专利名称：移除基底上的绝缘层的方法和化学机械研磨工艺的制作方法
技术领域：
本发明是有关于 一种半导体元件的工艺，且特别是有关于 一种移除基底 上的绝缘层的方法，以及对应的化学机械研磨工艺。
背景技术：
随着半导体元件线幅的持续微型化，高速、更多功能、高元件集成度、低功率消耗及低成本的ULSI集成电路芯片得以大量生产制造。然而，微型 化将造成曝光景深缩减，对于晶片表面的平坦度的要求更为严苛。因此，目 前晶片的平坦化(planarization)工艺都是依赖化学机械研磨技术来达到晶片 内"全域性平坦化，，(global planarization)。化学机械研磨技术具有独特的非等 向性去除性质，除了可用于晶片表面的平坦化的外，亦可应用于垂直及水平 金属内连线(interconnects)的镶嵌结构的制作、前段工艺中的浅沟槽隔离(STI) 结构制作及先进元件的制作、微机电系统平坦化和平面显示器制作等。CMP技术是利用机械力研磨的原理，配合适当的研浆(slurry)进行水解 反应，以将高低起伏的表面予以"磨平"。典型的化学机械研磨技术是将晶片 的待研磨面与旋转的研磨垫(polishing pad)对向配置，并在研磨垫上提供含研 磨粒(abmsive)与化学助剂的研浆。当晶片表面凸出的部分和研磨垫接触时， 研浆中的化学助剂会使接触部位产生水解反应，再配合晶片在研磨垫上藉由 研磨粒辅助的机械研磨，移除与研磨垫相接触的凸出部分。藉由上述化学反 应与机械研磨的反复作用，即可形成平坦的表面。目前还有一种称之为固定式化学机械研磨的技术，其是利用埋有研磨粒 的研磨垫来进行研磨。在进行研磨时，埋在研磨垫中的研磨粒会释放出来， 辅助晶片的机械研磨。通常，非固定式化学机械研磨的研磨速度快，容易在研磨过程中使被研 磨物产生凹陷的现象。固定式化学机械研磨虽可以避免凹陷的现象，却因为 研磨速率较低，因此很少单独使用。目前，已有将非固定式化学机械研磨及固定式化学机械研磨结合使用，来移除晶片上的绝缘层的技术，其先进行利用SiLECT6000高选择性研浆 (HSS)的非固定式化学机械研磨工艺，以快速移除晶片上大部分的绝缘层， 之后，再以SWR521固定式化学机械研磨来进行细磨。以此种方式可以避免 凹陷的问题，且刮伤(mircoscratch)的情形也很少见。然而，HSS研浆的研除 率变化为非线性，其工艺窗宽度也很窄。另 一种方式，则是先进行使用氧化硅(Si02)型研浆的非固定式化学机械 研磨工艺，以快速移除晶片上大部分的绝缘层，之后，再以使用Ce02研磨 粒的固定式化学机械研磨工艺来进行细磨。此种方式虽可增加工艺窗宽度， 却会造成严重的刮伤，其原因如下。在固定式化学机械研磨工艺中，由之前 非固定式化学机械研磨工艺所残留的氧化硅研磨粒的表面会水解生成 -SiOH,再解离生成-SiCT与而Ce02研磨粒的表面则会水解生成-CeOH， 再解离成-Ce+与OH-。由于-Ce+与-SiO-会产生路易斯酸碱反应，所以会产生 大颗的CexSiOy微粒，其反应机制图解如下。此CexSiOy微粒容易刮伤晶片 的表面。<formula>formula see original document page 6</formula>发明内容本发明提供一种移除基底上的绝缘层的方法，其可以增加工艺窗的宽度。本发明又提供一种移除基底上的绝缘层的方法，其可以减少基底刮伤的情形。本发明更提供一种化学机械研磨工艺，其可以增加工艺窗的宽度并减少 基底刮伤的情形。本发明提出 一种移除基底上的绝缘层的方法。此方法包括依序对此绝缘 层进行第一及第二化学机械研磨工艺，其中第一化学机械研磨工艺所使用的研浆与第二化学机械研磨工艺所使用的研浆的pH值相等且大于7。第一第二化学机械研磨工艺之间还包括清除步骤，以除去会导致有害微粒产生的特 定物质。依照本发明实施例所述，上述移除基底上的绝缘层的方法中，清除步骤 可在研磨盘中进行，此研磨盘与第一化学机械研磨工艺所使用的研磨盘相 同，或相异。