介质。
本发明的蚀刻介质可用于光电池、半导体技术、高性能电子设备中，特别是用于制造光电二极管、电路、电子元件、或用于为隔离太阳能电池中的p-n结而进行的硅表面和层的蚀刻。它们也可用于为制造太阳能电池的选择性发射极而进行的硅表面和层的蚀刻、用于为提高抗反射性能而进行的太阳能电池的硅表面和层的蚀刻、用于半导体元件及其电路的制造工艺中的硅表面和层的蚀刻、或用于高性能电子设备中的元件制造工艺中的硅表面和层的蚀刻。
发明目的本发明的目的是使用蚀刻糊在整个表面蚀刻或选择性地建构半导体表面和层，特别是硅表面和层。适合将蚀刻糊转移到待蚀刻区域的具有高度自动化和高处理量的技术是印刷和分布。具体而言，丝网印刷、模板印刷、压印、印花印刷和喷墨印刷法以及分布方法是本领域技术人员已知的。手工涂敷，例如利用刷子/施料辊也是可行的。
根据丝网、模板、印版(klischee)或印花的设计或墨盒或计量单元控制，可以将本发明描述的蚀刻糊施用于整个表面上或选择性地根据蚀刻结构掩模仅施用于需要蚀刻的区域。在这种情况下所有的掩蔽和光刻步骤都是多余的。
由此可以明显缩短并更廉价地进行使用复杂掩蔽的建构方法和激光建构之类的方法，或者可以用印刷和分布技术代替容易产生技术缺陷的方法，例如等离子体蚀刻法。此外，由于蚀刻糊仅施用于待蚀刻的区域，因而可以明显降低蚀刻方法中蚀刻化学品的消耗。
特别是在制造硅太阳能电池中的隔离p-n结的过程中，通过蚀刻糊的使用可以实现下列优点
●无需昂贵的等离子体-蚀刻装置●降低电池的高破损率●将机械分离过程中的材料高损耗最小化●避免表面缺陷在使用蚀刻糊制造选择性发射极时，同样可以用氧化物掩蔽和昂贵的等离子体蚀刻进行分布。此外，蚀刻糊的选择性施用避免了接触区的蚀刻不足(underetching)。由于无需掩蔽，即使使用丝网印刷成的金属接触线，也不会对触点造成蚀刻损坏。
还应该指明的是，与迄今使用的光刻法、等离子体-化学法和激光法相比，使用本发明的蚀刻糊可以使选择性发射极的制造和抗反射性能的提高明显缩短和简化。晶片在整个表面上被均匀n++掺杂。触点之间的区域被蚀刻糊蚀刻掉，由此被n+掺杂并且抗反射性能得到提高。由此省却了多个工序。
蚀刻操作优选在输入能量(例如热辐射形式(IR灯)或利用电热板)的情况下进行。蚀刻完成时，使用合适的溶剂或溶剂混合物冲洗掉蚀刻表面的蚀刻糊。
根据应用、蚀刻结构的所需蚀刻深度和/或边缘锐度及蚀刻温度设置，蚀刻期间可以在数秒至数分钟之间。
蚀刻糊含有下列组分●蚀刻组分●溶剂●增稠剂●如果需要还可以含有添加剂，例如消泡剂、触变剂、流动调节剂、脱气剂和增粘剂为了蚀刻元素周期表第4主族中的半导体元素，例如硅，可以使用浓苛性碱液[7]。因此本发明中描述的蚀刻糊的蚀刻作用是基于使用碱性的、可以蚀刻硅的溶液。
基于HF或氟化物的酸性蚀刻糊—如所述的针对氧化物的蚀刻糊[8]、[9]—对硅没有表现出蚀刻作用。
本发明所述的蚀刻糊中使用的碱性蚀刻组分可以是无机碱的水溶液，例如氢氧化钠、氢氧化钾、氨，也可以是有机基的碱性蚀刻混合物，例如乙二胺/邻苯二酚、乙醇胺/鞣酸、氢氧化四烷基铵或其中两种的组合。
所用蚀刻组分的比例是占蚀刻糊总重量的2至50重量％，优选5至48重量％的浓度范围。特别优选的是其中蚀刻组分的存在量为10至45重量％的蚀刻介质。特别合适的是其中蚀刻组分的存在量为占蚀刻糊总重量的30至40重量％的蚀刻介质，因为已经发现这种蚀刻介质的蚀刻速率有利于促进p-n结的完全开放且易于获得高处理量，同时表现出高选择性。
蚀刻组分在70至150℃时在蚀刻糊中有效。在硅表面和层上，低于100℃获得了低于1微米的蚀刻深度，而在高于100℃的温度下获得了最高达2至3微米的蚀刻深度。