依照本发明实施例所述，上述移除基底上的绝缘层的方法中，第一化学 机械研磨工艺例如包括非固定式化学机械研磨工艺，同时第二化学机械研磨 工艺包括固定式化学机械研磨工艺。此时上述特定物质可能是第 一化学机械 研磨工艺所使用的第 一研磨粒，此第 一研磨粒会与第二化学机械研磨工艺所 使用的第二研磨粒作用而形成上述有害微粒。例如，第一研磨粒的材质包括氧化硅，第二研磨粒的材质包括氧化铈，而两种研磨粒作用而形成的有害微粒为CexSiOy微粒。依照本发明实施例所述，上述移除基底上的绝缘层的方法中，当导致有 害微粒产生的特定物质为第 一研磨粒时，清除步骤包括以去离子水冲洗基 底，并同时磨光(buff)。此清除步骤例如是在研磨盘中进行，此研磨盘与第 一化学机械研磨工艺所使用的研磨盘相同或相异，后者例如是具有磨光垫的 研磨盘。依照本发明实施例所述，上述移除基底上的绝缘层的方法中，当导致有 害微粒产生的特定物质为第一研磨粒时，清除步骤又例如是以化学品处理基 底，使绝缘层表面与附着于其上的多个第一研磨粒具有相同电性的电荷，并 同时磨光基底。此清除步骤例如是在研磨盘中进行，此研磨盘与第一化学机 械研磨工艺所使用的研磨盘相异，且例如是具有磨光垫的研磨盘。另外，上 迷化学品包括氨水，或是含有氨水的溶液。依照本发明实施例所述，上述移除基底上的绝缘层的方法中，当导致有 害微粒产生的特定物质为第一研磨粒时，清除步骤又例如是以化学品移除部 分绝缘层与附着在绝缘层上的多个研磨粒。在一实施例中，此清除步骤是在 化学槽中进行。在另一实施例中，此清除步骤还包括同时磨光基底，此时清 除步骤例如是在研磨盘中进行，此研磨盘与第一化学机械研磨工艺所使用者 不同，例如是具有磨光垫的研磨盘。另外，上述化学品例如包括酸液，其包 括稀释的氩氟酸溶液，或是含有氢氟酸的溶液。依照本发明实施例所述，上述移除基底上的绝缘层的方法中，当第一化 学机械研磨工艺包括非固定式化学机械研磨工艺且第二化学机械研磨工艺 包括固定式化学机械研磨工艺时，此非固定式化学机械研磨工艺、固定式化 学机械研磨工艺以及清除步骤可皆在同 一机台中进行。依照本发明实施例所述，上述移除基底上的绝缘层的方法中，第一与第 二化学机械研磨工艺可各自包括非固定式化学机械研磨工艺或固定式化学 机械研磨工艺。依照本发明实施例所述，上述移除基底上的绝缘层的方法中，绝缘层可 为用以形成浅沟槽隔离结构的绝缘层。依照本发明实施例所述，上述移除基底上的绝缘层的方法中，绝缘层可 为介电层。依照本发明实施例所述，上述移除基底上的绝缘层的方法，还包括在第 二化学机械研磨工艺之后进行一去离子水冲洗磨光步骤，以去除绝缘层上的 残留物。本发明提出一种化学机械研磨工艺，适用于研磨基底上的标的物，包括 在第一研磨盘上进行第一化学机械研磨步骤，接着，在第二研磨盘上进行清 除步骤，以去除基底上会导致有害微粒产生的特定物质，之后，在第三研磨 盘上进行第二化学机械研磨步骤，其中该第 一研磨盘所使用的研浆与该第三研磨盘所使用的研浆的pH值相等且大于7。依照本发明实施例所述，上述的化学机械研磨工艺中，第二研磨盘为一 具有磨光垫的研磨盘。依照本发明实施例所述，上述的化学机械研磨工艺中，清除步骤包括以 去离子水冲洗基底，并同时磨光基底的标的物。依照本发明实施例所述，上述的化学机械研磨工艺中，清除步骤包括以 化学品处理基底，并同时磨光基底的标的物。依照本发明实施例所述，上述的化学机械研磨工艺中，化学品包括氨水， 或是含有氨水的溶液。依照本发明实施例所述，上述的化学机械研磨工艺中，化学品包括酸液。依照本发明实施例所述，上述的化学机械研磨工艺中，酸液包括稀释的 氪氟酸溶液，或是含有氢氟酸的溶液。依照本发明实施例所述，上述的化学机械研磨工艺中，第一化学机械研磨步骤与第二化学机械研磨步骤各自包括非固定式化学机械研磨步骤或固 定式化学机械研磨步骤。依照本发明实施例所述，上述的化学机械研磨工艺中，在第一化学机械研磨步骤中使用第 一研磨粒；在第二化学机械研磨步骤中使用第二研磨粒，其中第一研磨粒的材质包括氧化硅；第二研磨粒的材质包括氧化铈；且有害微粒为Ce^iOy微粒。本发明的移除基底上的绝缘层的方法，其可以增加工艺窗的宽度。 本发明的移除基底上的绝缘层的方法，其可以减少基底刮伤的情形。 为让本发明的上述和其他目的、特征和优点更明显易懂，下文特举优选实施例并配合所附图式，详细说明如下。
图l是依照本发明实施例所绘示的一种移除基底上的绝缘层的方法流程图；图2A至2F是依照本发明 一 实施例所绘示的 一种浅沟槽隔离结构的制造 方法的流程剖面图；图3A至3D是依照本发明实施例所绘示的一种半导体元件的介电层的 平坦化工艺的流程剖面图。主要元件符号说明10 16:步骤200、 300:基底202:垫氧化层204、 204a:掩模层206:沟槽208、 208a、 208b:绝缘层 210:研磨粒302、 302a、 302b:介电层具体实施方式
图l是依照本发明实施例所绘示的一种移除基底上的绝缘层的方法流程图。请参照图1,本实施例的移除基底上的绝缘层的方法，是先进行一非固 定式化学机械研磨工艺，以快速研磨基底上部分的绝缘层(步骤10)。在一例中，此化学机械研磨工艺所使用的研浆为氧化硅型研浆，例如是Cabot公司 所生产的SS-25型，其pH值大于7。由于氧化硅(Si02)研磨粒表面会水解生 成-SiOH,再解离成-SiCr与H+,而-SiCT会与Ce02研磨粒表面的-Ce+产生路 易斯酸碱反应而导致CexSiOy微粒的形成，因此若步骤10使用Si02研磨粒 且其后直接进行使用Ce02研磨粒的另一研磨工艺，则残留在绝缘层上的 Si02研磨粒会导致下一个研磨工艺中产生Ce^iOy微粒，其容易刮伤晶片的 表面。在一实施例中，化学机械研磨机台具有三个研磨盘，此步骤10是以 第一研磨盘来进行的.。 .接着，进行步骤12。步骤12所进行的清除步骤可在与步骤10相同的机 台中进行，以去除会导致有害微粒产生的物质。在一实施例中，步骤10所 使用的研磨粒为氧化硅研磨粒，而此清除步骤所欲去除的物质即是绝缘层表 面上所残留的氧化硅研磨粒。在一实施例中，清除步骤12是以高压的去离子水冲洗基底，并同时磨 光基底，以藉由机械力去除绝缘层表面上所残留的研磨粒。此清除步骤12 可以临场在用以进行步骤10的化学机械研磨工艺所使用的研磨盘中进行， 或是在另一研磨盘中进行。当清除步骤12是在另一研磨盘中进行时，可以 搭配使用磨光垫(buff pad)来进行研磨。在另一实施例中，清除步骤12是以一化学品来改变基底表面的Zeta电 位(zeta potential),使绝缘层表面与附着于其上的研磨粒具有相同电性的电 荷，而产生互斥作用，并同时对基底进行磨光，以藉助机械力将研磨粒移除。 当绝缘层为氧化硅层且步骤10使用氧化硅研磨粒时，清除步骤12所使用的 化学品例如是碱，以使基底上氧化硅绝缘层的表面与研磨粒皆带负电，而将 研磨粒排斥脱离绝缘层的表面。清除步骤12所使用的化学品包括碱性溶液 如氨水，或是含有氨水的溶液(例如是含有氨水与过氧化氢的溶液，如RCA 公司生产的RCA溶液，其浓度为20wt。/。以下)。此种清除步骤12是在不同 于步骤10的研磨盘中进行，其可以同时使用磨光垫来进行磨光。在一实施 例中，化学机械研磨机台具有三个研磨盘，此步骤12是以第二研磨盘来进 行的。在另一实施例中，清除步骤12是以一化学品来移除部分的绝缘层与附10着于其上的研磨粒。当绝缘层为氧化硅时，清除步骤12所使用的化学品例如是一酸液，以移除基底上的部分绝缘层及其上的研磨粒。清除步骤12所 使用的酸液包括氬氟酸溶液，或是含有氬氟酸的溶液，其浓度为0.02-lwt%。 在一例中，清除步骤12的进行方式是将基底浸泡于装有化学品的化学槽中。 在另一例中，清除步骤12除了以化学品移除部分绝缘层外，还同时对基底 进行磨光，以藉助机械力将研磨粒移除。此种清除步骤12是在不同于步骤 IO的研磨盘中进行，其可使用磨光垫进行磨光。在一实施例中，化学机械研 磨机台具有三个研磨盘，此步骤12是以第二研磨盘来进行的。