合适的无机和/或有机溶剂和/或它们的混合物可以是●水●简单或多元醇(例如异丙醇、二甘醇、二丙二醇、聚乙二醇、1，2-丙二醇、1，4-丁二醇、1，3-丁二醇、甘油、1，5-戊二醇、2-乙基-1-己醇)或它们的混合物●酮类(例如苯乙酮、甲基-2-己酮、2-辛酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、1-甲基-2-吡咯烷酮)●醚类(例如乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、三甘醇单甲醚、二甘醇单丁醚、二丙二醇单甲醚)●羧酸酯(例如乙酸[2，2-丁氧基(乙氧基)]乙酯)●碳酸酯(例如碳酸亚丙酯)优选使用水和选自由醚类和酮类组成的组的溶剂。
水已经证明是特别适合的。
溶剂的比例是蚀刻糊总重量的10至90重量％，优选15至85重量％。特别优选的组合物已经证明是其中溶剂含量为蚀刻糊总重量55-75重量％的组合物。
可以使用在液相中膨胀的可形成网状物的增稠剂调整本发明所述蚀刻糊的粘度，并且该粘度可根据所需应用领域变化。
可能的增稠剂是基于例如官能化的乙烯基单元之类的单体单元(例如丙烯酸、丙烯酸酯和甲基丙烯酸烷基酯(C10-C30))的交联和不交联的均聚物和共聚物，和羟烷基瓜尔豆胶、黄原胶和β-糖苷连接的葡萄糖单体，即纤维素和/或纤维素衍生物，例如纤维素醚，特别是乙基纤维素、羟丙基纤维素或羟乙基纤维素、羧甲基纤维素、及纤维素的乙醇酸醚的盐，特别是羧甲基纤维素钠。这些增稠剂可以单独使用和/或与其它增稠剂结合使用。优选使用羧甲基纤维素的盐和交联的丙烯酸聚合物作为增稠剂。羧甲基纤维素(Finnfix)和交联的丙烯酸均聚物(Carbomers)已经证明非常适合此用途。
具体设置粘度范围和形成可印刷或可分布糊所必须的增稠剂的比例是蚀刻糊总重量的0.5至25重量％、优选1至10重量％。特别合适的组合物已经证明是那些增稠剂的存在量为1.5至6重量％的组合物。
具有对所需用途有利的性能的添加剂是消泡剂(例如TEGOFoamexN(二甲基聚硅氧烷))、触变剂(例如BYK410(改性尿素)、BorchigelThixo2)、流动调节剂(例如TEGOGlide ZG400(聚醚-硅氧烷共聚物))、脱气剂(例如TEGOAirex 986(具有硅酮尖端的聚合物))和增粘剂(例如BayowetFT 929(氟化表面活性剂))。这些物质对蚀刻糊的可印性和可分布性具有积极影响。添加剂的比例为蚀刻糊总重量的0至2重量％。
经过实验发现，用于制备蚀刻介质的组分的选择和蚀刻介质中各组分互相之间的混合比率都是非常重要的。根据蚀刻介质施用于待蚀刻区域的方式，可以不同地设定各组分互相之间的百分比，因为其中溶剂和增稠剂的含量特别会极大地影响粘度和流动性或触变性的设定。溶剂和增稠剂的含量会反过来影响蚀刻性能。根据本发明方法的应用类型，本领域技术人员可以选择进行过相应调整的蚀刻介质组成。
应用领域本发明蚀刻糊的应用领域是●太阳能电池工业●半导体工业●高性能电子器件本发明的蚀刻糊可用于所有需要对硅表面或层进行全表面和/或结构化蚀刻的领域。因此，在各种情况下，在硅表面或层中，可以在全表面或者选择性地将单个结构体蚀刻到所需的深度。
应用领域是，例如●制造光电元件，例如太阳能电池、光电二极管之类的元件，特别是隔离硅太阳能电池中的p-n结和部分去除掺杂层(选择性发射极)所需的所有蚀刻步骤(与建构步骤同义)，包括硅表面和层的表面清洁/粗糙化●制造半导体元件和电路所需的所有在硅表面和层上进行的蚀刻步骤●制造高性能电子器件(IGBT、功率可控硅整流器、GTO等等)中的元件所需的所有在硅表面和层上进行的蚀刻步骤。
为了更好地理解和阐释本发明，下面给出实施例，它们落入本发明的保护范围内，但是不能将本发明限于这些实施例。
实施例实施例140.0克KOH59.0克去离子水1.5克乙二醇单丁醚4.9克Carbomer(丙烯酸均聚物)
将这些化学制剂称入烧杯中，混合并溶解，搅拌加入增稠剂。
将混合物在短时间静置后转移到容器中。该混合物产生蚀刻糊，用该蚀刻糊在输入和/或不输入能量的情况下可例如将硅表面和层在整个表面上或在结构体中特定地蚀刻到所需深度。