之后，进行步骤14，其可在同一个机台中进行一固定式化学机械研磨工 艺，以细磨绝缘层。此固定式化学机械研磨工艺所使用的研浆的pH值大于 7，且与步骤IO所使用的研浆的pH值相等。固定式化学机械研磨工艺是使 用埋有研磨粒的研磨垫来进行，所用的研磨粒例如是Ce02研磨粒，也可能 是其他与步骤io所用研磨粒(如Si02研磨粒)共存时会导致有害微粒产生的 研磨粒。由于先前的清除步骤12已去除了前一研磨工艺的研磨粒，所以进 行步骤14时不会产生CexSiOy微粒而刮伤基底。此种清除步骤14是在不同 于步骤10的研磨盘中进行的。在一实施例中，化学机械研磨机台具有三个 研磨盘，此步骤14是以第三研磨盘来进行的。在进行步骤14之后，可以依照实际需要与机台的研磨盘数量来进行步 骤16。步骤16是进行一去离子水沖洗磨光(bu伍ng)步骤，以去除绝缘层上 的残留物，例如是研磨粒、研浆或是污染物等。去离子水沖洗磨光步骤16 是在不同于步骤14的研磨盘中进行的，其可以同时使用磨光垫来进行磨光。如上所述，可用本发明的方法研磨的绝缘层的材质例如是氧化硅。本发图2A至2F是依照本发明 一 实施例所绘示的 一种'浅沟槽隔离结构的制造 方法的流程剖面图。请参照图2A，在基底200上形成垫氧化层202与掩模层204。垫氧化层 202的形成方法例如是热氧化法；掩模层204的材质例如是氮化硅，形成方 法例如是化学气相沉积法。接着，请参照图2B，图案化掩模层204与垫氧化层202，并于基底200 中蚀出沟槽206。接着，在基底200上沉积绝缘层208,其材质例如是氧化 硅，且形成方法例如是等离子体增强型化学气相沉积法。绝缘层208的厚度例如是6000埃。然后，请参照图2C，先进行一非固定式化学机械研磨工艺(图1步骤10), 以使留在掩模层204上方的绝缘层208a的厚度约为150至500埃。此化学 机械研磨工艺所使用的研浆可为氧化硅型研浆，例如是Cabot公司所生产的 SS-25型，其pH值大于7。在一实施例中，化学机械研磨机台具有三个研磨 盘，此步骤是以第一研磨盘来进行的。在进行此非固定式化学机械研磨工艺 的后，绝缘层208a的表面会残留一些研磨粒210。之后，请参照图2D，进行清除步骤(图1步骤12)，以去除附着于绝缘 层208a上的会使后续研磨工艺中产生有害微粒的物质，即前一研磨工艺所 使用的研磨粒。在一实施例中，化学机械研磨机台具有三个研磨盘，此步骤 是以第二研磨盘来进行的。当步骤IO使用氧化硅研磨粒时，此清除步骤12 所欲去除者即是附着于绝缘层208a上的氧化硅研磨粒。清除步骤12可以以 高压的去离子水沖洗基底并同时磨光、或是使用化学品(并配合磨光操作)来 施4亍的。所使用的化学品可以是碱性溶液，以改变绝缘层208a表面的Zeta电位 (Zeta potential),使绝缘层208a表面与附着于其上的研磨粒210具有相同电 性的电荷，而产生互斥作用。碱性溶液例如是氨水，或是含有氨水的溶液(例 如是含有氨水与过氧化氢的溶液，如RCA公司生产的RCA溶液，其浓度为 20wt。/o以下)。所使用的化学品又例如可以是一酸液，以移除部分绝缘层208a以及其 上的研磨粒210。酸液例如是氬氟酸溶液，或是含有氢氟酸的溶液，其浓度 例如为0.02-lwt%。其后，请参照图2E，进行一固定式化学机械研磨工艺(图1步骤14),所 使用的研浆的pH值大于7，且与先前非固定式化学机械研磨工艺所使用的 研浆的pH值相等。在一实施例中，化学机械研磨机台具有三个研磨盘，此 步骤是以第三研磨盘来进行的。固定式化学机械研磨工艺可使用埋有Ce02 研磨粒的研磨垫，直至掩模层204棵露出来，其中掩模层204的厚度损失例 如约为50埃，而留下掩模层204a与绝缘层208b。虽然Ce02研磨粒表面的 -Ce+会与前一研磨工艺所用的氧化硅研磨粒表面的-SiCT键结，而导致容易刮 伤基底表面的CexSiOy微粒形成，但因先前的清除步骤12已清除了残留的氧 化硅研磨粒210,故可大幅减少Ce》iOy微粒造成的刮伤情形。