将蚀刻糊例如通过丝网印刷或使用分布器(例如销钉直径260微米)施用于硅表面上，并在电热板上于100℃蚀刻3分钟。在n-掺杂(100)的硅片上制造线宽约为1毫米的蚀刻结构体时，确定的蚀刻深度(取决于印刷和分布参数)是0.3至1微米。可以通过增加KOH浓度和线宽来增加蚀刻深度。对于4毫米的线宽和20至50重量％的KOH浓度而言，蚀刻深度是2至3微米。
制成的蚀刻糊在储存时稳定，易于处理而且可印刷。可以使用溶剂，例如使用水，将其从印刷表面或层或从糊的载体(筛网、刮刀、模板、印模、印版、墨盒等)上去除。
实施例28.0克KOH26.4克去离子水4.0克N-甲基吡咯烷酮2.3克羧甲基纤维素的钠盐(Finnfix)如实施例1所述进行分批和处理。
使用分布器(销钉直径450微米)将蚀刻糊施用于硅表面，并于130℃的蚀刻温度蚀刻3分钟。在n-掺杂(100)硅片上制造线宽约为1毫米的蚀刻结构体时，确定的蚀刻深度(取决于印刷和分布参数)是0.2至1微米。
实施例337.8重量％的水0.8重量％的乙醇胺
50.0重量％的乙二醇4.7重量％的氢氧化四乙铵4.7重量％的氢氧化四丙铵0.3重量％的鞣酸＜0.1重量％的吡嗪1.8重量％的羧甲基纤维素的钠盐(Finnfix)如实施例1所述进行分批和处理。
通过丝网印刷或使用分布器(销钉直径450微米)将蚀刻糊施用于硅表面，并于130℃的蚀刻温度蚀刻3分钟。在制造线宽约为1毫米的蚀刻结构体时确定的蚀刻深度在硅片上约为200纳米。
实施例439.4重量％的去离子水49.3重量％的乙二醇4.9重量％的氢氧化四乙铵4.9重量％的氢氧化四丙铵1.5重量％的羧甲基纤维素的钠盐(Finnfix)如实施例1所述进行分批和处理。
通过丝网印刷或使用分布器(销钉直径450微米)将蚀刻糊施用于硅表面，并于130℃的蚀刻温度蚀刻3分钟。在制造线宽约为1毫米的蚀刻结构体时确定的蚀刻深度在硅片上约为300纳米。
实施例550体积％的氢氧化四乙铵20体积％的乙二胺20体积％的去离子水10体积％的三亚乙基四胺0.25克鞣酸
＜0.1重量％的吡嗪3重量％的黄原胶如实施例1所述进行分批和处理。
通过丝网印刷或使用分布器(销钉直径450微米)将蚀刻糊施用于硅表面，并于100℃的蚀刻温度蚀刻3分钟。在制造线宽约为4毫米的蚀刻结构体时确定的蚀刻深度在硅片上约为1微米。W.Wettling.Phys.Bl.12(1997)，pp.1197-1202[2]J.Horzel，J.Slufzik，J.Nijs，R.Mertens，Proc.26thIEEE PVSC，(1997)，pp.139-42[3]M.Schnell，R.Lüdemann，S.Schfer，Proc.16thEU PVSEC，(2000)，pp.1482-85[4]D.S.Ruby，P.Yang，S.Zaidi，S.Brueck，M.Roy，S.Narayanan，Proc.2ndWorld Conference and Exhibition on PVSEC，(1998)，pp.1460-63[5]US 6,091,021(2000)，D.S.Ruby，W.K.Schubert，J.M.Gee，S.H.Zaidi[6]US 5,871,591(1999)，D.S.Ruby，J.M.Gee，W.K.Schubert[7]EP 0229915(1986)，M.Bock，K.Heymann，H.-J.Middeke，D.Tenbrink[8]WO 00/40518(1998)，M.Luly，R.Singh，C.Redmon，J.Mckown，R.Pratt[9]DE 10101926(2000)，S.Klein，L.Heider，C.Zielinski，A.Kübelbeck，W.Stockum[10]A.F.Bogenschütz，Atzpraxis für Halbleiter[Etching practice forSemiconductors]，Carl Hanser Verlag，Munich 196权利要求
1.用于蚀刻硅表面和层的蚀刻介质，其特征在于该蚀刻介质是增稠的、碱性液体。