之后，请参照图2F，移除掩模层204与垫氧化层202，其例如是以一等 向性蚀刻工艺来达成。此外，依照实际的需要可以再进行图1的步骤16，以去离子水冲洗磨光， 以去除绝缘层208b上的残留物。另经实验证实，本实施例的方法可减少86%的刮痕。以用于介电层的研磨。图3A至3D是依照本发明实施例所绘示的一种半导体元件的介电层的 平坦化工艺的流程剖面图。请参照图3A，基底300上已形成介电层302。介电层302可以是内层介 电层(ILD)或金属层间介电层(IMD)等。介电层302因下方元件而具有高低起 伏的表面，其材质例如是氧化硅，且形成的方法例如是化学气相沉积法。接着，请参照图3B,进行一非固定式化学机械研磨工艺(图1步骤10), 以去除部分的介电层302，使留下来的介电层302a的高低起伏的程度下降。 此非固定式化学机械研磨工艺所使用的研浆例如为氧化硅型研浆，如Cabot 公司所生产的SS-25型，其pH值大于7。在进行使用氧化硅型研浆的研磨 工艺的后，介电层302a的表面会残留一些氧化硅研磨粒310。在一实施例中， 化学机械研磨机台具有三个研磨盘，此步骤是以第 一研磨盘来进行的。之后，请参照图3C，进行一清除步骤(图1步骤12),以去除介电层302a 上会使后续研磨工艺中产生有害微粒的物质，即前一研磨工艺所使用的研磨 粒。在一实施例中，化学机械研磨机台具有三个研磨盘，此步骤是以第二研 磨盘来进行的。当步骤IO使用氧化硅研磨粒时，此清除步骤12所欲去除者 即是介电层302a表面上残留的氧化硅研磨粒310。清除步骤12可以以高压 的去离子水冲洗基底并配合磨光操作、或是使用化学品(并配合磨光操作)来 施行的。所使用的化学品可以是碱性溶液，以改变介电层302a表面的Zeta电位 (Zetapotential),使介电层302a表面与其上研磨粒310带有相同电性的电荷， 而产生互斥作用。碱性溶液例如是氨水，或是含有氨水的溶液(例如是含有 氨水与过氧化氢的溶液，如RCA公司生产的RCA溶液，其浓度为20wt%) 以下。所使用的化学品又例如可以是一酸液，以移除基底上的部分介电层302a及其上的研磨粒310。此酸液例如是氬氟酸溶液，或是含有氢氟酸的溶液，其浓度为0.02-1 wt%。其后，请参照图3D,进行一固定式化学机械研磨工艺(图1步骤14)， 所使用的研浆的pH值大于7，且与非固定式化学机械研磨工艺所使用的研 浆的pH值相等。在一实施例中，化学机械研磨机台具有三个研磨盘，此步 骤系以第三研磨盘来进行的。固定式化学机械研磨工艺可使用埋有Ce02研 磨粒的研磨垫来进行，以使介电层302a进一步平坦化，留下平坦化的介电 层302b。由于先前清除步骤12已清除了氧化硅研磨粒310，故可大幅减少 CexSiOy微粒所造成的刮伤。依照实际的需要可以再进行图1的步骤16,以去离子水冲洗磨光，以去 除介电层302b上的残留物。虽然在以上实施例中，是以先进行非固定式化学机械研磨工艺再进行固 定式化学机械研磨工艺的情形来说明。然而，本发明也可以应用于先进行固 定式化学机械研磨工艺再进行非固定式化学机械研磨工艺的情形，或是任何 两个非固定式化学机械研磨工艺、任何两个固定式化学机械研磨工艺、或任 何其他相同或不同的化学机械研磨工艺其所使用的不同研磨粒的水解产物 会反应产生有害微粒者。另外，虽然以上实施例中会使后进行的研磨工艺中产生有害微粒的物质 是先进行的研磨工艺所使用的研磨粒，但本发明也可应用于使后进行的研磨 工艺中产生有害微粒的物质是先进行的研磨工艺所使用或产生的研磨粒以 外的其他物质的情形，只要视需要调整前述清除步骤即可。，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何 熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰， 因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。
权利要求
1.一种移除基底上的绝缘层的方法，包括对该绝缘层进行第一化学机械研磨工艺以及后续的第二化学机械研磨工艺，该第一化学机械研磨工艺所使用的研浆与该第二化学机械研磨工艺所使用的研浆的pH值相等且大于7，且其中在该第一与第二化学机械研磨工艺之间包括清除步骤，以除去会导致有害微粒产生的特定物质。
2. 如权利要求1所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步骤在 研磨盘中进行，该研磨盘与该第 一化学机械研磨工艺所使用的研磨盘相同， 或相异。
3. 如权利要求1所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该第一化学机 械研磨工艺包括非固定式化学机械研磨工艺，且该第二化学机械研磨工艺包 括固定式化学机械研磨工艺。
4. 如权利要求3所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该特定物质为 该第 一化学机械研磨工艺所使用的第 一研磨粒，该第 一研磨粒会与该第二化 学机械研磨工艺所使用的第二研磨粒作用，而形成该有害微粒。
5. 如权利要求4所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该第一研磨粒 的材质包括氧化硅，该第二巧磨.但的村盾包^氧化^,— 曰i，有害微粒为 CexSiOy微粒。
6. 如权利要求4所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步骤包 括以去离子水沖洗该基底，并同时磨光该基底。
7. 如权利要求6所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步骤在 研磨盘中进行，该研磨盘与该第 一化学机械研磨工艺所使用的研磨盘相异或 相同。
8. 如权利要求7所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步骤在 具有磨光垫的研磨盘中进行，该研磨盘与该第一化学机械研磨工艺所使用者 相异。
9. 如权利要求4所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步骤包 括以化学品处理该基底，使该绝缘层与附着在该绝缘层上的多个第一研磨 粒具有相同电性的电荷，并同时磨光该基底。
10. 如权利要求9所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步 骤在研磨盘中进行，该研磨盘与该第 一化学机械研磨工艺所使用的研磨盘相异
11. 如权利要求IO所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步 骤在具有磨光垫的研磨盘中进行。
12. 如权利要求9所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该化学品 包括氨水，或是含有氨水的溶液。
13. 如权利要求4所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步 骤包括以化学品移除部分该绝缘层与附着在该绝缘层上的多个第一研磨粒。
14. 如权利要求13所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步 骤在化学槽中进行。
15. 如权利要求13所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步 骤还包括同时磨光该基底。
16. 如权利要求15所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步 骤在研磨盘中进行，该研磨盘与该第 一化学机械研磨工艺所使用的研磨盘不 同。