2.按照权利要求1的可印刷蚀刻介质，其特征在于它是含有下列物质的蚀刻糊a.至少一种溶剂b.增稠剂和c.非必要的的添加剂，例如消泡剂、触变剂、流动调节剂、脱气剂和增粘剂之类，而且该蚀刻介质在低至70至150℃的温度下有效，和/或如果需要可以通过输入能量使其活化。
3.按照权利要求1和2的蚀刻介质，其特征在于含有作为蚀刻组分的有机碱或无机碱，其浓度为总量的2至50重量％，优选5至48重量％。
4.按照权利要求3的蚀刻介质，其特征在于含有至少一种选自由以下物质组成的组的组分作为蚀刻组分氢氧化钠、氢氧化钾、氨、乙醇胺、乙二胺、氢氧化四烷基铵、或乙二胺/邻苯二酚和乙醇胺/鞣酸混合物中之一。
5.按照权利要求2的蚀刻介质，其特征在于所述溶剂选自由以下物质组成的组水、异丙醇、二甘醇、二丙二醇、聚乙二醇、1，2-丙二醇、1，4-丁二醇、1，3-丁二醇、甘油、1，5-戊二醇、2-乙基-1-己醇或它们的混合物，或选自由以下物质组成的组苯乙酮、甲基-2-己酮、2-辛酮、4-羟基4-甲基-2-戊酮、1-甲基-2-吡咯烷酮、乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、三甘醇单甲醚、二甘醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、羧酸酯，例如乙酸[2，2-丁氧基(乙氧基)]乙酯、碳酸亚丙酯等，单独使用或以混合物使用，使用量是介质总量的10至90重量％，优选15至85重量％。
6.按照权利要求2的蚀刻介质，其特征在于含有选自由以下物质组成的组的增稠剂羟烷基瓜尔豆胶、黄原酸胶、纤维素和/或乙基纤维素、羟丙基纤维素或羟乙基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基羟乙基纤维素钠、以丙烯酸、丙烯酸酯和甲基丙烯酸烷基酯(C10-C30)的官能化乙烯单元为基础的均聚物或共聚物，单独或混合使用，其含量为蚀刻介质总量的0.5至25重量％，优选1至10重量％。
7.按照权利要求3的蚀刻介质，其特征在于含有占总量0至2重量％的选自由消泡剂、触变剂、流动调节剂、脱气剂和增粘剂组成的组的添加剂。
8.蚀刻硅表面和层的方法，其特征在于将按照权利要求1至7的蚀刻介质施用于整个表面上或根据蚀刻结构掩模仅专门施用于需要进行蚀刻的区域，并在30秒至5分钟的作用时间后去除这些蚀刻介质。
9.按照权利要求8的方法，其特征在于蚀刻介质在70至150℃发挥作用，和/或如果需要，通过输入能量使其活化。
10.按照权利要求9的方法，其特征在于通过将其暴露在热中(IR灯、电热板)使蚀刻介质活化。
11.按照权利要求8的方法，其特征在于通过丝网印刷、模板印刷、压印、印花印刷、喷墨印刷或手工印刷的方法或通过分布技术将蚀刻介质施用于待蚀刻的表面上。
12.按照权利要求8的方法，其特征在于完成蚀刻时使用溶剂或溶剂混合物冲洗掉蚀刻介质。
13.按照权利要求1至7的蚀刻介质在光电池、半导体技术、高性能电子设备中的用途，用于制造光电二极管、电路、电子元件。
14.按照权利要求1至7的蚀刻介质的用途，用于为隔离太阳能电池中的p-n结而对硅表面和层进行的蚀刻。
15.按照权利要求1至7的蚀刻介质的用途，用于为制造太阳能电池的选择性发射极而对硅表面和层进行的蚀刻。
16.按照权利要求1至7的蚀刻介质的用途，用于为提高抗反射性能而对太阳能电池的硅表面和层进行的蚀刻。
17.按照权利要求1至7的蚀刻介质的用途，用于在半导体元件及其电路的制造工艺中对硅表面和层进行的蚀刻。
18.按照权利要求1至7的蚀刻介质的用途，用于在高性能电子设备的元件制造工艺中对硅表面和层进行的蚀刻。
全文摘要
本发明涉及用于全表面或选择性蚀刻硅表面和层的蚀刻糊形式的新型蚀刻介质及其用途。
文档编号C09K13/02GK1679147SQ03820998
公开日2005年10月5日 申请日期2003年8月8日 优先权日2002年9月4日
发明者A·屈贝尔可, S·克莱因, W·斯托库姆 申请人:默克专利有限公司