17. 如权利要求16所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步 骤在具有磨光垫的研磨盘中进行。
18. 如权利要求13所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该化学品 包括酸液。
19. 如权利要求18所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该酸液包 括稀释的氢氟酸溶液，或是含有氢氟酸的溶液。
20. 如权利要求3所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该非固定 式化学机械研磨工艺、该固定式化学机械研磨工艺以及该清除步骤在同 一机 台中进行。
21. 如权利要求1所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该第一化 学机械研磨工艺与该第二化学机械研磨工艺各自包括非固定式化学机械研 磨工艺或固定式化学机械研磨工艺。
22. 如权利要求1所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该绝缘层 为用以形成浅沟槽隔离结构的绝缘层。
23. 如权利要求1所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该绝缘层为介电层。
24. 如权利要求1所述的移除基底上的绝缘层的方法，还包括在该第二化学机械研磨工艺之后进行一去离子水冲洗磨光步骤，以去除该绝缘层上 的残留物。
25. —种化学机械研磨工艺，适用于研磨基底上的标的物，包括 在第 一研磨盘上进行第 一化学机械研磨步骤；在第二研磨盘上进行清除步骤，以去除该基底上会导致有害微粒产生的 特定物质；以及在该清除步骤之后，在第三研磨盘上进行第二化学机械研磨步骤； 其中该第一研磨盘所使用的研浆与该第三研磨盘所使用的研浆的pH值 相等且大于7。
26. 如权利要求25所述的化学机械研磨工艺，其中该第二研磨盘为具 有磨光垫的研磨盘。
27. 如权利要求26所述的化学机械研磨工艺，其中该清除步骤包括以 去离子水沖洗该基底，并同时磨光该基底的该标的物。
28. 如权利要求26所述的化学机械研磨工艺，其中该清除步骤包括以 化学品处理该基底，并同时磨光该基底的该标的物。
29. 如权利要求28所述的化学机械研磨工艺，其中该化学品包括氨水， 或是含有氨水的溶液。
30. 如权利要求28所述的化学机械研磨工艺，其中该化学品包括酸液。
31. 如权利要求30所述的化学机械研磨工艺，其中该酸液包括稀释的 氢氟酸溶液，或是含有氢氟酸的溶液。
32. 如权利要求26所述的化学机械研磨工艺，其中该第一化学机械研 磨步骤与该第二化学机械研磨步骤各自包括非固定式化学机械研磨步骤或 固定式化学机械研磨步骤。
33. 如权利要求26所述的化学机械研磨工艺，其中该第一化学机械研 磨步骤中使用第一研磨粒；该第二化学机械研磨步骤中使用第二研磨粒，其 中该第一研磨粒的材质包括氧化硅；该第二研磨粒的材质包括氧化铈；且该 有害微粒为CexSiOy微粒。
全文摘要
一种移除基底上的绝缘层的方法以及对应的化学机械研磨工艺，该方法包括对绝缘层进行第一化学机械研磨工艺及后续的第二化学机械研磨工艺，其中第一化学机械研磨工艺所使用的研浆与第二化学机械研磨工艺所使用的研浆的pH值相等且大于7。第一第二化学机械研磨工艺之间还包括一清除步骤，以除去会导致有害微粒产生的特定物质。
文档编号C09G1/00GK101308790SQ20071010258
公开日2008年11月19日 申请日期2007年5月16日 优先权日2007年5月16日
发明者战 吕, 吴姿慧, 李志岳, 杨凯钧, 蔡腾群, 陈佳禧, 黄建中 申请人:联华电子股份有限公司